Способ очистки дифторида ксенона

Способ очистки дифторида ксенона

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к способам очистки дифторида ксенона от тетрафторида, гексафторида и фтористого водорода и позволяет повысить степень очистки и скорость процесса. Пары смеси фторидов пропускают при температуре 150-200°С через слой фторида калия в никелевом реакторе. Давление в реакторе 50-100 мм рт.ст. Фторид калия получают дегидратацией дигидрата фторида калия в вакууме при 240-300°С. Для очистки используют измельченную фракцию 10-20 меш. Способ позволяет получить дифторид ксенона с содержанием примесей не более 5.10<SP POS="POST">-3</SP> мас.%. Скорость процесса в 10 раз выше, чем по прототипу. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А.1

„„SU „„1560468 (51)5 С 01 В 23/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

«й

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4389467/31-26 (22) 09.03.88 (46) 30.04.90. Бюл. И 16 (71) Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова АН СССР и 1!ГУ им. М.В.Ломоносова (72) Ю.М.Киселев, В.Ф.Суховерхов, A,В.Иарабарин, А.М,Эллерн, Г,Н,Кашников и P.О.Нестеров (53) 546.295(088.8) (56) ABторское, свидетельство СССР !! - 1116006, кл. С Oi В 23/00, 1984, Авторское свидетельство СССР

Р 1082757, кл. С 01 В 23/00, 1984, (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ДИФТОРИДА КСЕНОНА (57) Изобретение относится к спосоИзобретение относится к способам очистки дифторида ксенона от тетрафторида, гексафторида ксенона и фтористого водорода.

Цель изобретения — повышение степени очистки дифторида ксенона и ускорение процесса.

Пример 1. В никелевый реактор помещают 100 r фторида калия, полученного дегидратацией в вакууме при

260 С KF»2 Н О с последующим измельчением и отбором фракции 16 меш, 100 г смеси фторидов, содержащей

93,4X XeF, 4X XeF<, 2,1% XeF и 0,57. о

HF нагревают до 200 С и пары пропускают через никелевый реактор с фторидом калия. Давление в реакторе

70 л|м рт.ст. В охлаждаемой ловушке получают 92 г XeF@, содержащего по данным масс-спектрометрического анализа менее 5 10 "мас.7. примесей. Про2 бам очистки дифторида ксенона от тетрафторида, гексафторида и фтористого водорода и позволяет повысить степень очистки и скорость процесса.

Пары сл еси фторидов пропускают при

150-200 С через слой фторида калия в никелевом реакторе, Давление в реакторе 50-100 мм рт,ст, Фтора калия получают дегидратацией дигидрата фторида калия в вакууме при 240-300 С.

Для очистки используют измельченную фракцию 10-20 меш. Способ позволяет получить дифторид ксенона c содержанием примесей не более 5 !О мас,7.

Скорость процесса в 10 раз выше, чем по прототипу. 1 табл.! должительность очистки составляет

30 мин.

Пример ы 2-12, Очистку дифторида ксенона от примесей ведут аналогично примеру !. Условия проведения очистки и полученные результаты приведены в таблице.

Как видно иэ приведенных данных, при температуре дегидратации KF 2h O выше 300 С и ниже 240 С, использовании фракции менее 10 меш и давлении в реакторе ниже 50 мм рт.ст. и выше

100 мм рт.ст. поставленная цель не достигается.

Использование фракции. KF выше

20 меш приводит к комкованию поглотителя и не позволяет провести процесс очистки до конца.

Формула изобретения

Способ очистки дифторида ксенона от примеси летучих фторидов, включаю1560468 3 щий контактирование смеси фторидов с фторндом калия в никелевом реакторе при 150-200 С, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения степени очистки и ускорения процесса, пары смеси фторидов прокачивают в реакторе проточного типа при давлении 50-100 мм рт.ст. через слой фторида калия, полученный дегидратацией дигидрата фторида калия в вакуу5 о ме при 240-300 С с последующим измельчением и отбором фракции 10-20 меш, Давление в

Температура дегидратации

Р 2HãO

ОС

Дисперсност фторида калия, меш

Пример

Содержание примесей, мас, 7. Время реакторе, мм рт ° стю очиски,мин

XeF

ХеР

Известный

0,7

0,2

300

Составитель А.Рогатйнский

Техред Л. Сердюкова Корректор 0,Ципле

Редактор А.Огар

Заказ 947 Тираж 404 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР .113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

II II

Производственно-иэдательский комбинат Патент, г.ужгород, ул. Гагарина,101

2

4

6

8

lO

ll

260

16

16

16

16

16

16

16

16

760

2 10

10 3

1.10

l 10

1 ° 10

1 10

2.10

1,0

0,1

1-10

0,1

2 ° 10

1 10

1 10

1 10З

1О 3

1. I0 3

1 103

0,1

0,1

1 .10

0,1

1 ° 10

0-.3

1 ° 10

1 ° 10

1 ° 10

2 ° 10 3

0,1

0,1

l0 3

0,1