Магнитная муфта

Магнитная муфта

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в передачах механической энергии с помощью магнитного поля в объемы с повышенной герметичностью. Цель изобретения - увеличение передаваемого момента. Наружная полумуфта 1 с магнитами 3, 4 через немагнитный экран 9 взаимодействует с внутренней полумуфтой 6 с магнитами 8. Увеличение момента, передаваемого муфтой, обеспечивается оптимальным размещением магнитов в слоях в полумуфтах, путем выполнения одинаковой угловой протяженности основания магнитов меньшей ширины в обоих полумуфтах. 1 ил.

СО!ОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (!9) (11! (51)5 Н 02 К 49/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (54) МАГНИТНАЯ МУФТА

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4467784/24-07 (22) 14.06.88 (46) 30.01.90. Бюл. !! 4 (7t) Ленинградская лесотехническая академия им. С,.М.Кирова (72) Г.П.Ильин, В.М.Мусатов и В.Е.Соколов (53) 621.3 13 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 584403, кл. Н 02 К 49/00, 1976, (57) Изобретение относится к области машиностроения и может быть исполь2 зовано в передачах механической энергии с помощью магнитного поля в объемы с повышенной герметичностью. Целью изобретения — увеличение передаваемого момента ° Наружная полумуфта

1 с магнитами 3,4 через немагнитный экран 9 взаимодействует с внутренней полумуфтой 6 с магнитами 8. Увеличение момента, передаваемого муфтой, обеспечивается оптимальным размещением магнитов в слоях в полумуфтах путем выполнения одинаковой угловой протяженности основания магнитов меньшей ширины в обоих полумуфтах.

1 ил.

1539917

Такое расположение магнитов в двухслойных муфтах позволяет существенно увеличить передаваемый момент муфты и повысить ее статическую и динамическую устойчивость за счет создания в рабочем зазоре кривой распределения магнитного поля с явно выраженным эксиремумом, т.е, с преобладанием первой гармоники.

Формула из о бр е те ния

Составитель A,Òðåïóòíåâà

Техред М,Ходанич

Редактор A.Îãàð

Корректор M,Кучерявая

Заказ 227

Тираж 438

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета.по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская íàб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðoä, уд. Гагарина, 101

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано в передачах механической энергии с помощью магнитного поля в объемы в по5 вышенной герметичностью.

Цель изобретения — увеличение передаваемого момента.

На чертеже изображено расположение магнитов на полумуфтах. 10

Наружная (обычно ведущая) полумуфта 1 содержит магнитопровод 2 и за) крепленные на нем постоянные анизотропные магниты 3 и 4, установленные концентрично в два слоя, Магниты 4 меньшей ширины приклеены к магнитам

3, между ними расположена демпферная клетка 5 ° Внутренняя (ведомая) полумуфта 6 содержит магнитопровод 7 и закрепленные на нем пластинчатые ани- 20 зотропные магниты 8. Полумуфты отделены немагнитным экраном 9. Угловая протяженность оснований магнитов 4 и

8 выполнена равной. Расстояние между основаниями MBFHHTcB 4 и 8 выполнено 25 в пределах 0,2-0,3ь, где — полюсное деление.

При вращении наружной полумуфты 1 с закрепленными на ней разнополюсными магнитами 3 и 4 и демпферной клет- 30 кой 5 за счет магнитных связей, передаваемых через немагнитный экран 9, ! синхронно с наружной йолумуфтой 1 вращается внутренняя полумуфта 6 с расположенными на ней магнитами 8

35, имеющими также разноименную полярность по окружности. Таким образом, вращающий момент передается во внутреннюю полость экрана.

Магнитная муфта, содержащая ведущую и ведомую полумуфты с магнитопроводами и постоянными аниэотропными магHHTBMII чередующейся полярности, разделенные немагнитным экраном, на ведущей полумуфте постоянные магниты установлены концентрично в два слоя друг на друге и выполнены разной ширины для каждого слоя, в одном слое между магнитами размещены стержни демпферной клетки, а в другом магниты прилегают торцами друг к другу, на ведомой полумуфте магниты закреплены основаниями на магнитопроводе, отличающаяся тем, что, с целью увеличения передаваемого момента, магниты большей ширины закреплены основаниями на магнитопроводе, угловые протяженности оснований магнитов меньшей ширины на ведущей и ведомой полумуфтах выполнены одинаковыми, расстояние между основаниями магнитов разноименной полярности на обеих полумуфтах выполнено в пределах от 0,2 до 0,3, где С вЂ” полюсное деление.