Патент ссср 155095

Патент ссср 155095

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИ д ОЦРЕтЕ И

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Класс 57а, 5„

МПК G 03с

Хо 155095

ГОСУДАРСТВЕННЫИ

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

:13ОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ

СССР

Заявлено 13.IX.1961 (744601/ 6) Опубликовано 20.VII.1963, Бюллетень № 11

УДК

Подписная группа J8 285

К. А. Рамазанов

СПОСОБ ОБРАЩЕННОГО ПРОЯВЛЕНИЯ

Способы обращенного проявления, например в электрофотографии, известны. Однако при таких способах .не получают обращенного (негативного) изображения в инфракрасHb)x лучах.

Предлагается способ фотографирования в инфракрасных лучах, при котором предварительно облученный ультрафиолетовыми лучами экран из фосфора помещают на заряженный слой полупроводника и экспонируют облучением инфракрасными лучами.

Способ обращенного проявления заключается в том, что на прозрачную, например стеклянную, подложку,напыляют фосфор тушения. Полученный экран облучают ультрафиолетовыми лучами, в результате чего фосфор начинает светиться, создавая освещенность на поверхности светочувствительного слоя 20 лк. После этого на экран накладывают негативное изображение и экспонируют облучением инфракрасными лучами посредством мощной лампы накаливания со специальным светофильтром. В результате облучения инфракрасными лучами под темными местами негатива фосфор продолжает светиться, а под светлыми — свечение его прекращается. После контактного взаимодействия экспонированнш о фосфора с электрографическим слоем полупроводника, например селена или окиси цинка, и обычного процесса проявления получается позитивное изображение. Описываемый способ повышает чувствительность электрофотографпй к инфракрасному излучению, позволяет упростить конструкцию соответствующих машин и технологию, дает экономию материалов.

Предмет изобретения

Способ обращенного проявления, отличаю шийся тем, что, с целью получения возможности фогографирования в инфракрасных лучах, предварительно облученный ультрафиолетовыми лучами экран из фосфора помещают на заряженньш слой полупроводника и экспонируют облучением инфракрасными лучами.