Патент ссср 155236
Иллюстрации
Реферат
Класс Н 011; 21g, 11а2 № 155236
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ
Подписнпя группи № 97
И. В. Грехов и И. В, Атражева
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТА К УПРАВЛЯЮЩЕМУ
ЭЛЕКТРОДУ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
УПРАВЛЯЕМЫХ ВЕНТИЛЕЙ
Заявлено 8 мая 1962 г. за ¹ 777726/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» № 12 за 1963 г.
Известны способы изготовления контактов к управляющему электроду силовых полупроводниковых триодов, основанные на вытравливании участка эмиттерного перехода.
Предлагаемый способ изготовления контакта к управляющему электроду силовых полупроводниковых управляемых вентилей отличается от известных тем, что в качестве койтакта используют участок эмиттерного перехода.
На эмиттерный переход вентиля с никелевым омическим контактом припаивают вольфрамовый диск с цилиндрическим отверстием. Внутри отверстия и соосно с ним располагают и припаивают снабженный нихромовым выводом диск, диаметр которого меньше диаметра отверстия.
Вытравливают припой и верхний слой перехода в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками и используют в качестве контакта управляющего электрода отвод от молибденового диска.
Это существенно упрощает технологию получения контакта к управляющему электроду вентилей, снабженных компенсирующими вольфрамовыми и молибденовыми дисками.
Сущность предлагаемого способа изготовления контакта управляющего электрода силовых полупроводниковых управляемых вентилей поясняется чертежом и сводится к следующему.
Каким-либо из известных диффузионных методов изготавливается и-р-и-р (или p-n-p-n) структура на всей площади используемой пластинки полупроводникового материала, и химическим никелированием и
¹ 155236 вжиганием создают омические контакты к ней. Затем в пластинке вытравливается канавка, разделяющая эмиттерный переход 1 на две неравные части, меньшая из которых с никелевым омическим контактом используется как контакт к управляющему электроду. Вытравливание канавки производится следующим образом.
После изготовления n-p-n-p структуры, никелевых контактов к ней. напайки нижнего вольфрамового диска 2, на эмиттерный переход вентиля припаивают верхний вольфрамовый диск 8 с цилиндрическим отверстием, причем внутри отверстия и соосно с ним распалагают и припаивают снабженный нихромовым отводом 4 молибденовый диск 5.
Внешний диаметр диска 5 меньше диаметра отверстия в вольфрамовом диске 8. Центрирование диска 5 при впайке производится опусканием цилиндрика 6.
После этого канавка заполняется на 4 мин. смесью НИ03 и НС1 в соотношении 1: 1 для вытравливания припоя. Затем, после промывки и просушки, канавка три раза подряд заполняется на одну минуту травителем, состоящим из смеси HF, HNi0 и СНзСООН в соотношении
3:5:1, соответственно, для вытравливания верхнего слоя перехода I в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками5и8.
В качестве контакта к управляющему электроду используют отвод 4 от молибденового диска 5.
Вытравливание канавки производится без применения специальной защиты поверхности пластины от травителя, так как используемые для защиты вольфрамовый диск 8 и молибденовый диск 5 является компен-сирующими прокладками и токоведущими контактами к пластине полупроводника.
Предмет изобретения
Способ изготовления контакта к управляющему электроду силовых полупроводниковых управляемых вентилей; основанный на вытравлпвании участка эмиттерного перехода, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения контакта у вентилей, снабженных компенсирующими вольфрамовым и молибденовым дисками, на эмитерный переход вентиля с никелевым омическим контактом припаивают вольфрамовый диск с цилиндрическим отверстием, причем внутри отверстия и соосно с, ним располагают и припаивают снабженный нихромовым выводом диск, диаметр которого меньше диаметра отверстия, вытравливают припой и верхний слой перехода в кольцевом зазоре между молибденовым и вольфрамовым дисками и используют в качестве контакта управляющего электрода отвод от молибденового диска. № 155236
Редактор Богатырева С. Л. Техред А. А. Камышникова Корректор T. В. Муллина
Подп. к печ. 22/VI-63 г. Формат бум. 70Х 108 /1а. Объем 0,26 изд. л.
Заказ 1007. Тираж 1226. Цена 4 коп
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.
Тип. ЦИНТИПРИБОРЭЛЕКТРОПРОМ. Москва, Е-123, 2-й Плехановский туп., 12