Патент ссср 155871

Патент ссср 155871

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс Н Oll; 21@, 11аа

М 155871

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л3 97

И. В. Грехов, Л. Н. Крылов и И. А. Линийчук

СПОСОБ СОЗДАНИЯ и — р ПЕРЕХОДА

Заявлено 6 марта 1962 г. за ¹ 715055/26-9 в Комитет по делам изобретений Il открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» № 14 за 1963 r.

Способ получения и — р переходов в полупроводниковых приборах путем диффузии примеси фосфора из фосфорносиликатного стекла известен.

Предлагаемый способ создания zz — р переходов отличается от известного тем, что на кремний в воздушной среде осаждают слой диффузанта из паров фосфорнокислого аммония для дальнейшего проведения диффузии фосфора. При таком способе получается равномерный слой стекла на большой площади кремния и, следовательно, повышается качество получаемого путем диффузии и — р перехода.

Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.

Переходы и — р-типа создают диффузией бора на воздухе. Однако для получения достаточно низкой поверхностной концентрации в области р-типа диффузия проводится в два этапа. На одну сторону пластины кремния напыляют раствор борной кислоты, и проводится диффузия бора из боросиликатного стекла на воздухе при температуре

1320 С в течение 3 час.

На втором этапе со стороны, прогивоположной боросиликатному стеклу, сошлифовывают образовавшийся р-слой, пластину травят в щелочи и проводят дальнейшую диффузию на воздухе при температуре 1300 С в течение 25 — 30 «ас.

Источником диффузанта служит предварительно обедненное боросиликатное стекло, и диффузия идет через слой окисла, образовавшегося па шлифованной и травленной поверхности кремниевой пластины, помещенной в печь.

Для получения слоя и-типа используют способ диффузии фосфора из фосфорносиликатного стекла, получаемого из паров фосфорнокис№ 155871 лого аммония (NH<) НРО,. Этот процесс осуществляют следующим образом.

В кварцевую трубку 1 (см. чертеж) помещают капсулу 2 с куском 3 фосфорпокислого аммония (ИН ) НРО, и подставку 4 с кремниевыми пластинами 5, обработанными по методике, описанной выше.

Трубку 1 помещают в кварцевый сосуд 6, который загружают в печь с температурой 1100 С на 20 лшн.

После этого сосуд б выгружают из печи, пластины 5 кремния с образовавшимся слоем фосфорносиликатного стекла перекладывают в кварцевый стакан и помещают для диффузии з печь с температурой

1300 C на 0,5 — 1,5 час в зависимости or глубины залегания перехода р-типа. Для охлаждения в печи снижа1от температуру до 600 С.

Предмет изобретения

Способ создания n — р перехода в полупроводниковых приборах и — р — n — р-типа на кремнии путем диффузии фосфора из фосфорносиликатного стекла, отличающийся тем, что, с целью получения на большой площади кремния слоя стекла одинаковой толщины, на кремний в воздушной среде осаждают слой фосфорнокислого аммония из его паров.

Составитель Л. Рубинчик

Редактор Л. Калашникова Техред В. П. Краснова Корректор P. А. Внгдорчик

Подп. к печ. 5/VIII — 63 г. Формат бум. 70;< 1081(:t; Объем 0,18 изд. л.

Заказ 2005 14 Тираж 1250 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова. 2.