Способ получения высокотемпературных керамических сверхпроводников

Способ получения высокотемпературных керамических сверхпроводников

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технологии высокотемпературных сверхпроводящих керамик и может быть использовано в энергетике, электротехнической , радиоэлектронной промышленностях, в частности при создании переключателей, токонесущих элементов и других устройств. Для обеспечения ориентировки поликристаллов и увеличения критической плотности тока в продольном направлении порошков, состоящий из монокристаллических пластинчатых частиц, засыпали в емкость (матрицу пресс-формы) при температуре ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном воздействии однородного постоянного магнитного поля напряженностью от 1 до 10 кЭ, в этих условиях проводили предварительное прессование при удельном давлении от 5 до 20 МПа, затем образец окончательно прессовали при комнатной температуре и термообрабатывали. Критическая плотность тока при 77 К для массивного образца YBa Си О в продольном и поперечном на2 3 7-Х правлениях составила 20 и 12 А/см соответственно максимальная кажущаяся плотность 5/5 г/см3 4 ил.

(as) Я2 пц 1547241 А1 (51) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) .ф-Я

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2t) 4436711/33 (22) 07.06.В8 (46) 30.11.93 Бюл. Naa 43-44 (71) Обнинский институт атомной энергетики; MlY им.M.ÂËîìîíîñîâà (72) Волков АЮ„Кривошеин АА; Пелевин АВ. Шабатин В.П.; Мощалков В.В.; Третьяков ЮД (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАTYPHblX КЕРАМИЧЕСКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ (57) Изобретение относится к технологии высокотемпературных сверхпроводящих керамик и может быть использовано в энергетике, электротехнической, радиоэлектронной промышленностях в частности при создании переключателей, токонесущих элементов и других устройств. Для обеспечения ориентировки поликристаллов и увеличения критической плотности тока в продольном направлении порошков,. состоящий из монокристаллических пластинчатых частиц, засыпали в емкость (матрицу пресс-формы) при температуре ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном воздействии однородного постоянного магнитного поля напряженностью от 1 до 10 кЭ, в этих условиях проводили предварительное прессование при удельном давлении от 5 до 20 МПа, затем образец окончательно прессовали при комнатной температуре и термообрабатывапи. Критическая плотность тока при 77 К для массивного образца YBa Cu О в продольном и поперечном на2 Э -X правлениях составила 20 и 12 А/см соответствен2 но максимальная кажущаяся плотность

5/5г/см. 4ил.

4 1241

О i«

Изобретение GTHocN

Высокотемпературных <.-06р. <г рсвсдя . их керамик и может быть использовано в энергетике, -n8KTpoj6KHNt!6cyoA, радисзлектрОннОй промышленност

Цель изобретения — увеличение крити 16cKQA f1JloTHocTN тс

Порошок сверхпосвсдя =-"«î ссстаbB

УВа2СизО7-х, пгредставленный г<ластинчзтыми моно(<ристаллами «О + 0 ъ «.,,iKÄ < « ",; i- 6.. зиру10т методом тьердсфазн.i ; реа .<Цйи 1з 4

СМВСИ ИСХОДНЫХ OKCNPОВ <, 0.1СЛ..-;ЦУЮШИ ;, размслом г Олу Ieнного "-è. 6::::=- :.:-"I!"-. ;и 1,.

ПОЕСС-фОрМЫ 1 ВЫПОЛИ.=:НН.,:. «=: --"мя;-;- ::;-:— ного материала <титан) ..:::":,:-::- а;:-;:т В к.-;:иостат с жидким взстсм, в ко.;::;рс:-- -- ".;О.-:.Да О-;

Однсрсдное постОяннсе . !Вг:": i- :06 <;О."6 (при пОмощи Оксиднс бариевы псстсяннь!: магнитов) напряжен!-3ость;О От 1 дс 10 к": I 8 различнь!х Опытахл Псрсшс.: све зхпс03«<-.. . я" щеГО состава 4 засып&«ст В АР рицу рави:.. .. мерно по площади дна, и, ОГР, :. .аясь на <нс

-;«"BTpèöI, сн образует слой. Частицы порошка 5 при переходе в сверхпроводящее состоЯние, благo+BpA воздействию однородного магнитного поля, ориентируются одинаковым образом из условия минимального проникновения в них магнитного поля (плоскость Bb параллельна силовым линиям (C), Пуансон 2 охлаждают до 77 К, вдвигают в матрицу и стягивают их болтами через отверстия для болтового соединения в плечиках 3), достигая закрепления ориентации юстиц в процессе предварительного прессования при удельном давлении от 5 до 20

МПа и времени выдержки под давлением от 20 до 300 с. Получают призматические образцы размерами от (2 X 2X 30 мм) до ,10. <10;<20 мм), которые извлекают из раэ;=.:-р ой матрицы пресс-формы при комнат-:

HQ! температуре и проводят окончательное прессование при атой температуре давлением 500 МПа при времени выдержки под давлением 60 ч, Спекание образцов проводят при температуре 925-960 С в течение

3 5 ч с последующим охлаждением в токе кислорода со скоростью 2-10 С/мин.

Полученные псликристаллические образцы Nl! 8 От кажущуюся плотность от 4,0 до

",5 г/см и ориентированную структуру, что

N IzIQcToI« IpyIQT фиГ.3 и фиГ,4, представляю щие заьисимости сопротивления от темперВТ /ры. полученные по 4-х зондОВОму

М6ТОДУ, Глагодаря ориентированной структуре псликристалла (массивного образца) удаетя существенно повысить критическую и!oTHQсть тока в 8! Q продольном направлении (Г „-т7х =- 20 А/см ) "Io сравнению с попе2 речным направлением (I ттх = 12 А/см ), Б г то же время, керамика, полученная по способу-п Остотипу, не обладает ориентированНсй С-«ОУ! т <осй N g СИЛУ критическая плотно(-ть тока (при аналогичнь,х технологич-,еских пасаметpBK) заВедсмс

"-, Дет ни ке Велич Hbf 20 А/cM ;55; Ваха с"" -c H.г<., 3ибос в И П. и

В Р,: =: 6 О =-", П O 0 В Q P Я Ш а A K 6 Р а Ii«i И К B ". .-х :":х Ба2 «uçOб+Д . -- Проблемы

=".Ы".ОКОТ6МП8 "ЗТУРНОЙ OPQBОДИМО ,:; и,. ":.987, Свердловск, ч.1, с.12— <, < р1 Р:1 - в -" 198 51 М 23 р 1954—

«; = .)<«, Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХХ КЕ РАМИЧ Е СКИХ СВ Е РХПРОВОДНИКОВ, включающий засыпку порошка сверхпроводящего состава в емкость, воздействие на него постоянным магнитным полем при температуре ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние, извлечение порошка из емкости, прессование и термообработку, отличающийся тем, что, с целью обеспечения ориентации поликристаллов и увеличения критической плотности тока в продольном направлении, используют порошок из монокристаллических частиц, засыпку производят при температуре ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние . при одновременном воздействии однородного постоянного магнитного поля и пол g ученную ориентацию частиц закрепляют предварительной подпрессовкой.

1547241

250

200

150

Ю0

0000 000б 0009

0,002 а, 250

f50

100 с

Фч а

Ф

Составитель Д.Иванов

Техред Ы.Моргентал Корректор E. Пап„

Редактор М.ленина

Заказ 3336

Тираж Подписное

НПО "Поиск" Роспатента

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101