Источник стабильного напряжения

Источник стабильного напряжения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве высокостабильного источника напряжения в разнообразных микроэлектронных устройствах. Цель изобретения - повышение коэффициента стабилизации. Источник стабильного напряжения МДП-транзистор 1 с N-каналом и резистор 2, один вывод которого подключен к затвору МДП-транзистора 1, исток и подложка которого соединены между собой. Введены МДП-транзистор 3 с P-каналом и N последовательно соединенных диодов, причем входная клемма подключена к стоку МДП-транзистора 1 с N-каналом, затвор которого подключен к аноду первого диода 4, катод N-го диода к общей шине и стоку с затвором МДП-транзистора 3 с P-каналом, подложка которого подключена к другому выводу резистора 2, а исток - к истоку МДП-транзистора 1 с N-каналом и выходной клемме устройства. 1 ил.

союз ссветсних социАлистичесних

РЕСПУЬЛИН

{51) 5 G 05 P 1/56

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A BTOPCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Фжх

ГОсудАРстВенный нОмитет пО иэОБРетениям и ОтнРытиям пРи Гннт сссР (21) 4480831/24-07 (22) 30,06,88 (46) 23,03.90. Бюл.,N- 11 (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (72) Д,В. Игумнов, В.А.Масловский и Е.М,Жарковский (53) 621.316.722.1(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1319011, кл. G 05 F 3/24, 1987.

Патент Японии 58-21724, кл. G 05 F 1/613, 1983. (54) ИСТОЧНИК СТАБИЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве высокостабильного источника напряжения в разнообразных микроэлектронных устройствах. Цель иэобрете„.SU„„1 А1

2 ния — повышение коэффициента стабили- зации, Источник стабильного напряже".. ния содержит МДП транзистор l с и ка налом и резистор 2, один вывод которого подключен к затвору МДП-транзистора 1, исток и подложка которого соединены между собой. Введены МДП-тран-! зистор . 3 с р-каналом и N последовательно соединенных диодов, причем входная клемма подключена к стоку

NjUI-транзистора 1 с п-каналом, затвор которого подключен к аноду первого Диода 4, катод N-го диода - к ббщей шине и стоку с затвором МДП-транзистора 3 с р-каналом, подложка которого подключена к другому выводу резистора 2, а исток — к истоку МДП-транзистора 1 с п-каналом и выходной клемме устройства. 1 ил.

1552156

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве высокостабильного источника напряжения в разнообразных микроэлектронных устройствах.

Целью изобретения является повышение коэффициента стабилизации источника.

МДП-транзисторы включены оба по схеме с общим стоком и, следователь.но, охвачены 100 -,ной отрицательной обратной связью, осуществляющей стабилизацию выходного напряжения, С помощью перехода исток — подложка

МДП-транзистора с р-каналом, резистора и диодов обеспечивается заданная величина выходного напряжения.

На чертеже представлена принципиальная схема источника стабильного напряжения.

Источник содержит МДП-транзистор

1 с встроенным п-каналом, ризистор 2

МДП-транзистор. 3 с р-каналом и Н последовательно соединенных диодов 4, 25

5..., N, Входная клемма подключена к стоку, а выходная — к истоку с подложкой МДП-транзистора l- и истоку

МДП-транзистора 3, сток и затвор которого подключены к общей шине, Под- . ложка МДП-транзистора 3 подключена к одному выводу резистора 2, другой . вывод которого подключен к затвору

МДП-транзистора 1 и аноду диода 4, катод N-го диода подключен к общей

35 шине, В зависимости от заданной ве.личины выходного напряжения используется определенное количество последовательно включенных прямосмещенных диодов. МДП-транзистор 3 может иметь как индуцированный, таки встроенный канал, K входной клемме устройства прикладывается напряжение U „ положительной полярности, 1ЩП-транзистор 1 включен по схеме с общим стоком и вместе с МДП-транзистором 3 (и сопротивлением. нагрузки) образует истоковый повторитель, который эа счет последовательной 1001-ной отрицательной

50 связи по напряжению обеспечивает на своем истоке постоянное выходное напряжение Ъ ...„ (при постоянном нацряжении на его затворе U >,). Если в схеме исключить диоды 4,5,...,Н, т.е.

5S если затвор МДП-транзистора 1 непосредственно подключить к общей шине, то 0 в„„ будет равно его напряжению отсечки Uо, . Диоды 4,5,...,N совместно с балластным резистором 2 и р-и-переходом исток-подложка NJUI-транзистора 3 образуют диодный стабилизатор напряжения с выходным напряжением П>, (входным напряжением для диодного стабилизатора является У „„). В результате получается что в данном устройстве Пв„„=П,+U>,, т,е. с помощью диодного стабилизатора реализуется необходимая стабильная величина

Us I Причем величина 11>, определяется количеством прямоосвещенных диодов и их напряжением "пятки".

Для улучшения стабильности U вд„в устройство введен МДП-транзистор 3, также включенный по схеме с общим стоком и характеризующийся последовательной 1007.-ной,отрицательной обратной связью по напряжению, за счет которой обеспечивается постоянство U „„на его стоке. Стабилизирующее действие

МДП-транзистора .3 можно рассмотреть на примере, Предположим, что эа счет каких-либо факторов возросло U „„.

При этом увеличивается открывающее напряжение между истоком и затвором

1ЩП-транзистора 3, что приводит к уменьшению сопрртивления его канала, а следовательно, и Ugt ixi Кроме того, МДП-транзистор 3 здесь также представляется как биполярный р-и-р-транзистор, включенный по схеме с общим коллектором (стоком), режим работы которого задается током базы (подложки). Этот ток определяется как номиналом резистора 2, так и количеством диодов 4, 5,...,N. В результате оказывается, что к выходу устройства подключен еще и эмиттерный повторитель, также стабилизирующий величину Пвык

Цепь иэ диодов 4, 5,..., N, а также резистор 2 и переход исток-подложка

МДП-транзистора 3 не только обеспечивают стабильное напряжение на затворе МДП-транзистора I но и определяют режим работы полевой и биполярной труктур МДП-транзистора 3.

Таким обра"ом, эа счет стабилизирующего действия (трех) 100Х-ных отрицательных обратных связей, образуемых посредством включения МДП-транзисторов 1 и 3, а также биполярной. р-и-р-структуры МДП-транзистора 3, обеспечивается повышенный коэффици- . ент стабилизации.

Составитель С,Ситко

Редактор В.Петраш Техред Jl.oëèéíûê Корректор Л.Бескид

Заказ 329 Тираж 651 Подписное

Р"ИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГККТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

5 15521

Формула изобретения

Источник стабильного напряжения, содержащий МДП-транзистор с и-кана5 лом и резистор, один вывод которого подключен к затвору МДП-транзистора, исток и подложка которого соединены между собой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффици- 10 еита стабилизации, в него введен МДПтранзистор с р-каналом и N-последо56 6 вательно соединенных диодов, причем входная клемма подключена к стоку

МДП-транзистора с п-каналом, затвор которого подключен к аноду первого диода, катод N-го диода подключен к общей шине и стоку с затвором МДПтранзистора с р-каналом, подложка .которого подключена к другому выводу резистора, а исток - к истоку МДПтранзистора с и-каналом и выходной клемме,