Анод для электрохимических процессов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к изготовлению окисно-металлических анодов на основе из пассивирующихся металлов. Целью изобретения является повышение стабильности потенциала анода во времени при одновременном уменьшении его значения по сравнению с известным. Анод для электрохимических процессов содержит основу из пассивирующегося металла, промежуточный подслой, выполненный из смеси благородного металла с оксидом пассивирующего металла при содержании благородного металла 2 - 25 мас.% и активное покрытие из оксидов неблагородных металлов. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

PEOlYEi JlHH (!9! (И) А1 (59 4С 25 В 11 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4273671/31-26 (22) 04.06.87 (46) 15.12.89. Бюл. Н9 46 (71) Белорусский технологический инсгитут им. С.И.Кирова (72) О.А.Слесаренко, И.М.Жарский, Н.П.Кукурудзяк и Л.Е.Воропаев (53) 621.3.035.2(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР (460886, кл. С 25 В 11/00, 1970. (54) АНОД ДЛЯ ЭЛЕКТРОХИИИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (57) Изобретение относится к изготовИзобретение относится к электрохимическим производствам, а именно к изготовлению окисно-металлических ано— дов на основе из пассивирующегося металла.

Цель изобретения — увеличение срока службы анода за счет повьппения стабильности потенциала во времени и сокращение энергозатрат при его использовании за счет снижения значения потенциала.

Указанная цель достигается гем, что в качестве промежуточного подслоя между активным покрытием и основой анода используют смесь благородного металла с оксидом пассивирующегося металла, например металла основы анода, состава, мас.Х:

Благородный металл 2-25

Оксид пассивирующегося металла 75-98

Промежуточный слой может быть сформирован осаждением благородного

2 лению окисно-металлических анодов на основе из пассивирующихся металлов.

Целью изобретения является повьппение стабильносги потенциала анода во времени при одновременном уменьшении его значения по сравнению с известным.

Анод для электрохимических процессов содержит основу из пассивирующегося металла, промежуточный подслой, выполненный из смеси благородного металла с оксидом пассивирующегося металла при содержании благородного металла

2-25 мас.Х и активное покрытие из оксидов неблагородных металлов. 2 табл. металла из очень разбавленных электролитов с одновременным окислением по- C верхности пассивирующегося металла при контролируемом значении потенциала более отрицательном, чем потенциал осаждения благородного металла.

При этом благородный металл оказывается включенным в слой поверхности оксида пассивирующегося металла.

Пример 1. Титановую основу размером 1х! см2 протравливают в 2Хном растворе плавиковой кислоты, промывают, высушивают.

На подготовленную основу наносят спиртовый раствор, содержащий гидроксихлорид рутения и тетрабутилтитанат. е

Основу высушивают и подвергают окислительному обжигу при 400 С.

Пример 2. Титановую основу размером 1х1 см2 протравливают в 2Хном растворе плавиковой кислоты, после чего быстро погружают в раствор

О,! н. НС104, содержащий 10 моль/л

1528816

75-98

Таблица 1

Содерж. благород ного меПодслой

Эпыт одержание оксида титана в галла в через

50 ч в начале испытания подслое, мас.7 подслое (в пересчете на металл), мас. 7

1,84

1,79

1,91

1,77

1,77

1,82

1,79

1,77

1,82

1,7Ь

1,76

1,79

1 RuO +TiO

2 Ru+T iO

3 Ru+TiO

Вu+TiO

5 Ru+TiO

Ь Ru+TiO

81,2

98,5

1,5

2 гидроксихлорида рутения. Через 30 с основу извлекают из рутенийсодержащего раствора, промывают, высушивают.

Содержание рутения в поверхностном

-4 оксидном слое составляет 6 ° 10 мг (определено методом резерфордовского обратного рассеяния). Концентрация рутения в смеси составляет 15 мас.Ж;

На основу с подготовленным таким образом подслоем наносят слой диоксида марганца терморазложением при 200250 С нитрата марганца. о

Изготавливают аноды по примеру 2, но с другим содержанием гидроксихлори-15 да рутения в легирующем растворе

0,1 í. HC1 .

Изготовленные аноды испытывают при электролизе в 2н. растворе H SO при

20 С и плотности тока 1000 А.мРезультаты испытаний представлены в табл. 1.

По примерам 1 и 2 изготавливают аноды, содержащие в промежуточном подслое смесь окислов палладия и титана 25 и смесь металлического палладия и оксида титана °

Изготавливают аноды с активным покрыгием из оксидов кобальта Со>0< (полученным терморазложением нитрата кобальта при 350 С) и с активным поо крытием из диоксида свинца, полученным электр роосаждением из нитратного электролита на титановых основах с подслоем, выполненным по примерам 1 и 2.

Результаты испытаний приведены в табл. 2.

Таким образом, потенциалы анодов с промежуточным подслоем, содержащим смесь благородного металла и оксида пассивирующегося металла, ниже потенциалов анодов с промежуточным подслоем из смеси оксида благородного металла и оксида пассивирующегося металла.

Формула и э о бр ет ения

Анод для электрохимических процессов, содержащий основу иэ пассивирующегося металла, промежуточный подслой и активное покрытие из оксидов неблагородных металлов, о т л и ч а ю— шийся гем, что, с целью увеличения срока службы за счет повышения стабильности потенциала анода во времени и сокращения энергозатрат при использовании анода за счет снижения значения потенциала, промежуточный подслой выполнен из смеси благородного металла с оксидом пассивирующегося металла при следующем соотношении компонентов мас.7.:

Благородный металл 2-25

Оксид пассивирующегося металла

Потенциал анода по отношению к потенциалу водородного электрода, В

1528816

Таблица 2

Содержание блаПодслой

Потенциал анода по отношению к нормальному водородному электроду, В

Опыт ктивное окрытие городного метал ла в под слое, мас.X в начале через испытаний 50 ч

1 (Из весгный)

3 (известный)

4 (известный)

+Р О

TiO +Pd

1,8

1,78

1,88

1,81

Мп

МпО

TiO +Ru0z

1,7Ь

СО,О, 1,81

Т О,+RuO, TiO +Ru

Т О, +R

2,2Ь

1,74

2,1

Pb0z

СЪ О

РЬО

2,48

1,75

2,18

Сосгавитель Т. Барабаш

Редактор М.Недолуженко Техред А. Кравчук

Корректор О.Кравцова

Заказ 7617/24 Тираж 605 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101