Патент ссср 154958

Патент ссср 154958

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 154958

Класс Н Oig; 21g, 10, H 03k; 21с, 45вт

Подписная группа ¹ 97

В. А, Торубаров, Б. С. Безпрозванный, В. С. Андреев и К. С. Тарасова

СПОСОБ КОНСТРУИРОВАНИЯ ЕМКОСТНЫХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДАТЧИКОВ И3 ДИЭЛЕКТРИКОВ С ВЫСОКОЙ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЫО

Заявлено 30 июля 1962 г. за № 788996726-24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» № 11 за 1963 г.

Известны способы конструирования емкостных высокочастотных датчиков с использованием диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью позволяют добиться высокой электрической емкости между электродами и исследуемым объектом, и значительно повысить чувствительность датчиков по сравнению с обычно используемыми емкостными датчиками из материалов с низкой диэлектрической проницаемостью. Однако емкостные высокочастотные датчики, выполнечные из диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, недостаточно эффективны, так как весьма большая часть силовых линий электрического поля замыкается по такому диэлектрику, минуя исследуемый объект.

Для увеличения чувствительности датчиков предлагается в слой диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью вводить прослойку из диэлектрика с низкой диэлектрической проницаемостью.

Датчики любого вида (сосуды, зонды) выполняются из диэлектрических материалов двух типов:

1) диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью (например, титанат бария);

2) диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью (например, винипласт, фторопласт, эпоксидная смола).

Диэлектрик с .низкой диэлектрической проводимостью вводится для того, чтобы силовые линии высокочастотного электрического поля

ЛЬ 154958 не замыкались по диэлектрической прослойке между электродами и обьектом, а сосредоточивались почти полностью в исследуемой среде.

Указанный способ позволяет обеспечить максимальную чувствительность емкостного высокочастотного датчика.

Предмет изобретения

Способ конструирования емкостных высокочастотных датчиков из диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, о т л и ч а юш и и с я тем, что, с целью увеличения чувствительности датчиков, в слой диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью вводят прослойку из диэлектрика с низкой диэлектрической проницаемостью.

Редактор Л. М. Шипулина Техред T. П. Курилко Корректор И. А. Шпынева

Подп. к печ. 6/VII — 63 г. Формат бум. 70х, 108 /ц Объем 0,18 изд, л.

Зак. 1706/14 Тираж 1226 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4.

Типография, пр. Сапунова, 2.