Система для управления электрохимическим укреплением грунта

Система для управления электрохимическим укреплением грунта

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к строительству различных сооружений на водонасыщенных связных грунтах, может быть использовано при строительстве и эксплуатации объектов жилого, промышленного, гидротехнического и иного назначения. Цель изобретения - повышение точности управления. Система содержит формирователь 1, электроды-инъекторы 2 и 3 с закрепляющими растворами, размещенные в укрепляемом грунте 4, конденсатор 5, диоды 6,7 и 8, тиристор 9, конденсаторы 10,11 и 12, диоды 13 и 14, трехфазный источник 15 переменного тока. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

° РЕСПУБЛИН

<51>4 Ео Вз

3Ж 6ИБИ

ВИ-,Л 3 - .:.i,. ::. %Å)(!1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Г .L3. " Е i А

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

llQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4347097/3 1-33 (22) 2! .12.87 (46) 15.11.89. Бюл. № 42 (72) В. В. Додотченко, И. И. Демчук и А. Г. Николаев (53) 624.138.5 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 727744, кл. Е 02 D 3/ll, 1977.

Авторское свидетельство СССР № 1004528, кл. Е 02 D 3/11, 1981.

ÄÄSUÄÄ 1521829 A 1 2 (54) СИСТЕМА ДЛЯ УПРАВЛ ЕН И Я

ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ УКРЕПЛЕНИЕМ ГРУНТА (57) Изобретение относится к строительству различных сооружений на водонасыщенных связных грунтах. Может быть использовано при строительстве и эксплуатации объектов жилого, промышленного, гидротехнического и иного назначения.

Цель изобретения — повышение точности управления. Система содержит формирователь 1, электроды-инъекторы 2 и 3 с закрепляющими растворами, размещенные в укрепляемом грунте 4, конденсатор 5, диоды 6, 7 и 8, тиристор 9, конденсаторы

10,11 и 12, диоды 13 и 14, трехфазный источ!

521829

Изобретение относится к строительству различных сооружений на водонасыщенных связных грунтах и может быть использовано при строительстве и эксплуатации объектов жилого, промышленного, гидротехнического и иного назначения.

Целью изобретения является повышение точности управления.

На чертеже схематически изображена система для управления электрохимически,,ми укреплениями грунта.

Система содержит формирователь 1, электроды-инъекторы 2 и 3 с закрепляющими растворами, размещенные в укрепляемом грунте 4, конденсатор 5, диоды 6 — 8, тиристор 9, конденсаторы 10 в 12, диоды 13 и 14, трехфазный источник 15 переменного тока (ТИПТ) с тремя одинаковыми фазами, :одни выводы которых соединены друг с дру гом и образуют нейтраль N (т.е. нулевой

: вывод) трехфазной звезды, а другие выводы

; этих фаз имеют выводы А, В и С.

В ТИПТ (выводы соединены друг с дру, гом по схеме трехфазной звезды) действуют трн фазовые напряжения U„, U> и U„ сдвинутые друг относительно друга на

120 эл. град. Эти фазовые напряжения образуют трехлучевую звезду. Линейные напряжения У)вд, Бж и U«B 3 раза больше фазовых и образуют треугольник напряжений, вращающийся против часовой стрелки с круговой частотой о.

Формирователь 1 состоит из пик-трансформатора 16, регулируемого резистора 17, конденсатора 18 и диода 19.

Система работает следующим образом.

Пусть в исходный момент времени линейное напряжение на выводах А и С будет максимальным и начинает уменьшаться по своей величине, причем положительный потенциал приложен к выводу А, а линейное напряжение на выводах А и В имеет некоторое ненулевое значение, вывод В имеет нулевой потенциал и начинает возрастать по абсолютной величине. Под воздействием линейного напряжения У«конденсатор

10 через диод 6 зарядился до величины линейного напряжения ТИПТ, при этом положительный потенциал создан на обкладке, соединенной с выводом А ТИПТ. Считаем, что через диод 7 конденсатор 11 зарядился до величины линейного напряжения под воздействием Uq>, а конденсатор 12 зарядился до удвоенного линейного напряжения

ТИПТ. Под воздействием фазового напряжения U по первичной обмотке пиктрансформатора 16, звена, состоящего из резистора 17 и конденсатора 8, и обратно— в зависимости от напряжения на выводах

А, протекает ток, определяемый полным сопротивлением этой цепи.

