Способ обращения к энергонезависимому запоминающему устройству на основе мдп-транзисторов

Способ обращения к энергонезависимому запоминающему устройству на основе мдп-транзисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания. Целью изобретения является повышение надежности и увеличение времени хранения информации. Это достигается тем, что при считывании информации формируют опорное напряжение считывания, отличающееся от минимального (максимального) значения порогового напряжения запоминающих транзисторов на минимальную величину. Тем самым автоматически компенсируется сдвиг межпороговой зоны запоминающих МДП - транзисторов в зависимости от технологии в процессе эксплуатации.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (51)5 С 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Пример. Для выбранного накопителя определяют величину разброса пороговых напряжений МДП-транзисторов в состоянии "1", для чего записывают в достаточно большое (больше

100) число МДП-транзисторов информационную единицу и измеряют их пороговые напряжения. По полученному массиву данных, используя стандартные статистические модели, определяют величину Ч при заданной доверительной вероятности. Величины А, В, Тд и S определяют, исходя из схемотехники и топологии накопителя и схем его обрамления. Значение V выбирается равным пороговому напряжению опорного МДП-транзистора. При записи — стирании информации на затворы опорных .и выбранных запоминающих ИДП-транзисторов подают напряжение t (15-50)В.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР (21) 4247128/24-24 (22) 18. 05 ° 87 (46) 30.01.90. Бюл. h» 4 (71) Физический институт им. П.Лебеде. ва и Башкирский государственный университет им. 40-летия Октября (72) В.Н.Селезнев, P.Ã.Ñaãèòoâ и Н.И.Хцынский (53) 681.327.66(088.8) (56) Electronis Design, 1978, v. 28, Ф 7, р. 82-84.

Микроэлектроника, 1977, т. 6, вып. б, с. 491. (54) СПОСОБ ОБРАЦЕНИЯ К ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОМУ ЗАПОМИНАЮЦЕМУ УСТРОЙСТВУ НА

ОСНОВЕ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к работе запоминающих устройств с сохранением информации при отключении питания.

Целью изобретения является повышение надежности и увеличение времени хранения информации.

При считывании информации формируют опорное напряжение считывания, отличающееся от минимального (максимального) значения порогового напряжения запоминающих транзисторов на минимальную величину. Тем самым автоматически компенсируется сдвиг межпороговой эоны запоминающих 1ЩП-транзисторов в зависимости от технологии или в процессе эксплуатации. При использовании изобретения достигается также увеличение радиационной стойкости запоминающего устройства.

2 (57) Изобретение относится к вычисли-; тельной технике, в частности, к запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания.

Целью изобретения является повышение надежности и увеличение времени хранения информации. Это достигается тем, что при считывании информации формируют опорное напряжение считывания, отличающееся от минимального (максимального) значения порогового напряжения запоминающих транзисторов на минимальную величину. Тем самым автоматически компенсируется сдвиг межпороговой зоны запоминающих МДП-транзисторов в зависигюсти от технологии в про- а цессе эксплуатации.

1539840

Ч V + A(bV + "— -)

В Хо о

Составитель С. Самуцевич редактор И.рыбченко Техред А,Кравчук. Корректор М ..Кучерявая

Заказ 223 Тираж 476 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул. Гагарина,101

При считывании информации на затворы выбранных запоминающих МДП-транзисто- ров подают напряжение

Формула из о бр ет ения

Способ обрацения к энергонезависимому запоминаюцему устройству на основе МДП-транзисторов, заключающийся в том, что при записи и стирании инфор:мации на затворы МДП-транзисторов по- 15 дают напряжение, превышающее пороговые напряжения переключения МДП-транзисторов, при считывании — в сравнении порогового напряжения переключения МДП-транзисторов с опорным напря- 20 жением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности.и увеличения времени хранения информации, при записи информации на затворы части МДП-транзисторов энерго-25 независимого запоминающего устройства, используемых в качестве опорных, подают напряжение, превышающее пороговое напряжение при записи логической единицы, при считывании информации 30 на затворы информационных МДП-транзисторов воздействуют напряжением U оп.ределяемьж выражением

= Uo + А(М+В? о S) э где U — пороговое напряжение опорного МДП-транзистора;

Ео — токовая чувствительность усилителей считывания, S — крутизна информационных МДПтранзисторов в линейной области, А = 1, если пороговое напряжение соответствующее логической единице, меньше порогового напряжения, соответствующего логическому нулю, А = -1, если выполняется обратное соотношение, В = 1, если проводимость канала

МДП-транзистора, соответствующая логической единице, больше проводимости канала МДПтранзистора, соответствующей логическому нулю, В = -1, если выполняется обратное соотношение, U — величина разброса по запоминающему устройству порогового напряжения, соответствующего логической единице, а перед стиранием информации на затворы информационных МДП-транзисторов подают напряжение, превышающее пороговое напряжение при записи логической единицы.