Патент ссср 155198
Иллюстрации
Реферат
Класс 6 О1г; 21а, 71
Н 01/; 21g, 110=.
¹ I55I98
СССР
". 4
ВМ ::ЖВЗИ v
l,ът .. ЖИ1ЧВСЙАМ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подппгнпл грцппп М 89
В. П. Фет!!ер
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ )КИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ
НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ
Заявлено 4 ннрсля 1962 г. аа ¹ 772266/26-9 в Комит»т но делам изобрстсний и открытий при Совете Министров (Х!..Р
Оиу!гликовано в «Бюллетен» нвовретений и товарных анаконъ ¹ !2 за !963 г.
Известный способ измерения времени жизни неравновесных носите лей, основанный на определении сдвига фаз х!ежду изменением интенсивности рентгеновского или светового облучения полупроводника и значением его flpoBoëèìîñòè, сложен.
Отличительная особенность предлагаемого способа измерения времени жизни неравновесных носителей в полупроводниковом материал- в том, что определение времени жизни совмещают с определением пр«водимости полупроводникового материала посредством четырехзондовой головки. При этом используют или два потенциометрических зонда головки для инъекции неравновесных носителей при исследовании тонких полупроводниковых пластин, или два дополнительных инъектирующих зонда, располагая их в плоскости, перпендикулярной плоскости установки зондов головки при исследовании слитков. Время жизни неравновесных носителей определяют по сдвигу фаз между инъектирую-! цим напряжением и изменением проводимости полупроводникового материала. Способ дает возможность упростить процесс измерения времени жизни неравновесных носителей.
На фиг. 1 и 2 приведены схемы устройства с четырех- и шестизондовыми головками, поясняющие предлагаемый способ измерения времени жизни неравновесных носителей в полупроводниковом материале.
Предлагаемый способ основан на определении фазового сдвига между изменением величины фактора, воздействующего на проводимость и полупроводникового материала, и изменением величины этой
О г(роводимостп. Определение времени т жизни неравновесных носителей совмещают с определением (т, Для измерения т на тонких пластинах применя(отся те >ке четыре зонда 1, 2, 8 и 4 с проводящим нижним основанием 5, которые используются для измерения ((, а для измерения т на слитке неправильной формы инъектирующие зонды 6 и 7 размещаются между токовыми зондами 8, 9, 10 и 11 в плоскости, им перпендикхлярной.
В положении 12 ключа 18 схема имеет вид обычной схемы четырехзондового спосооа измерения o., в положении 14 ключа 18 между зондами 2, 8 и проводящим нижним основанием 5 приложено инъектирующее поле, промодулированное синусоидальным напряжением частоты «>. Измеряется сдвиг фазы между модулирующим напряжением и изменением проводимости, которой пропорционален сигнал иа сопротивлении 15.
При этом положение дви>кка потенциометра 16 выоирается таким, чтооы переменный сигнал, подаваемый па сопротивление 15, был минимальным, в этом случае на сопротивлении 15 не выделяется составляк)щая, пропорциональная ток через инъектирующие контакты,;I только составля(ощая, пропорциональная изменению проводимости.
В общем случае, чтобы избавиться от этой регулировки, можно ввести два дополнительных зонда 6 и 7, тогда описываемый способ будег пригоден и для измерения т на слитках, Зонды 6 и 7 располагают в плоскости, перпендикулярной плоскости четырех основных зондов 8, 9, (О и 11. В положении 17 переключателя 18 производится измерение o, а в положении 19 измеряется т, одновременно измерение (т и т невозможно, так как (т измеряется в условиях отсутствия инъекции с зондов. в том числе и инъектирующих, Сдвиг фаз измеряется устройством 20.
IIpeдмет изобретения
Способ измерения времени жизни неравновесных носителей в пол.:проводниковом материале, основанный на определении фазового сдвига между изменением величины фактора, воздействующего на проводимость полупроводникового материала, и изменением величины этой проводимости, о Të и ч 3 Io w H и с я тем, что, с целью упрощения процесса измерения, определение времени жизни совмеща(от с определением проводимости полупроводникового материала посредством четырехзондоBoII l o (0(31(H, Нс 1oJIb3) я .(ва потенциомеl pH (ccl(Hx зонд;1 инъекции неравновесных носителей при исследовании foHI(>(x полупроводниковых пластин или применяя два дополнительных инъектирующих зонда, p(l el(0(Га я и \ в плоскости, пер пенди куJIS(pHQH плОскОсти 1 становки зондов п)ловки при исследовании слитков, и определяют время жизни нерав(п)весных носителей по сдвигу фаз между ииъектирующим напря>кеиием и изченеиием проводимости полупроводникового материалrl.
¹ 155!98
Ф(/г >
/
/
/
/!
7 ) Редактор Богатырева скреп A. А. Камышникова Кор!«к(ор Т. В. Муллина с1>ор>(((т оуi(. 70 . 10 О(гн«i(((.2!i изд.
Т н р а >к 050. 11сна 1 к<н(.
ЦНИИГ1И Государственного кочитета но дс,(ак(изоор(гений и (п крытой ГГГР
Москва, 11еитр, ир. Герон;(, д. !.
Тип 11И 1ТИЭЛЕ1(ТРОГ1РОМ. Мо(ква, .-12>, "-й 1 !г«на ию(«(.ий ту ... 2
Подп. к пси. 22> /1-63 (Заказ 1022.