Патент ссср 157455

Патент ссср 157455

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс А 61Ь; 30а, 4„ № 157455

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 132

ЬИИ110„ ;:

М. М. Краснов

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВНУТРИГЛАЗНОГО ДАВЛЕНИЯ

Заявлено 7 июня 1961 г. за № 733632/31-16 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» ¹ 18 за 1963 г.

Способы измерения внутриглазного давления с подведением к роговице исследуемого глаза контактной пластины датчика, тонометра, питающегося током высокой частоты, известны.

По предлагаемому способу, в отличие от известных, емкостное сопротивление току высокой частоты измеряют в месте контакта роговицы исследуемого глаза со сплющивающей его поверхностью контактной пластины датчика. По величине измеряемого емкостного сопротивления (или однозначно связанной с ним емкости «глаз — тонометр») судят о величине внутриглазного давления.

Применение способа позволяет повысить точность измерения внутриглазного давления, дает возможность проводить динамические измерения и обеспечивает малое давление на глаз в процессе исследования.

На чертеже изображена схема предлагаемого способа.

К исследуемому глазу 1 прикладывается контактная пластина 2 с пленкой 8 из несмачивающегося материала. Пленка представляет собой слой диэлектрика.

Таким образом, в области контакта роговицы глазного яблока со сплющивающей ее поверхностью тонометра образуется плоскопараlлельный конденсатор, одной обкладкой которого является поверхность контактной пластины 2, а другой — поверхность глазного яблока в области сплющивания, причем обе эти обкладки разделены слоем диэлектрика.

Поскольку емкость плоского конденсатора прямо пропорциональна площади обкладки и диэлектрической постоянной слоя диэлектрика и обратно пропорциональна расстоянию между обкладками, равному № 157455 толщине слоя диэлектрика, емкость полученного конденсатора (прп прочих равных услоBèÿх) будет зависеть от величины плîULàäêè сплющивания, т. е. будет являться характеристикой величины внутриглазного давления, которое определяет размер зоны сплющивания при постоянном давлении на глаз тонометром.

Как всякий конденсатор, область контакта роговицы глаза 1 и пластины 2 топометра обладает известным емкостным (реактивным) сопротивлением переменному току. Величина этого сопротивления обрагно пропорциональна емкости конденсатора и частоте переменного тока.

Таким образом, измеряя это сопротивление, можно измерить внутриглазное давление.

Напряжение высокой частоты подается к пластине 2. В качестве

«Земли>> >можно HcllG Ib30BBTb поверхность Нсс legs e ioi о I;1333 1 H, c;Ieдовательно, все тело исследуемого.

Ввиду того что величина подаваемых па глаз 1 электрических потенциалов крайне незначительна, à также потому, что ток высокой частоты распространяется только в поверхностных слоях проводника, в данном случае поверхностных слоях глазного яблока (так называемый скин-эффект), предлагаемый способ оказывается совершенно безвредным.

Государственный Центральный институт усовершенствования врачей в своем заключении отметил полезность предлагаемого способа в офтальмологической клинике для лечебной и научно-исследовательской работы.

Предмет изобретения

Способ измерения Bíóòðèãëàзного давления с подведением к роговице исследуемого глаза контактной пластины датчика, питающегося током высокой частоты, отличающийся тем, что, с целью получения точных результатов, возможности проведения динамического измерения и обеспечения малого давления на глаз в процессе исследования, измеряют емкостное сопротивление току высокой частоты в месте контакта роговицы исследуемого глаза со сплющивающей его поверхli0cTbIo контактной пласIHHbI датчика и по величине измеряемой емкости «глаз — тонометр» судят о вели пине внутриглазного давления.

Напряжение

1ысснюи частау ,7Рлб7я

Составитель Е. я. яанцбург

Редактор Б. А. Шнейдерман Текред 3. Г. Цымбалова Корректор И. A. Шпынева

Подп, к печ, 17/IX — 63 г. Формат бум, 70 X 108>/„; Объем 0,35 изд

Зак. 2376/1 Тираж 400 Цена 4 коп, ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр, Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2.