Патент ссср 156250

Патент ссср 156250

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

¹ 156250

Класс Н Oil; 21g, 1!,а

СС С!з

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

17одписная группа ¹ 97

А. И. Курносов и A. С. Сущик

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН ИЯ СТАБИЛ ИТРОНА

НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

Заявлено 25 мая 1962 г. за М 770098/26-9 в Комитет но делам изобретений It открытий ири Совете Министров СССР

Снублнковано в «Бюллетене изооретений и товарных знаков» № 16 за 1963 г.

Известен способ изготовления стабилитрона нг основе кремния. по которому предварительно создается вспомогательный диффузионный слой противоположного типа проводимости, который затем проплав,-яется навеской металла.

Предлагаемый способ изготовления стабилитрона на основе кремния отличается от известного тем, что электродный металl навески. после проплавления предварительно созданного диффузионного слоя, вытравливают до образовавшегося рекристаллизованного слоя и наносят металлизированный невыпрямляющий контакт со стороны сплавления по всей поверхности р — n-перехода. Такой способ благодаря наличию контакта по всей площади пластины исключает возникновение механических напряжений в пластине полупроводникового материала и облегчает сборку прибора. Предлагаемыи способ изготовления стабилитрона на основе кремния с пробоем в заданной области без пробоя на поверхности, свободного от механических напряжений, закгпоч а ется в следующем.

На пластинке кремния и-типа предварительно создается диффузионный cloli р-типа, например, бора. После этого производится вп IBBление малой навески алюминия с размерами, обеспечивающими необxoËHìóþ площадь р — а-перехода. Режим диффузии и вплавления подбирается так, чтобы алюминий проплавил образованный при диффузии р — и-переход. Затем алюминий и силумин вытравливаются. например, в соляной кислоте, при этом снимаются ме. анические напряжения в р — п-переходе. По всей поверхности пластины кремния, не№ 156250 зависимо от площади сплавного р — n-перехода, способом гальванического никелпрования наносится металлизированный невыпрямляющий контакт. Далее пластина разрезается на квадраты, которые после травления и лакировки боковых граней поступают на сборку.

Режим диффузии подбирается таким образом, что напряжение пробоя диффузионного р — и-перехода больше сплавного в 2 — 3 раза, и следовательно, р — n-переход малой площади, работающий в области пробоя при минимальных токах, порядка миллиампер. будет шунтирован весьма ма IbIivl обратным током диффузионного р — а-перехода.

Применение предлагаемого способа дает следующие преимущества.

Рабочая область р — 1г-перехода не выходит на поверхность кристалла, т. е. поверхностный пробой исключен.

Р— ц-переход можно полу1ить, практическ I, любой площади. что определяется только величиной навески алюминия.

Отсутствуют механические напряжения в р — n-переходе, он более однороден и устойчив к циклическим испытаниям.

Прп любои величине рабочей плогцади р — n-перехода присоединение контакта производится по всей площади перехода.

Предмет изобретения

Способ изготовления стабилитрона на основе кремния путем создания вспомогательного диффузионного слоя и проплавления его навеской металла, отличающийся тем, что, с целью искгцочения механических напряжений в пластине полупроводникового материала и облегчения сборки прибора, электродный металл навески вытравливаIот до Ооразовав111егося рекриста1ллизованного слоя и наносят мета;1лизированный невыпрямляющий контакт со стороны сплавления по всей площади р — n-перехода.

Составитель Л. Рубинчик

Реда1:тор П. Ф. Старцева Техред А. А. Камышникова Корректор М. И. Эльмус

Поли. к печ. 10/311!1 — 63 г. Формат бум. 70 Х !081/1а Объем 0.18 изд, л.

Зак. 2003/17 Тираж 1250 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д, 4.

Типография, пр, Сапунова, 2.