Транзисторный ключ

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах. Цель изобретения - повышение помехоустойчивости и термостабильности транзисторного ключа - достигается путем создания запирающего напряжения на его входе. При отсутствии входного напряжения на шине 14 транзисторы 1 и 2 закрыты. Через резистор 7 и диод 9 заряжается конденсатор 11. При положительном напряжении входного сигнала на шине 14 транзисторы 1 и 2 открыты. От конденсатора 11 через открытый транзистор 2 и диод 8 заряжается конденсатор 10. С него отрицательное напряжение через делитель на резисторах 4 и 6 поступает на базы транзисторов 1 и 2. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (1) H 03 К 17/60

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Ч А BTOPCHGMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГТИЯМ

ПРИ П НТ СССР (21) 4474077/24-2 T (22) 05.08.88 (46) 07.06.90. Бюп. М 21 (71) Московскии институт радиотехники, электроники и автоматики (72) Д.В.Игумнов, В.А.Масловский, И.С.Громов и Е.М.Жарковский (53) 621.382 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 438114, кл. Н 03 К 17/60, 1973.

Титце У., Ненк К. Полупроводниковая схемотехника. — М. . Мир, !983, с. 94, рис. 8.3б. (54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использоваÄÄSUÄÄ 1569968 А1

2 на в цифровых интегральных схемах.

Цель изобретения — повышение помехоустойчивости и термостабильности транзисторного ключа — достигается путем создания запирающего напряжения на его входе. При отсутствии входного напряжения на шине 14 транзисторы 1 и 2 закрыты. Через резистор 7 и диод 9 заряжается конденсатор 11. При положительном напряжении входного сигнала на шине 14 транзисторы 1 и 2 открыты. От конденсатора 11 через открытый транзистор 2 и диод 8 заряжается конденсатор 10.

С него отрицательное напряжение через делитель на резисторах 4 и 6 поступает на базы транзисторов T и 2. 1 ил.

1569968

Изабрет е1ше относится к II«lly«I ской технике и может быть испо..ьзовака в цифровых интегральных схемах.

Цел.ь изобретения — павьппение г,амехоустойчиности и термастябилькости гракзисторного ключа за счет созда«ия запирающего напряжения кя егс входе,.

На чертеже 1редстявлекя схема транзисторного ключа.

Транзисторчый ключ содержит вь;хадной и даполниTåëüньпз транзисторы 1 и 2, пять резисторов 3-7, IlepBhlll u второй диады 8 14 9,: Bbl» H нта1>ай канде:нсаторы 1 и 11, причем KoJIJIpK тар выходного транзистора подклю<ек к выходной пл1не 12 и через рсзис "ор

3 к шине 13 пи-. якия, база «ыхадн зг о транзистора 1 соединена с первым выводом второго резистора 4 и через третий резистор 5 с входной шина-з

14, второй вывод второго резистора 4 подключен к эмиттеру выходного таанзистора 1 и общей шине 15, база дополнительного транзистора 2 соединена с первым выводам нторсго резистора 4 и через четверты:< резистор о с первым выводом первог:, диода 8 и одним выводом первого конденсатора 1<.>, другой вывод которого падклгочек к змиттеру дополнительного трянзис тора 2, общей шине 15 и через второй диод 9 к второму выло,Ió:1ервога диода 8 и одному выводу второ-. î конденсатора 11, другой вывод каторог<> соединен с коллектором дополкит

Транзисторный ключ работает .ледуюшззм образом.

Выходной транзистор 1 с рези; тором 3 образуIOT основной, я,цопознительный транзистор 2 с гезисторзм 7

-,ополнительный транзистсрные клочи.

При отсутствии входного напряжения пине 14 транзисторы ": v, 2 должны

:.:.:ть закрыты. В результате выходное напряжение на шине 12 близко к на— пряжению источника пита1<ия E <. В этом случае через резистор 7 и диод будет происходить заряд кондснсатора 11 до напряжения, близкагс. к E

При положительном на зрят,.1<1» : входного сигнала на шине 1-, тр;<нзисторы 1 и 2 открыты. В результате ныхоцнов напряжение на шине 12 близко к нулю, При этом напряжение конденсатора 11 через открытый тpall«>le op

2 и диод Й будеr заряжать сакденсатар 10 тяк, чта кя егo абк 1адке, подключен.<ой к аноду диода 8, образуетс я отрицательное напряжение (относится<и<о общей шины 15) . Эта olðèöBтельное напряжение через дел;гe!II, состоящий из резисторов 4 и 6, постуг1яет кя базы трякзи" таран 1 и 2, выполняя раль зяг<иряюще го напряжения

c«e1lIeIIия E . С IIozolIIJ резисторов

II 6 реализуется необходимая величина Fñì.

Таким образом, порог открывания транзисторного ключа будет увеличен на значение Е, чем и осуществляется г<анышекие ега помехазащищеккасти.

Зя счет использова1п я запирающего

Е, транзисторы 1 и 2 будут надежно заперты (при отсутствии рабочих входных сигналов) даже при относительна высоких температурах, поскольку Е будет компенсировать влияние

C <и положительных потенциалов ка базах транзисторов 1 H 2, во. пикающих вследствие возрястания обраткых така« переходов и других неуправляемых теплагых токов в схеме.

Устройство использует JIHIь один источник питания и относительно просто реализуется в виде интегральной схемы (при B«ячительнам количестве транзисторных ключей, 1<спальзую щих E „„,,могут быть применены навесные конденсаторы).

Помехоустойчивость II;термостабильность предлагаемого транзисторного ключа, вьппе, м у извес.тных, за счет создания запирающега напряжения ка

40 ега входе. ар мул яизобре-.,ения

Транзисторный ключ, содержащий выходной транзистор, первый „второй и третий резисторы, коллектор выход«о«о транзистора подк:почен к выходной шине и через первый резистор к

<пине питания, база выход:o-.а транзистора соединена с первым выводом второго резистора и через третий резистор с входной шиной, второй выход второго резистора подключен к эмиттеру вь:.ходнаго транзистора и обш не,атличающийсяте-., чта, с целью лань<щения помехоустойчивости и термостабильности, введены дополнительный транзистор, первый и второй диоды, первый и второй конI;..:сятаоы чет«ярть<-, : и --.ятый резкс> >569968

Составитель Д.Иванов

Техред М.Ходанич

Корректор И.Кучерявая

Редактор В.Бугренкова

Заказ 1457 Тираж 672 Подписное

ИНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 торы, причем база дополнительного транзистора соединена с первым выводом второго резистора и через четвертый резистор с первым выводом первого диода и одним выводом первого конденсатора, другой вывод которого подключен к эмиттеру дополнительного транзистора, обшей шине и через второй диод к второму выводу первого диода и одному выводу второго конденсатора, другой вывод которого соеди5 нен с коллектором дс волнительного ранзистора и через ятый резистор с шиной питания.