Преобразователь уровней

Преобразователь уровней

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для согласования уровней логических сигналов МДП-транзисторной P-канальной логики со схемами на биполярных транзисторах. Целью изобретения является расширение области применения преобразователя. Введение двух дополнительных МДП-транзисторов 3 и 4 с индуцированным P-каналом, двух диодов 7 и 8 и конденсатора 6 позволяет получить на выходе преобразователя двухполярное напряжение /при одном источнике питания/, что дает возможность осуществить согласование с различными схемами на биполярных транзисторах. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

Л0„„1539991

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ по изОБРетениям и ОтнРытиям

ПРИ fHHT СССР (21) 4430777/24-21 (гг) 30.0 88 (46) 30.01.90. Бюл. и 4

{71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (72) Д.В.Игумнов, И.С.Громов и С.В.Костюнин (53) 621.374 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР и 327610, кл. Н 03 К 19!00, 1972.

Мкртчян С.О. Преобразователи уровней логических элементов. — М.: Радио и связь, 1982, с. 42, рис.32. (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЙ (57) Изобретение относится к импульс(Ь1) 5 Н "3 K 19/0175 19/094

2 ной технике и может быть использовано для согласования уровней логических ,сигналов МДП-транзисторной р-канальной логики со схемами на биполярных транзисторах. Целью изобретения является расширение области применения преобразователя. Введение двух дополнительных МДП-транзисторов 3 и 4 с индуцированным р-каналом, двух диодов

7 и 8 и конденсатора 6 позволяет получить на выходе преобразователя двухполярное напряжение (при одном источнике питания), что дает возможность осуществить согласование с различными схемами на биполярных транзисторах. 1 ил.

3 1639991 4

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для согласования уровней логических сигна- лов МДП-транзисторной р-канальной

5 логики (р-МДПТЛ) со схемами на биполярных транзисторах (например, ТТЛ).

Целью изобретения является расши- рение области применения преобразова" теля за счет получения на выходе двух- р полярного напряжения (при одном источнике питания).

На чертеже представлена электрическая схема преобразователя уровней.

Преобразователь уровней содержит первый ИДП-транзистор 3 с р-каналом, второй 2, третий 3 и четвертый 4 МДПтранзисторы с индуцированным р-канаhoM, резистор 5, конденсатор 6 и первый 7 и второй 8 диоды.

МДП-транзистор 1 может иметь как индуцированный, так и встроенный канал. Входная клемма устройства подключена к затвору ИДП-транзистора 1, ис«ок которого подключен к общей шине, 25 катодам диодов 7 и 8 и одному выводу резистора 5, другой вывод которого подключен к истоку МДП-транзистора Й, первому выводу конденсатора 6 и выходной клемме. Второй вывод конденсатора 6 подключен к стоку МДП«ранзистора 1, истоку ИДП-транзистора аноду диода 7, затвору ИДП-транэитора ч, сток которого подключен к лемме источника питания, стоку МДП.«ранзистора 3, стоку и затвору МДП«ранзистора 2, исток которого подключен к затвору МДП-транзистора 3 и аноду диода 8. Подложки МДП-транзисторов l, 2, 3 и 4 могут быть соедине- 40 ны со своими истоками или же с общей шиной устройства (заземлены).

Поскольку к стоку и затвору МДПтранзистора 2 приложено напряжение то напряжение на его истоке будет равно Е„-VÎ.

Аналогичным образом .получается, что при закрытом ИДП-транзисторе 1 напряжение на истоке МДП-,транзистора

3 равно Е„-27,, а на истоке МДП-транзистора 4 (выходной клемме) имеет место (отрицательное) напряжение ло" гической единицы V»Ä E„ --3V . Таким образом, величина V „ определяется параметрами МДП-транзисторов (и их количеством). Поскольку при этом раз55 ница в напряжениях на выводах конденсатора 6 примерно равна Vo то до этого напряжения он и заряжается.

При открытом МДП-транзисторе между выходной клеммой и общей шиной появляется напряжение логического о нуля V »„ = V, (" плюс" на выходной клемме), т.е. напряжение заряженного конденсатора 6. Резистор 5 является нагрузочным сопротивлением преобразователя и для ряда практических случаев его можно устранить.

Таким образом, на выходе устройства имеет место двухполярное напряжение, величина которого (как положительная, так и отрицательная) может быть практически любой, поскольку она определяется значением Ч, . В зависимости от конкретных технических требований количество транзисторов в сборке, включенной в цепи стока ИДПтранзистора 1, может быть увеличено или уменьшено для получения заданных выходных сигналов при постоянном значении Ч, ДИОды необхОдимы для защиты затворов ИДП-транзисторов от напряже-. ний е

Таким образом, применение изобретения позволяет осуществлять согласование с различными схемами на биполярных транзисторах и в результате повысить их помехозащищенность и термостабильность, ;Формула изобретения

Преобразователь уровней, содержа-.; щий первый и второй МДП-транзисторы с р-каналом и резистор, один вывод которого подключен к выходной клемме, затвор первого ИДП-транзистора подключен к входной клемме, а исток - к общей шине, затвор и сток второго

ИДП-транзистора подключены к клемме источника питания, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения области применения за счет получения на выходе двухполярного напряжения при наличии однополярного источника питания, в него введено два дополнительных ИДП-транзистора с индуцированным р-каналом, два диода и конденсатор, один вывод которого подключен к стоку первого ИДП-транзистора, истоку первого дополнительного

ИДП-транзистора, аноду первого диода и затвору второго дополнительного

ИДП"транзистора, исток которого подключен к второму выводу конденсатора и выходной клемма, исток второго МДПтранзистора подключен к аноду второго диода и затвору первого дополнитель5 1539991 6 ного МДП транзистора, сток которого точника питания, второи вывод реэис подключен к стоку второго дополни-: --. тора подключен к катодам обоих диодов тельного ИДП-транзистора и клемме ис» и общей шине.

Ъ

Составитель А.Цехановский

Редактор Л.Веселовская Техред Л.Олийнык - Корректор .Т.Палий Заказ 230 Тираж 649, - Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул.Гагарина, 101