Элемент памяти

Элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др. Целью изобретения является увеличение отношения сигнал/помеха при считывании информации. Элемент памяти содержит коаксиально расположенные ферромагнитную подложку 1 в форме ленты из низкокоэрцитивного материала (1-10А/м) и электрохимически осажденную на нее высококоэрцитивную (800-2000 А/м) пленку 2 (например, кобальтовую). Подложка 1 и пленка 2 выполнены из материалов с ППГ, причем оси их легкого намагничивания направлены вдоль длины элемента памяти. Подложка 1 может быть выполнена из аморфного состава /например, 45НПР-А, 81КСР-А/. Элемент памяти содержит также обмотку считывания, магнитосвязанную с подложкой 1 и пленкой 2. Длина элемента памяти выбирается таким образом, чтобы размагничивающее поле образца превышало значение коэрцитивной силы подложки 1, но было меньше коэрцитивной силы пленки 2. 1 з.п.ф-лы, 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) А1 (g1) 4 0 11 С 5/00, 11/!4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К А ВТОРСКОМУ С8ИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4122765/24-24 (22) 22.09.86 (46) 15.11.89. Вюл. № 42 (71) Ташкентский институт инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства (72) Л.И. I".àðèìîâà и H.P. Зайнуллин (53) 681.327.66(088.8) (56) Патент CIJA № 3820090, кл . С 11 С 1!/06, опублик. 1974 .

Авторское свидетельство СССР

¹ 124 1286, кл . С 11 С 11/ 14, 1984 . (54) ЭЛЕИЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение .относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВИ и др. Целью изобретения является увеличение отношения сигнал/помеха при считывании информации. Элемент памяти содержит

2 коаксиально расположенные ферромагнитную подложку 1 в форме ленты из низкокоэрцитивного материала (110 A/ì) и электрохимически осажден— ную на нее высокоэрцитивную (8002000 А/м) пленку 2 (например, кобальтовую). Подложка 1 и пленка 2 выполнены из материалов с ППГ, причем оси их легкого намагничивания направлены вдоль длины элемента памяти. Подложка 1 может быть выполнена из аморфного состава (например, 45НПР-А, 8 1КСР-А). Элемент памяти содержит также обмотку считывания, магнитосвязанную с подложкой 1 и пленкой 2. Длина элемента памяти выбирается таким образом, чтобы размагничивающее поле образца превышало значение коэрцитивной силы подложки 1, но было меньше коэрцитивной силы пленки 2. 1 з.п. ф-лы, .Зил.

1522285

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВИ и др.

Цель изобретения — увеличение отношения сигнал-помеха при считывании информации.

На фиг. 1 и 2 показано распределение намагниченности в элементе при наличии (фиг. 1) и в отсутствии (фиг. 2) внешнего магнитного поля Н на фиг. 3 — частная петля перемагничивания элемента памяти в однополярном магнитном поле И(Н ).

Элемент памяти содержит коаксиально расположенные ферромагнитные подложку 1 в форме ленты из низкокоэрцитивного материала (1-10) А/м и элек20 трохимически осажденную на нее высококоэрцитивную (800-2000) А/мпленку 2 (например, кобальтовую). Подложка 1 .и пленка 2 выполнены из материалов с

ППГ, причем оси их легкого намагничи- 25 вания направлены вдоль длины элемента памяти. Подложка 1 может быть выполнена из аморфного сплава (например, 45НПР-А, 8 1КСР-А).

Элемент памяти соцержит также об- 3g мотку считывания (на фиг. 1 и 2 не показана), магнитосвязанную с подложкой

1 и пленкой 2.

Дйина элемента памяти выбирается таким образом, чтобы размагничивающее 35 поле образца превышало значение коэрцитивной силы подложки 1 но было меньше коэрцитивной силы пленки 2.

Элемент памяти работает следующим образом. 40

При воздействии достаточно сильного внешнего магнитного поля Н „ элемент памяти устанавливается в первое магнитное состояние насыщения (фиг. 1), соответствующее точке "yc- 45 тановки" петли гистерезиса на фиг. 3.

При этом элемент памяти фактически является постоянным магнитом, так как направления намагниченности подложки

1-и пленки 2 совпадают, а магнитный поток замыкается по воздуху.

При уменьшении магнитного поля до определенной величины Н,,„ соответствующей точке "сброса петли гистерезиса (фиг. 3) происходит пере1

55 ,ключение элемента памяти во второе магнитное состояние (фиг. 2). При этом пленка 2 остается в намагниченном состоянии, а подложка 1 перемагничивается под действием размагничивающего поля в направлении, .обратном направлению намагниченности пленки

2, обеспечивая минимум внутренней энергии. При этом в обмотке считывания наводится выходной сигнал.

Структура аморфных сплавов, в отличие поликристаллических, характеризуется отсутствием границ блоков, зерен и других дефектов структуры, служащих источниками существования множества зародышей перемагничивания, которые способствуют разбиванию ветвей петли гистерезиса на ряд мелких скачков Баркгаузена. Поэтому возможно перемагничивание аморфной ленты одним единственным скачком Баркгаузена, которому будет соответствовать вертикальная отвесная ветвь ППГ и один явно выраженный выходной импульс.

Так как амплитуда импульса зависит от диапазона скачкообразного изменения намагниченности, то при перемагничивании аморфного сплава с такой же остаточной намагниченностью, как и у поликристаллического, достигается увеличение амплитуды выходного сигнала.

При этом ППГ и а ни з отр опия достигаются за счет наведения магнитной текстуры при соответствующей термомагнитной обработке, и нет необходимости создавать упругие растягивающие или скручивающие напряжения.

Амплитуда выходного сигнала пропорциональна объему перемагничиваемой области при заданных значениях намагниченности и скорости перемагничивания, т.е. определяется площадь пленки 2.

Для повьппения амплитуды выходного сигнала в элементе памяти увеличивать толщину пленки можно лишь до определенных значений (8-10 мкм), при превьппении которых нарушается механическая прочность, сцепление пленки 2 с внутренней областью и ухудшаются магнитные характеристики (ППГ и анизотропия, наводимые в пленке при ее осаждении в продольном магнитном поле). Поэтому увеличение площади сече. ния пленки 2 можно достичь лишь за счет увеличения периметра сечения внутренней области, на которую она осаждается, например, путем выполнения подложки в форме ленты с прямоугольным сечением, как это сделано в предложенном элементе памяти.

1522285 6 и з о б р е т е н и я с я тем, что, с целью увеличения отношения сигнал/помеха нри считываамяти, содержащий ко- нии информации, ферромагнитная подложенные ферромагнит- ложка выполнена в форме ленты из низ5 пленку из материалов кокоэрцитивного материала. формул а

1. Элемент и аксиально распо ные подложку и с прямоугольной петлей гистерезиса, оси легкого намагничивания которых направлены вдоль длины элемента памяти, и магнитосвязанную с ними обмотку считывания, о т л и ч а ю щ к й2. Элементпоп. 1, отлича— ю шийся тем, что ферромагнитная подложка выполнена из аморфного сплава, Составитель Kl. Ðîçåíòàëü

Редактор М.Товтин Техред М.Ходанич Корректор Т.Малец

Заказ 6970/50 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101