Во вторичной обмотке импульсного пиктрансформатора формируется управляющий

35 импульс, который сдвинут по фазе относительно линейного напряжения 1 и подается через диод 19 к управляющему переходу — катоду и управляющему электроду тиристора 9 v, он лавинообразно открывается. Через 60 эл. град от выбранного начала отсчета времени линейное напряжение

Ua будет максимальным и складывается согласно с напряжением конденсаторов 11 и 12, и при подаче управляюшего импульса на тиристор 9 создается цепь для импульса постоянной составляющей тока через укрепляемый грунт 4: вывод В конденсатор 11 — тиристор 9 — электрод-инъектор 2, укрепляемый грунт 4 электрод-инъектор 3 — конденсатор 12 вывод С. Этот импульсный разряд конденсаторов 11 и 12, формирующий постоянную составляющую тока, может происходить в интервале времени от 60 эл. град (от выбранного выше начала отсчета) до 150 эл. град. (от этого же начала отсчета). Конденсаторы 11 и 12 не перезаряжаются, так как они шунтированы диодами 8 и 13.

Через 90 эл. град. от выбранного выше начала отсчета начинается следующий заряд конденсатора 12 под воздействием суммарного напряжения конденсатора 10, линейного напряжения U„(;làííûå напряжения суммируются согласно). В результате этого через 180 эл. град. от начала отсчета напряжение на конденсаторе будет равно удвоенному линейному напряжению ТИПТ, причем на его обкладке, соединенной с выводом С, будет всегда положительный потенциал.

Через 210 эл. град. от начала отсчета начинается последующий заряд конденсатора 11, до величины линейного напряжения ТИПТ и заканчивается через 300 эл. град. от начала отсчета.

Через 270 эл. град. от начала отсчета начинается следующий — — заряд конденсатора 10 до величины линейного напряжения ТИПТ и заканчивается через 360 эл. град. от начала отсчета.

Через 420 эл. град. от начала отсчета напряжение Us будет максимальным и суммарное напряжение конденсаторов 11 и 12 и напряжения U достигнет 4 U <, где

U — линейное напряжение ТИПТ.

Далее циклически вновь формируются и м пульс ы.

Таким образом, система позволяет пропустить через укрепляемый грунт за период изменения питающего напряжения мощный импульс постоянной составляюгцей асимметричного тока, величина напряжения в котором составляет учетверенное линейное напряжение ТИПТ.

Переменная составляюш ая аси мметричного тока, которая осуществляет деполяризацию грунта в межэлектродном промежутке, формируется с помощью цепи:

1829

Формула изобретения

Составитель Л. Шарова

Техред И. Верес Корректор Т. Ма.|сп

Тираж 589 Подписное

Редактор Т. Лазоренко

Заказ 6899/27

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4,5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, 1л. Гагарина, 101

152

5 вывод  — конденсатор 5 — электрод-инъектор 2 — укрепляемый грунт 4 — электродинъектор 3 — конденсатор 12 — вывод С— вывод N.

Таким образом, данная система для управления электрохимическим укреплением грунта позволяет повысить точность управления.

Система для управления электрохимическим укреплением грунта, содержащая пару электродов-инъекторов с закрепляющими растворами, размещенных в укрепляемом грунте, три конденсатора, четыре диода и трехфазный источник переменного тока, причем одни выводы трехфазного источника переменного тока объединены, другой вывод первой фазы подключен к аноду первого диода через первый конденсатор, а к аноду второго диода — непосредственно, катод второго диода через второй конденсатор подключен к другому выводу второй фазы и к аноду третье6

ro диода, а первый электрод-инъектор соединен с одной из обкладок третьего конденсатора, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности управления, она снабжена пятым диодом, четвертым конденса5 тором, тиристором и формирователем, причем вход формирователя подключен к другим выводам первой и третьей фаз, первый электрод-инъектор подключен к катоду тиристора, который соединен с выходом фор10 мирователя, анод тиристора соединен с одной из обкладок второго конденсатора и с катодами второго и третьего диодов, второй электрод-инъектор соединен с одной из обкладок четвертого конденсатора и анода м и четвертого и пятого диодов, катод четвертого диода соединен с другой обкладкой четвертого конденсатора и с другим выводом третьей фазы, катод пятого диода соединен с анодом первого диода и с одной из обкладок первого конденсатора, другая

2О обкладка третьего конденсатора подключена к другому выводу второй фазы, к аноду третьего диода, к другой обкладке второго конденсатора.