Электрофотографический материал

Электрофотографический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области электрофотографии и позволяет улучшить качество материала за счет увеличения фоточувствительности в инфракрасной области спектра и снижения остаточного потенциала. На электропроводящую подложку наносят транспортный и фотогенерирующий слои, выполненные из AS<SB POS="POST">2</SB>SE<SB POS="POST">3</SB> - SB<SB POS="POST">2</SB>SE<SB POS="POST">3</SB> с увеличивающейся концентрацией SB<SB POS="POST">2</SB>SE<SB POS="POST">3</SB> от подложки и с градиентом концентрации в транспортном слое 0,3 - 0,5 мол.%/ мкм, а в фотогенерирующем 2,0 - 2,5 мол.%/мкм. Толщина транспортного слоя составляет 25 - 27 мкм, а фотогенерирующего - 1 - 3 мкм.

CQl03 СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51) 5 С 03 G 5/08

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОП1РЦТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР (2 ) 4430667/40-12 (22} 24.05.88 (46) 07,01 ° 90. Бюл. Г 1 (72) A.Ô.Øeëêîâà, И.P.Шульчите, И.-Д.Б.Сидаравичюс, Н.П.Астраускене, Г.З.Виноградова, Л.К.Работько и Ю.Ю.Бальчюнас (53) 722.93 (088,8) (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИИ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к области электрофотографии и позволяет улучшить качество материала за счет увеИзобретение относится к электрофотографии и может быть использовано в различной копировально-множительной аппаратуре, а также при записи изображения сканирующим лучом лазера, Целью изобретения является улучшение качества материала за счет увеличения Фоточувствительности в инфракрасной области спектра и уменьшение остаточного потенциала.

Пример 1. Сплав системы

As>Se> — Sb Så, состава 99 мол. В

Аз Бе и 1 мол . 4 БЬ 8 з размельчают, гросеивают через металлическое сито с размером ячеек 1 мм и в количестве, обеспечивающем при его испарении толщину слоя 26-30 мкм, загружают в тигель и устанавливают в вакуумную камеру. В качестве подложки используют пластину или цилиндр, выполненные из дюралюминиевого сппава Д 16Т, обрабо танные до 10-11 класса чистоты поверхности. Перед напылением подлож„„SU„„1534425 А 1

2 личения фоточувствительности в инфракрасной области спектра и снижения остаточного потенциала. На электропроводящую подложку наносят транспортный и Фотогенерирующий слои, выполненные из As — Sb

Толщина транспортного слоя составля ет 25-27 мкм, а фотогенерирующего1-3 мкм. 1 табл. ку обезжиривают горячим раствором поверхностно-активного вещества "Прогресс" (температура раствора 70-80 С).

После тщательной промывки подложки последовательно проточной горячей„ холодной и дистиллированной водой ее высушивают и устанавливают в вакуумную камеру. Создают вакуум t "EO "1 10 мм рт.ст, Температуру подложки поднимают до 170 + 10 С и ведут напыление слоя до толщины 25-27 мкм при 420 10 Ñ. Затем температуру по- © вышают и напыляют слой при 470 10 С до полного испарения навески.

llo данным рентгенофлуоресцентного анализа установлено, что Фотопроводниковый слой разделен на две зоны с различным содержанием компонентов.

При общей толщине фотопроводникового слоя 26-30 мкм первая транспортная зона толщиной 25-27 мкм содержит переменное количество Sb

1534425

О, 3 мол . io/мкм. Зона фотогенерации толщиной 1,3 мкм, т.е, зона с большим количеством селенида сурьмы, имеет среднюю концентрацию 2 мол ° Ф/

/мкм.

Параметры полученного материала представлены в таблице.

Остаточный потенциал материала равен нулю, Фоточувствительность в 10

ИК-области превышает значение для ! известного материала.

Пример 2. Сплав состава . » os As Su и 3 мол.: 4 Sb подготавливают способом, аналогичным 15 описанному в примере 1, Таким же образом выполняют все последующие операции, за исключением температуры испарителя,которую устанавливают равной 430 + 10 С, а затем повышают 20 до 480 + 10 С, По данным рентгенофлуоресцентного ( анализа установлено, что первая зона толщиной 25-27 мкм содержит переменное количество SR So co средней 25 концентрацией Sb

Пример 3. Сплав состава 30 мол ; В As@Sер и 5 мол ;.0 Sb Se подготавливают сйособом, аналогичйым описаннсму в примере 1. Таким же образом выполняются все последующие операции по напылению слой, за исключением температуры испарителя, которую устанавливают равно" 435 i.

+10 С, а затем повышают до 490+10 С, По данным рентгенофлуоресцентного анализа установлено, что первая эо- 40 на фоточувствительного слоя толщиной 25-27 мкм содержит переменное количество Sb Soç со средней концентрацией БЬ Бе 0,5 мол. Ъ!мкм, а Фотогенерирующая эона 2,5 мол, Ф/мкм, Параметры полученного материала представлены в таблице.

Остаточный потенциал равен 5-7 В.

Фоточувствительность превышает значения для известного материала в

WK-области.

Таким оЬраэом, предлагаемый материал обладает остаточным потенциалом 0-7 В, что значительно меньше, чем у известного материала. При этом величина фоточувствительности в ИКобласти при A = f50 нм больше в

2-3 раза по сравнению с известным материалом.

Разработанный электрофотографический материал является универсальным, может быть успешно применен в аппаратуре черно-белого и цветного докумен; тирования, причем мощность узла экспонирования для получения качественного изображения уменьшена вдвое, При эксплуатации цилиндров в аппаратуре энергозатраты уменьшаются на 25-304.

Благодаря наличию Фоточувствительности в ИК-области материал является перспективным для применения в лазерных печатающих устройствах.

Формула и з о б р е т е н и я

Электрофотографический материал, состоящий из электропроводящей подложки и нанесенный на нее последовательно транспортного слоя толщиной

25-27 мкм и фотогенерирующего слоя толщиной 1-3 мкм, выполненных на основе As и Бе, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения качества материала за счет увеличения фоточувствительности в инфракрасной области спектра и снижения остаточного потенциала, транспортный и фото. генерирующий слои выполнены иэ

As St >- БЬ Бед с увеличивающейся концентрациеи Sb Se> от подложки и с ее градиентом в транспортном слое

0,3-0,5 мол, ь/мкм, а в Фотогенерирующем 2,0-2,5 мол. 3/мкм.

1534425

Материал

Остаточный потенциал, В

Величина фоточувствитсльности, отн,ед °, при Л, нм

0 400-950

3-5 "00«950

5-7 400-950

60-100 400-950

1,05 0,2

1,1 0,25

1,15 0 3

0,9 0,1

1,2

1,1

Составитель Д.Табатадзе

Редактор В.Петраш Техред Л,Сердюкова Корректор,3.Лончакова

Заказ 40 Тираж 371 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

123035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðîä, ул. Гагарина,101

Предлагаемый по примерам

2

Известный (патент фРГ

М 3210292) Спектральная область фоточувствительности нм

«»«»« »«» Ф ЮЪ