Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ). Цель изобретения - повышение коэффициента программирования ППЗУ. Для этого в диэлектрическом слое 4 выполнено отверстие 5 над областью перегорания перемычки 2 при программировании ППЗУ. Доступ кислорода воздуха через отверстие 5 к пережигаемому участку перемычки 2 обеспечивает увеличение коэффициента программируемости ППЗУ. После программирования поле накопителя ППЗУ покрывают защитным веществом, например компаундом. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU 1531 (5п 4 С 11 С 17/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4374525/24-24 (22) 21. 12.87 (46) 23. 12.89. Бюл. У 47 (71) Московский авиационный институт им. Серго Орджоникидзе (72) О.Г.Семенов (53) 681.327.66(088.8) (56) Ефимов И.Е., Козырь И,Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы. Надежность. — M.: Высшая школа, 1986, с, 120-136.

Пегросян О.А. и др. Схемотехника БИС посгоянных запоминающих устройств.

М.: Радио и связь, 1978, с. 138. (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО

ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ).

Цель изобретения — повышение коэффициента программирования ППЗУ. Для этого в диэлектрическом слое 4 выполнено отверстие 5 над областью перегорания перемычки 2 при программировании ППЗУ.

Доступ кислорода воздуха через отверстие 5 к пережигаемому участку перемычки 2 обеспечивает увеличение коэффициента программируемости ППЗУ, После программирования поле накопителя

ППЗУ покрывают защитным веществом, например компаундом. 2 ил.

<О

1531170 покрывают защитным веществом, например эпоксидным клеем, для исключения взаимодействия с окружающей средой элементов готового ППЗУ. формула и з о б р е т е н и я

Составитель С,Королев

Редактор М. Бланар Техред JI. Олийнык Корректор Н. Король

Заказ 7963/54 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

1 1303 5, Москва, Ж-35, Раушская наб ., д. 4 /5

Производственно-издательский комбинат "Патент". г.Ужгород, ул. Гагарина,101

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ).

Целью изобретения является повышение коэффициента программирования ЗУ.

На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг. 2 его топология ° 10

Элемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой, образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрический слой 4 с отверстием 5.. 15

Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 20 (записи информации в ППЗУ). Электроды

3 служат для соединения перемычки

2 с другими элементами накопителя (матрицы запоминающих элементов) и схем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25 слой 4 служат для крепления, защиты и исключения нежелательного химического взаимодействия компонентов элемента памяти с другими материалами ППЗУ и окружащей средой. Отверстие 5 в ди- 30 электрическом слое 4 служит для улуч1вения условий перегорания перемычки 2 и может быть вытравлено в уже нанесенном защитном покрытии, либо покрытие может наноситься через соответствующую маску.

В процессе программирования ППЗУ, когда необходимо пережечь перемычку 2 данного элемента памяти, на эту перемычку подают импульс тока, вызываю- 40 щий быстрый разогрев и расплавление перемычки 2. Благодаря наличию отверстия 5 к пережигаемому участку перемычки 2 поступает кислород воздуха, и в перемычке 2 образуется обрыв.

После программирования всех нужных элементов памяти поле накопителя ППЗУ

Пережигаемая перемычка 2 может быть выполнена из нихрома, проводящие электроды 3 — из алюминия, а подложка 1 и диэлектрический слой 4 из двуокиси кремния. Диаметр отверстия 5 выбирают большим ширины перемычки 2.

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий диэлектрическую подложку, проводящий слой, расположенный на поверхности диэлектрической подложки, образующий плавкую перемычку, два проводящих электрода, расположенных на поверхности диэлектрической подложки с перекрытием противоположных краев проводящего слоя, диэлектрический слой, расположенный на поверхности проводящего слоя и проводящих электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента программирования запоминающего"устройства, в диэлектрическом слое выполнено отверстие над проводящим слоем.