Многослойное интерференционное покрытие для ламп накаливания

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для получения многослойных интерференционных покрытий на колбах источников света и на деталях оптических приборов. Целью изобретения является повышение стабильности и воспроизводимости оптических характеристик многослойных интерференционнных покрытий. Покрытие состоит из чередующихся слоев оксида кремния и одного из стехиометрических оксидных соединений составов BA LN<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">4</SB>

BA<SB POS="POST">3</SB>LN<SB POS="POST">4</SB>O<SB POS="POST">9</SB>

SRLN<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">4</SB>

(BA, SR) LN<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">4</SB>

(BA, SR) LN<SB POS="POST">4</SB>O<SB POS="POST">9</SB>, где LN - лантаноид. Изменяя в покрытии количество слоев и их оптическую толщину, можно получить любой вид спектральной характеристики пропускания покрытия. Процесс плавления и испарения этих веществ при напылении их на колбу лампы протекает без их разложения. Это обеспечивает стабильность химического состава пленочного покрытия и высокую воспроизводимость его оптических характеристик при отклонении в режимах напыления. 2 ил, 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБ

Н A ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТ (21) 4379456/24-07 (22) 04..01 .88 (46) 15.02.90. Бюл. Р 6 (71) Всесоюзный научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт источников света им. А.Н.Лодыгина (72) А.С.Иванцев, В.Б.Грицкевич, Т.M.Çoðèíà и Н.М.Улькин (53) 621.3.032(088.8) (56) Александров Л.Н., Иванцев А.С.

Многослойные пленочные структуры для источников света, Новосибирск:

Наука, 1981.

Авторское свидетельство СССР

N - 885952, кл, G 02 В 5/28, 1979 ° (54) МНОГОСЛОЙНОЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЕ

ПОКРЫТИЕ ДЛЧ JIAMII НАКАЛИВАНИЯ (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для получения многослойных интерференционных покрытий на колбах источников света и на деталях оптических

Изобретение относится к электротехнике и может быть испол1.зовано для получения многослойных интерференционных покрытий на колбах источников света и на деталях оптических приборов.

Целью изобретения является повышение стабильности и воспроизводимости оптических характеристик многослойных интерференционных покрытий.

На фиг.1 приведены спектральные зависимости коэффициентов пропускания трехслойных интерференционных покрытий типов, BagYbpOg SiO - BagYb40g

„„Я0„„1543476 А 1 (5!)5 01 К I 32 G 02 В 5/28

2 приборов. Целью изобретения является повыщение стабильности и воспроизводимости оптических характеристик многослойных интерференционных покрытий. Покрытие состоит из чередующихся слоев оксида кремния и одного из стехиометрических оксидных соединений составов Вагап О,; Ваз1n40g>

$г Ln<04, (Ba, Бг)?л О„; (Ba, Sr)Ln

Пример 1. Трехслойное интерференционное покрытие

ВазУЬ40з — SiO<- ВазУЬ40э

Синтез соединения. Иэ смеси 100 мл

0,3-молярного раствора хлорида бария (0,03М, 3,81 г) и 50 мл

1 543476

0,2

Измеряемый параметр

Среднее значение параметра для ламп беэ покры" тия с покрытием

12

8,3

12

8,0

99,7

27,1

3150

96

29,?

3280!

0,8-молярного раствора хлорида иттербия (0,02M, 11, 18 r) производит ся осаждение в виде карбонатов (в качестве осадителя используется карбонат аммония). Термообработка высушенного осадка производится при 1200 С в течение 1 ч. Материал для электронно-лучего распыления приготавливается прессованием таблеток под давлени- 10 ем 150 кгс/см и спеканием в вакууме при 1800 С в течение 1 ч.

Режим электронно"лучего напыления на установке УРМ3.279.04? (! длЯ длн 15

ВазУЬ40з SiOg

Ток эмиссии»

А 0,3

Ток электронного луча, 20 мА 60

Напряжение на ускоряющем электроде,кВ )2 8

Давление в ка- 25 мере напыления, мм рт.ст. 10 5 ° 10

Температура подложек, С 250 250

Пример 2. Трехслойное интер- 30

Ференционное покрытие

Вапуа04 — Sio Ваоут04

Синтез соединения. Из смеси 100 мл

0,3-молярного раствора хлорида бария (О,ОЗМ, 3,81 r) и 67 мл 0,9-моляр- 35 ного раствора хлорида диспрозия (О,ОЗМ, 8,07 r) производится осаждение B виде карбонатов. После отде.ления и высушивания следует термообработка при 1200 С в течение 1 ч. 10

Материап для электронно-лучевого распыления приготавливается прессованием таблеток под давлением 150 кгс/см и спеканием в вакууме при 1?00 С в течение 1 ч. М

Напряжение на лампе, В

Ток через лампу, А

Потребляемая мощность, Вт

Световой поток, лм

Световая отдача, лм/Вт

Цветовая температура, К

Таким путем можно получить и напылить на подложку оксидные соединения составов BaLn<04, Ва 1.п„,Оэ, SrLn 04, (Ва, $г)Еп 04, (Ва, Вг)э Ln40g» где

Ln — лантаноид.

Изменением оп тич ес к ой толщины и числа слоев в покрытии можно получить практически любой вид спектральной характеристики .пропускания, в .том числе и такой, когда отражается значительная доля ИК-.излучения.

По технологии, описанной в примерах, трехслойные покрытия были нанесены на лампы типа КГМН 12-100-3, спектральное распределение мощности излучения которых приведено на Фиг.2.

Электрические и световые характеристики ламп с покрытием и без него приведены в таблице.

Укаэанные химические соединения характеризуются тем, что процесс их плавления и испарения при нанесении на колбу лампы протекает без разложения, что обеспечивает стабильность химического состава пленочного покрытия и высокую воспроиэводимость его оптических характеристик при отклонениях в режимах напыления, формула изобретения

Многослойное интерференционное покрытие для ламп накаливания, состоящее иэ чередующихся олоев оксида кремния и материала с высоким показателем преломления, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, что, с целью повышения стабильности и воспроизводимости оптических характеристик, в качестве материала с высоким показателем преломления использовано одно из стехио.метрических оксидных соединений сос, тавов BaLn 04, Ba>Ln+0> » SrLn 04; (Ва, Sr) Ln<04, (Ва, Sr) Ln40, где

Ln — лант ананд.

1S4347e

ЛИ Ь80 590 009 7И ВЯ УОР 1000 иг7

4О ИЮ В06 1090 1266 ФМ ОМ И90 И06 2206

Фиг. я

Составитель Н.Семенов

Техред JI.Cåðäþêîâà Корректор Т.Малец

Редактор Л .Веселовская

Тиран 339

Заказ 404

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям н открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Рауаская наб., д..4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. У кгород, ул. Гагарина, 101