Патент ссср 157015

Патент ссср 157015

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс Н 011; 21g 11а2 № 157015

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H. АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная гру1гпа Л3 97

Ю. Н. Тихонов и Ю. В. Сахаров

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ДЛЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Заявлено 21 марта !961 г. за М 722912,26 в Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б!оллетене изобретений и товарных знаков» ¹ 17 за 1963 г.

Известные электронно-дырочные переходы для полупроводниковых

IIPH00P0B В ВИДЕ TP) ОКИ ИЗ AI0IIOI(PHCT2,ЧЛИЧЕС10010 ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО материала требуют увеличения толщины стенок трубки, что приводит к увеличению падения напряжения в прямом направлении, увеличению потерь и сопротивления базы и ухудшению частотных характеристик этих гриборсв.

В предлагаемом электронно-дырочl!ом переходе повышение мощности рассеивания и улучшение частотных свойств полупроводниковых прибОр03 достиГнуто тем, чтО тр Ока из монокристал.лическОГО полуllp0B0äIIHêîB0го материала выпÎ;111ена с профилированнblìH боковыми пÎверхностя ми.

На фиг. 1 изображен описываемый электронно-дырочный переход; на фиг. 2 — 5 электронно-дыроч11ы!! переход после соответствующих стадий фотолитографической обработки, Монокристаллически1! слиток полупроВодникo30! o материала разрезается на станках ленточной резки перпендикулярно образующей

На куски, соответствующие длине запроектированной трубки. Затем на станке ультразвуковой резки из заготовок вырезаются гладкостенные трубки необходимого диаметра и толщины. Возможно изготовление профилированных трубок сразу же при вырезке трубок из монокрнстачла при условии изготовления ре?кущего инструмента соответств ющего профиля. После резки трубки отмываются от клеющих веществ и травятся в соответствующих для каждого полупроводникового материала травителях.

¹ 157015

Нанесение профилпрованпой боковой погерхности на гладкостеппую труоку производят фото<и!тографпчсски1! способом, в соответствии с которым гладкосте !Вa;- тр, Йка J п01<рывае-.ся;к!IT!<013 светo÷<â твительной эмульсией. После высыхания эмульсии Образуетс!1 плотная светочувствителыIàÿ пленка 2, изготовлcííàÿ, Hап, имер, па îcèове поJIHBHIIH I0Á0Ã0 спиРта с дооаВ1<ой дВУхх130мОВОГО а !моппЯ В качестве

ОчуВствля10щего Вегцсства. Таl ая и IciiI1н. 11a

Экспонирование светочувствительной пленки производится через фотошаб !OH!I при одинаковой освещенности снаружи и изнутри трубки.

На освещенных участках светочувствительпоп пленки производится

IIPolIPcc свстовог0 д3 O 3cH НН, 00, c, 10!3

На фиг. 3 показана трубка, покрытая светочувствительной пленкой, после проявления. Проявление производится в характерном для данной светочувствительной пленки растворителе — теплой дистиллированной воде. В процессе проявления не подвергшиеся воздействгпо света участки пленки растворяются, обнажая поверхность полупроводниковой трубки. После проявления пленки происходит травление трубки в травителях, принятых для каждого полупроводникового материала, например для германия — CP-4, для кремния — CP-8.

На фиг. 4 изображена трубка после травления. Поскольку травление трубки происходит только в местах, незащищенных пленкой, то трубка приобретает желаемый рельеф. После травления задубленные участки светочувствительной пленки удаляются с поверхности трубки в 15 — 20%-ном растворе щелочи. После окончания фотолитографической обработки трубка имеет необходимый профиль (см. фиг. 5).

Таким образом, профилирование электронно-дырочного перехода и омического контакта приводит к увеличению мощности прибора и повышает его к. п. д. Кроме того, профилирование увеличивает площадь соприкосновения электронно-дырочного перехода с охлаждающими поверхностями, что снижает тепловое сопротивление конструкции, уменьшает температуру электронно-дырочного перехода и позволяет увеличить допустимую мощность рассеяния на приборе.

Предмет изобретения

Электронно-дырочный переход для полупроводпиковь!х приборов, выполненный в виде трубки из монокристаллического полупроводникового материала, о т л и ч а ю щ и с я тем, что, с целью повышения мощности рассеивания и улучшения частотных свойств полупроводниковых прибоpoI3, Tp3 oI

¹ 1570I5

COem

Р рн 1

Составитель Д. Ф. Ломакин

Редактоо Н. С. Кутафина Te peä Т. П. Кмрилко

Корректор О. Б. Тюрина

Типография, пр. Сапунова, 2

Подп. к печ. 7/Х вЂ” 63 г. Формат бум. 70 Р 103 7>6 Объем 0,26 пзд. л.

Заказ 2705. 11 1 праги 12! э Е1еиа 1 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений li открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4