Способ изготовления шаблона микрополоскового фильтра

Способ изготовления шаблона микрополоскового фильтра

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - упрощение изготовления шаблона фильтра, выполненного на диэлектрической подложке с диэлектрической проницаемостью ε≥9. При изготовлении макета данным способом каждый из полупроводниковых проводников (П) 1 наносят на отдельную диэлектрическую подложку 2 с ε≥9. При этом кромки 3 у П 1 удалены от краев отдельной подложки 2 на расстояние L не менее половины ее толщины. Отдельные подложки 2 размещают на общем металлическом основании 4, а настройку макета проводят при подаче на него СВЧ-сигнала путем их взаимных перемещений. Перенос топологии макета на шаблон осуществляют путем копирования размеров и положения П 1 для их изготовления на одной подложке в масштабе 1/К, где К - отношение средней заданной частоты полосы пропускания к средней частоте полосы пропускания фильтра, шаблон которого выполнен в масштабе 1:1. 1 ил.

СВОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

PECflYB JlHH

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H A ВТОРСНОМ :К СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

flO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРИТИЯМ

ПРИ П<НТ СССР

t (21) 4379826/24-09 (22) 15.02.88 (46) 07.02.90. Бюл. К 5 (71) Институт физики им.Л.В.Киренского и Конструкторское бюро Производственного объединения "Искра" (72) Б.А.Беляев, В.В.Тюрнев, А.К.Елисеев к Г.N.Ðàãçèí (53) 621.372.8 (088.0) (56) Заикин В.А., Рекшинский В.А.

Подстройка частоты узкополосных микрополосковых фильтров изменением конфигурации резонаторов. Электронная техника, Сер. 1. Электроника СВЧ, 1984, вып. 9, с. 14-17.

Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств. /

Под ред. В.И.Вольмана. Радио и связь, 1982, с. 264-268.

„„Я0„„1541 1 A1 (51)5 Н О1 Р li1/00

2 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШАБЛОНА

МИКРОПОЛОСКОВОГО ФИЛЬТРА (57) Изобретение относится к технике

СВЧ. Цель изобретения - упрощение изготовления шаблона фильтра, выполненного на диэлектрической подложке с диэлектрической проницаемостью Е 9.

При изготовлении макета данным способом каждый из полупроводниковых проводников (П) 1 наносят на отдельную диэлектрическую подложку 2 с Е Р 9.

При этом кромки 3 у П 1 удалены от краев отдельной подложки 2 на расстояние 1 не менее половины ее толщины.

Отдельные подложки 2 размещают на общем металлическом основании 4, à íà- с стройку макета проводят при подаче на него СВЧ-сигнала путем их взаимных перемещений. Перенос топологии маке I 541691 та на шаблон осуществляют путем копирования размеров и положения П 1 для их изготовления на одной подложке в масштабе 1/К, где К - отношение

4 средней заданной частоты полосы пропускания к средней частоте полосы пропускания фильтра, шаблон которого выполнен в масштабе 1:1. 1 ил.

Изобретение относится к технике

СрЧ и может быть использовано при разработке миниатюрных частотно-селективных устройств.

Целью изобретения является упрощение изготовления шаблона фильтра, вь полненного на диэлектрической подложке с диэлектрической -роницаемостью не менее 9.

На чертеже показан макет микрополоскового фильтра (решетчатого), изготовленный согласно предложенному способу.

Способ изготовления шаблона микрополоскового фильтра, содержащего полуволновые проводники 1, заключается в том, что при изготовлении макета 25 каждый из них наносят на отдельную диэлектрическую подложку 2, имеющую ту же диэлектрическую проницаемость (Я âi 9), что и проницаемость диэлектрической подложки, причем кромки 3 полуволнового проводника 1 удалены от краев отдельной диэлектрической

Подложки 2 на расстояние 1 не менее г1оловины ее толщины, отдельные диэлектрические подложки 2 размещают

«1а общем металлическом основании 4, настройку макета проводят при подаЧе на него СВЧ-сигнала утем их взаимных перемещений. Перенос топо 1огии макета на шаблон осуществляют путем копирования размеров и положения полуволновых проводников 1 для их изготовления на одной .диэлектрической подложке в масштабе 1/К, где

К " отношение средней заданной частоты полосы пропускания к средней частоте полосы пропускания микрополоскового фильтра, шаблон которого выполнен в масштабе 1:1. !

Способ осуществляют следующим образом.

Отдельные диэлектрические подложки выполняют, например, из керамики

TBNC которая имеет ту же толщину, что и диэлектричекая подложка буду" щего микрополоскового фильтра. Каждую отдельную диэлектрическую подпожку 2 металлизируют с двух сторон, а на одной стороне изготавливают полуволновой,проводник 1.

Диэлектрическая проницаемость отдельной диэлектрической подложки 2, равная диэлектрической проницаемости диэлектрической подложки микрополоскового фильтра, выбирается не менее

9 для того, чтобы электрической связью между полуволновыми проводниками 1 можно было бы пренебречь в сравнении с магнитной связью„ 8 этом случае отсутствие диэлектрика в макете микрополоскового фильтра между отдельными диэлектрическими подложками

2 (при условии, что 1 не менее половины толщины отдельной диэлектрической подложки) не сказывается на параметрах микрополоскового фильтра, что повышает точность настройки.

Для того, чтобы обеспечить макетирование микрополоскового фильтра на заданную частоту, при изготовлении шаблона следует учесть различие в требуемой средней частоте полосы пропускания и полученной на макете микрополоскового фильтра в ниде масштабного множителя K. Упрощение изготовления шаблона микрополоскового фильтра достигается благодаря возможности вести настройку путем взаимных перемещений отдельных диэлектрических подложек 2 на металлическом основании и с их последующей фиксацией.

Формула изобретения

Способ изготовления шаблона микрополоскового фильтра, включающий изго" товление макета, его настройку и перенос топологии макета на шаблон, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления шаблона микрополоскового фильтра, выполненного на диэлектрической подложке с диэлектрической проницаемостью не менее 9, каждый полуволнсвой проводник наносят на отдельную диэлектрическую подложку на расстсянии от ее краев до кромок полуволнсвого проводника не менее половины ее толщины, 1541691

Составитель В.Алыбин

Техред Л.Сердюкова

Редактор А.Шандор

Корректор М.Самборская

Заказ 285 Тираж 439 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул.Гагарина, 101 отдельные диэлектрические подложки размещают на общем металлическом основании, настройку макета проводят при подаче на него СВЧ-сигнала путем взаимных перемещений отдельных диэлектрических подложек, а перенос топологии макета на шаблон осуществляют путем копирования размеров и положения полуволновых проводников в масштабе 1/К, где К - отношение средней заданной частоты полосы кропускания к средней частоте полосы пропускания микрополоскового фильтра, IN6 лон которого выполнен в масштабе 1:1.