Способ записи и хранения информации в бис зу на кмоп- структурах

Способ записи и хранения информации в бис зу на кмоп- структурах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании и эксплуатации ЗУ на КМОП-структурах. Цель изобретения - повышение надежности функционирования БИС ЗУ на КМОП-структурах за счет устранения тиристорного эффекта. Поставленная цель достигается за счет того, что одновременно с подачей напряжения питания к кристаллу БИС ЗУ прикладывают магнитное поле, вектор напряженности которого ориентирован перпендикулярно поверхности кристалла БИС ЗУ. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„,1529288 (51)4 С 1 С.1! 40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2 лительной технике и может быть использовано при создании и эксплуатации ЗУ на КМОП- структурах, Цель изобретенияповышение надежности функционирования

БИС ЗУ íà КМОП-структурах за счет устранения тиристорного эффекта. Поставленная цель достигается за счет того, что одновременно с подачей напряжения питания к кристаллу БИС ЗУ прикладывают магнитное поле, вектор напряженности которого ориентирован перпендикулярно поверхности кристалла БИС ЗУ. 2ил. где Ч вЂ” заряд электрона;

С вЂ” скорость света;

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4278091/24-24 (22) 21.04.87 ,(46) 15.12.89. Бюл. ¹ 46 (72) Я,N.Беккер, Г.А.Петухов, Ч.И.<омин и Н.Д.Фролов (53) 68 1.327.66 (088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹- 999115, кл. G 11 С 29/00, 1981.

IEEE Тгапзасг.1on Nacl, SciNS-26, р. 5069, 1979. (54) СПОСОБ ЗАПИСИ И ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ В БИС ЗУ НА К-MOII-СТРУКТУРАХ (57) Изобретение относится к вычисИзобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь-зовано при создании и эксплуатации запоминающих устройств (ЗУ) на К-МОПструктурах.

Цель изобретения — повьппение надежности функционирования БИС ЗУ на

К-MOII-структурах за счет устранения

"тиристорного эффекта и повышение технологичности реализации способа.

На фиг. 1 представлено устройство, реализующее предлагаемый способ записи и -хранения информации в БИС ЗУ на

К-МОП-структурах; на фиг. 2 — разрез и топология паразиткой тиристорной структуры.

На фиг. 1 показаны кристалл 1 БИС

ЗУ, закрепленный в корпусе 2 с выводами З.,С обеих сторон корпуса расположены постоянные магниты 4, На фиг. 2 показаны шунтирующие резисторы 5 — 8, транзисторы 9 и 10, полупроводниковая подложка 11 п-типа, области 12 n+-типа, области 12 п-типа, область 13 кармана.

Способ реализуется с помощью устррйсгиа (бриг. 1) еиеиг юиии образом. Q)

На корпусе 2 с выводами 3 и закрепленным в нем кристалле 1 устанавливают магниты 4, создающие магнитное поле Н вектор которого направлен перЭ Май пендикулярно поверхности кристалла 1.

При подаче напряжения питания на БИС

ЗУ происходит ответвление тока, протекающего через паразитную тиристор- Ж ную структуру, и явления ™ тиристор- (Я ный эффект"не возникает. СЮ

Способ записи и хранения информации в БИС ЗУ на К-МОП-структурах заключается в том, что на основные носители зарядов, создающие электрический ток, в паразитной структуре при приложении магнитного поля Н, ориен- р тированного перпендикулярно поверхЪ ности кристалла, действует сила Лоренца, определяемая выражением ч С!

-е (Бх V)

С

1529288

8 .- вектор магнитной индукции;

Ч вЂ” вектор скорости неосновных носителей заряда.

Под воздействием вектора силы Ло5 енпа,. расположенного в плоскости кристалла, траектория основных носителей заряда, генерируемых в области пространственного заряда коллекторноо перехода, отклоняется от прямолиейной. Радиус кривизны траектории еоснованных носителей заряда пропорционален величине вектора силы Лорена 1,, Таким образом, при приложении агнитного поля определенной величина можно достичь полного ответвления ока, создаваемого основными носите-, ямн заряда при обтекании областей бъемных резисторов 5 и 6, шунтируюих эммитерные переходы транзисторов 2р

10, 7 и 8 прямой и обратной проодпмости, что устраняет возможность нжекции зарядов эммитерами составяющих транзисторов. Вследствие отутствия инжекции эммитеров устранятся возможность увеличения тока, протекающего через паразитную тирисорную структуру, которое может приести к изменению коэффициентов усиения по току транзисторов 9 и 10. 30 страняется возможность достижения уммы коэффициентов усиления по току значения 1, при котором происходит включение паразитной тиристорной струк туры.

Ориентация вектора напряженности магнитного поля имеет большое значение так как при направлении вектора

Э перпендикулярно поверхности кристалла происходит отклонение неоснов40 ных носителей заряда под действием

Ф ! силы Лоренца Г„) вправо, при обрат.ном направлении вектора напряженнос ти Й вЂ” влево. При ориентации вектора ,напряженности магнитного поля парал:лельно поверхности кристалла отклонение неосновных носителей заряда будет происходить вглубь или к поверхности кристалла, что увеличит расстояние прохождения неосновных носителей, g.е. величины сопротивлений 5 и 6.

Это отрицательно скажется на шунтирующих свойствах эмиттерных переходов.

Таким образом, только перпендикулярная к поверхности ориентация вектора напряженности магнитного поля приводит к достижению поставленной цели.

Предположим, что в области пространственного заряда обратно смещенного коллекторного перехода произошла генерация пар носителей электрического тока. Под воздействием приложенного к БИС ЗУ напряжения питания; создающего электрическое поле в структуре, произойдет их разделение и дырочная составляющая генерируемого тока направится в сторону контакта подвода потенциала земли в области кармана ртипа, а электронная составляющая — в сторону контакта подвода потенциала питания в области подложки п-типа.

Под воздействием силы Лоренца, возникающей за счет приложения магнитного поля, произойдет отклонение вектора скорости носителей зарядов от прямолинейного направления (см. фиг. 2).

Это устранит возникновение падения напряжения на шунтирующих резисторах

5 и 6 и исключит явление "тиристорного эффекта" °

Формула изобретения

Способ записи и хранения информации в БИС ЗУ на К-МОП-структурах, заключающийся в подаче напряжения питания на кристалл BH(; ЗУ, о т л и ч аю щ и и с .я тем, что, с целью повышения надежности функционирования, одновремепно с подачей напряжения питания к кристаллу БИС ЗУ прикладывают магнитное поле, вектор напряженности которого ориентирован перпендикулярно поверхности кристалла БИС ЗУ.

1529288

Составитель JI.Амусьева

КоРРектоР В.Кабаций

Редактор Е.Конча Техред Л,Олийнык

Заказ 7748/48

Тираж 558

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иосква, 7N-35, Раушская наб., д. 4 /5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101