Устройство для выращивания монокристаллов из раствора- расплава

Устройство для выращивания монокристаллов из раствора- расплава

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы. Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающим патрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула установлена в двухзонной печи. При этом вертикальные участки трубчатой рамы размещены в разных зонах печи. Устройство используют для получения монокристаллов, например CD CR<SB POS="POST">2</SB> SE<SB POS="POST">4</SB>. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСП БЛИК (51I5 С 3G Б 900

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ госудА ственный комитет

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4380312/31-26 (22) 01. 12.87 (46) 30.06.90. Бюл. № 24 (71) Дагестанский филиал АН СССР

{72) А. А. Абдуллаев (53) 621.315.592 (088.8) (56) Вильке К.- Т. Выра щи ванне кристаллов. Л.: Недра, 1977, с. 198; р. 2.4 — 5. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА- РАСПЛАВА (57) Изобретение может быть использоИзобретение относится к технике выращивания монокристаллов, используемых в полупроводниковой промышленности.

Целью изобретения является управление скоростью потока раствора-расплава.

На чертеже представлено устройство, общий вид.

Устройство содержит кварцевую Ампулу 1, выполненную в виде трубчатой рамы с присоединенными к ее верхнему горизонтальному участку загрузочным 2 и подпиты-. вающим 3 патрубками. Подпитывающий 3 и загрузочный 2 патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле 1

При этом подпитывающий патрубок 3 запаян с одного конца и изогнут вверх.

Ампула 1 размещена в двухзонной печи 4 так, что ее вертикальные участки размещены в разных температурных зонах.

Устройство работает следующим образом.

Смесь безводного Cr, С1з, Cd и Se, взятые в соотношении 1:2:2, загружают в ампулу 1 через загрузочный патрубок 2.

В процессе загрузки в ампулу 1 помещают затравки. Затем ампулу 1 откачивают до

5 10 мм рт. ст, и запаивают загрузочный патрубок 2. Ампулу 1 устанавливают в печи 4 патрубками 2 и 3 вверх. Включают

„„BU„.„157466 А, г вано в полупроводниковой промышленности.

Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы.

Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающи, пагрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула установлена в двухзонной печи. При этом вертикальные участки трубчатой рамы размещены в разных зонах печи. Устройство используют для получения монокристаллов, например Cd CrqSe4. 1 ил. печь 4, устанавливают температуру в зонах печи 740 и 760 С. После стабилизации температур в зонах корректируют положение ампулы 1 так, чтобы вертикальные участки рамы были при температурах 760 и 740 С соответственно. При этом происходит перемешивание раствора-расплава в трубчатой раме без нарушения режима кристаллизации. Подбором соответствующHx температур Т и Т обеспечивается возможность управления скоростями конвекционных потоков. Устройство предназначено для получения монокристаллов, например Cd Cr Se, Формула изобретения

Устройство для выращивания монокристаллов из раствора-расплава, содержащее кварцевую ампулу, имеющую загрузочный патрубок и размещенную в двухзонной печи, отличающееся тем, что, с целью управления скоростью потока раствора-расплава, ампула выполнена в виде трубчатой рамы, снабженной подпитываю цим патрубком, загрузочный и подпитывающий патрубки соединены между собой в верхнем горизонтальном участке трубчатой рамы, а верти-. кальные ее участки размещены в разных зонах печи.

1574696

Составитель Н. Давыдова

Редактор Н. Ш выдкая Техред А. Кравчук Ко Л. П

Заказ 1761 Т 34 орректор . атай ираж 4 Подпнсное

ВНИИПИ Гас а уд рственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент» г. Ужг,, Г

», г. жгород, ул. Гагарина. 101