Патент ссср 156626
Иллюстрации
Реферат
№ 156626
Класс Н Olt; 21о, 29„
СССР
ОПИСАНИЕ lnSQEPETEHI4R
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ л !
Подттсная грип1га ЛЬ 97
А. А, Гуткин, Д. H. Наследов, В. Е. Седов и Б. В. таренков
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ И ФОТОДИОДОВ
Заявлено 21 мая 1962 г. "-.à ¹ 779380 26-9 в Комитет по делам изобретений и открв!ти!! прп Совете Министров СССР
Опубликовано в «Б!отлетене изобретеии1t и товаре(!х з;!апов;> ¹ 16 за !963
Известны способы изготовления полупроводниковых фотоэлементов и фотодиодов из материалов с малой диффузионной длиной неосновных носителей тока и большим коэффициентом поглощения света в собственной полосе, например из арсен!!да галлия. Эти способы основаны на диффузионном введении примесей для создания р-слоя на исходной пластинке полупроводника а-типа 11ли соответственно и-слоя на пластинке полупроводника р-тига.
По предложенному способу изготовления полупроводниковых фотоэлементов и фотодиодов диффузией акцепторной или донорной примеси вначале созда!от р- In!I соответственно п-слой, охватывающий пластинку полупроводшп(а сп всех сторон. То-,ùèíà р- и,ш и-слоя должна быть достаточной для получения на нем контактов без проплавления этого слоя ко11тактным cII;13 Iîì. Затем полученный р- или и-слой удаляют со всех !частков, кроме предназн".ченных для размещения контактов, и после этого на участка:, с которых был уда",(II рили п-слой, вновь создают диффузией а цепторной или донорной примеси р- или п-слой толщиной. соответствующей максимальной чувствительности фотодиода и макси IB, ü!!îìó к. и. J,. преобразователя энергии излучения в выбранной части спектра. После удаления с одной из поверхностей получеги!ого слоя в эту ПОBåð.ëîñòü и в участки р- или п-слОя, пол I(. IIIIbl(при первои ди(рф 31111, вил авля!От 1:.Онтактный сплав.
По предложенному способу получают фотоэлементы и фотодиоды повышенной чувствительности с увеличенным к. и. д.
Таким образом, диффузия акцепторной примеси в полупроводник и-типа производится два раза. Первичной диффузией создается тол¹ 15662б стая р-область со всех сторон полупроводниковой пластинки. После диффузии р-область любым известным способом удаляется со всех поверхностей, кроме предназначенных для нанесения контактов к р-области. Затем вторичной диффузией акцепторной примеси создается р-область толщиной, требуемой для максимального к. и. д. фотоэлемента и максимальной чувствительности фотодиода. После вторичной диффузии тонкая р-область с одной из поверхностей удаляется любым известным способом (травление, шлифовка и т. д.) . .Ha и-область и толстую р-область наносится контактный сплав, который затем вплавляется.
На р-области сохраняется низкоомный приповерхностный слой, сильно легированный в процессе диффузии, что позволяет создать тонкую р-область с малым сопротивлением растекания.
Из-за наличия толстой р-области в месте создания контакта устраняется возможность проплавления р-области и не образуется резкого р-и перехода.
Предмет изобретения
Способ изготовления полупроводниковых фотоэлементов и фотодиодов из материалов с малой диффузионной длиной неосновных носителей тока и большим коэффициентом поглощения света в собственной голосе, например из арсенида галлия, основанный на диффузионном введении примесей для создания р-слоя на исходной пластинке полупроводника и-типа или соответственно и-слоя на пластинке полупроводника р-типа, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и увеличения к. п. д. фотоэлементов и фотодиодов, диффузией акцепторной или донорной примеси создают вначале р- или соответственно п-слой, охватывающий пластинку полупроводника со всех сторон и имеющий толщину, достаточную для получения на нем контактов без проплавления этого слоя контактным сплавом, затем полученный р- или и-слой удаляют со всех участков, кроме предназначенных для размещения контактов, после чего на участках, с которых был удален р- или fl-слой, вновь создают диффузией акцепторной или допорной примеси р- или и-слой с толщиной, соответствующей максимальной фоточувствительности и максимальному к. п. д. преобразователя энеогии излучения в выбранной части спектра, удаляют с одной из поверхностей полученный слой и в эту поверхность и в участки р- или п-слоя, полученные при первой диффузии, вплавляют контактный сплав.
Редактор Е. Д. Доорожевский Техрсд T. П. Курилко Корректор Т. В. йтуллина
Поди, и иси 10ДХ вЂ” 63 г. Формат бум. 70;;; 108, 1в Объсга 0,18 изд. л.
Заказ 2252;17 Тираж 1250 Цена 4 кои, ЦНИИПИ Государственного комитета по дедам изооретл ии и открн.тий СCCP
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография пр. С,пуиова, 2