Патент ссср 153977
Иллюстрации
Реферат
М 153977
Класс Н 01l; 21g, 11pg
СССР
Г/одпасная группа М 97
Ю. Р. Носов
СПОСОВ ИЗГОтОВЛЫИЯ тОЧКЧНЫХ р-п П 1 ВХОДОВ
Заявлено 14 февраля 1962 г. за Хр 764964126-9 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете 1иниетров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений п товарнык знаков» М 8 за 1963 г.
Известен способ изготовления точечных р-а переходов, основанный на электроформовке контакта, состоящего из пластины полупроводникового материала п типа (или р типа) и м таллической 1ггль;, конец которой содержит акцепторные (г1ли донорные) примеси. При таком способе затруднено получение р-и переходов на пластинах полупроводникового материала малой толщины.
Предлагается способ создания р-и переходов на пластинах полупроводникового материала толщиной порядка 50 и. путем предварптсль ного окисления поверхности полупроводника л1обым пзвсстным спссобом.
Приведена электрическая схема, поясняющая этот способ.
Формовку окисленной полупроводниковой, например кремниевой пластины 1, осуществляют положительным импульсом, подавая напря кение порядка 200 в. В начальной стадии импульса по цепи течет малый ток, так как окись кремния является изолятором, и в месте конт акта острия с окисленной поверхностью имеется большое сопротивление. В результате все напряжение импульса прикладывается практически к месту контакта, где и выделяется вся мощность. Вследствие этого полупроводниковая пластина разогревается еще до начала KOii такта иглы с ее поверхностью, Под влиянием разогрева и высокого напряжения пленка окиси разрушаегся, в образовавшуюся щель вплавляется акцепторная примесь, например алюминий. При этом сопротпв ление контакта игла — кремний резко падает и ббльшая часть мощности импульса падает на сопротивление 2, не приводя к черезмерному перегреву кристалла и р-и перехода.
¹ 153977
Полученная подобным способом окисная пленка на поверхности полупроводниковой пластины хорошо защищает образовавшийся р-и гереход, она стабильна во времени и при повышенных температурах.
Предмет изобретения
Способ изготовления точечных р-и переходов путем электроформовки положительными импульсами напряжения контакта, состоящего из пластины полупроводникового материала и типа (или р типа) и металлической иглы, конец которой содержит акцепторные (или донорные) примеси, отличающийся тем, что, с целью создания р-и переходов на пластинах полупроводникового материала толщиной порядка 50 и„ поверхность полупроводниковой пластины предварительно окисляют любым известным способом.
Редактор В. Корзун
Текред А. А. Камышникова k,0ððåêòoð Б. Венгерова
Подп, к печ, 24/VI — 63 г. Формат бум. 70 X 108 /io Объем 0,18 изд. л.
Зак. 1580/16 Тираж 1200 Цена 4 коп.
ЦНИИЛЯ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серсва, д. 4.
Типография, пр. Сапунова, 2.