Способ контроля свч полевых транзисторов на пластине

Способ контроля свч полевых транзисторов на пластине

Реферат

 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для технологического контроля в широкой полосе частот полевых транзисторов непосредственно на пластине. Целью изобретения является повышение производительности и расширение частотного диапазона. Способ предусматривает подачу постоянного напряжения на стоковый и истоковый электроды, регистрацию усиленного полевым транзистором СВЧ-тока, по величине которого оценивают качество полевого транзистора. Поставленная цель достигается возбуждением СВЧ-тока в полевом транзисторе путем освещения затворной области световым потоком, модулированным по интенсивности СВЧ-сигналов, а регистрация выходного сигнала осуществляется с помощи кристалла, обладающего электрооптическим эффнктом, путем измерения амплитуды отклонения пучка света, отраженного от нижней границы электрооптического кристалла. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для технического контроля в широкой полосе частот полевых транзисторов непосредственно на пластине. Целью изобретения является повышение производительности и расширение частотного диапазона при контроле. На чертеже представлено устройство, реализующее способ, где показаны затворная область 1 полевого транзистора, световой поток 2, модулированный по интенсивности СВЧ-сигналом; истоковый электрод 3, затворный электрод 4, стоковый 5 электрод, поглощающая СВЧ-пластина 6, электрооптический кристалл 7, зондирующий световой пучок 8, отраженный от нижней границы электрооптического кристалла 7 пучок света 9, технологические полосковые электроды 10 на полупроводниковой пластине для подачи на полевые транзисторы питающих напряжений. Способ осуществляется следующим образом. На истоковый 3 и стоковый 5 электроды через полосковые технологические электроды 10 на полупроводниковой пластине подают постоянные питающие напряжения. К стоковому 5 электроду прикладывают кристалл 7, обладающий электрооптическим эффектом, например ADP (дигидрофосфат аммония). Затворную область 1 транзистора освещают световым потоком 2, модулированным по интенсивности СВЧ-сигналом. Модулированный световой поток 2 в зазорах между истоковым 3 и затворным 4, а также между затворным 4 и стоковым 5 электродами создает за счет внутреннего фотоэффекта в полупроводнике переменную концентрацию носителей заряда и, соответственно, переменный ток, который усиливается в транзисторе и возбуждает в полосковой линии передачи (не показано), образованной стоковым электродом и металлическим основанием, на котором лежит пластина, электромагнитную волну. Для обеспечения бегущего режима электромагнитной волны в этой линии на стоковом 5 электроде за электрооптическим кристаллом 7 располагают пластину 6, поглощающую СВЧ. Переменное поле электромагнитной волны, проникая в электрооптический кристалл 7, вызывает изменение с частотой СВЧ-сигнала показателя преломления. Электрооптический кристалл 7 освещают световым пучком 8, который при отражении от нижней границы электрооптического кристалла 7, вследствие изменения показателя преломления меняет отклонение отраженного светового пучка с частотой СВЧ-сигнала. Амплитуда этого отклонения пропорциональная амплитуде электромагнитной волны и, следовательно, пропорциональна коэффициенту усиления полевого транзистора, что позволяет по измеренной величине отклонения оценивать качество полевого транзистора. Использование предлагаемого способа обеспечивает по сравнению с существующими способами, основанными на электродинамических системах для ввода и вывода СВЧ-сигнала, возможность осуществлять контроль и измерение в широкой полосе частот коэффициента усиления транзисторов в миллиметровом диапазоне длин волн непосредственно на пластине, сократить время контроля и снизить трудоемкость изготовления устройства контроля за счет исключения необходимости изготовления компланарных линий передачи на подложках специальной формы, а также согласующих трансформаторов, требующих ручного управления.

Формула изобретения

СПОСОБ КОНТРОЛЯ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ПЛАСТИНЕ, включающий подачу постоянного напряжения на стоковый и истоковый электроды полевого транзистора, возбуждение в нем СВЧ-тока, регистрацию усиленного полевым транзистором СВЧ-тока, определение коэффициента усиления полевого транзистора и сравнение его с эталонным значением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и расширения частотного диапазона при контроле, после возбуждения СВЧ-тока к стоковому электроду полевого транзистора прикладывают поглощающую СВЧ-пластину, на участке стокового электрода между поглощающей СВЧ-пластиной и затвором полевого транзистора размещают электрооптический кристалл, возбуждение СВЧ-тока в полевом транзисторе осуществляют путем освещения его затворной области световым потоком, модулированным по интенсивности зондирующим СВЧ-сигналом, а регистрацию усиленного полевым транзистором СВЧ-тока производят, освещая электрооптический кристалл световым пучком и измеряя амплитуду отклонения светового пучка, отраженного от нижней границы электрооптического кристалла.

РИСУНКИ

Рисунок 1