Способ обработки кристалла алмаза

Способ обработки кристалла алмаза

Реферат

 

Изобретение относится к технологии производства бриллиантов, а именно к способам распиливания алмазов. С целью повышения качества распиливания алмаза и увеличения коэффициента использования дорогостоящего сырья, кристалл алмаза приклеивают к базирующей оправке эпоксититанорганическим клеем, выдерживают при температуре 200 - 250°С в течение 2 - 3 ч и устанавливают на стенке консольно без поджима второй оправкой. 3 ил.

Изобретение относится к технологии производства бриллиантов, а именно к способам распиливания алмазов. Целью изобретения является повышение качества распиливания алмазов и увеличение коэффициента использования дорогостоящего сырья. На фиг. 1 изображена схема установки кристалла алмаза в оправку; на фиг. 2 - схема установки кристалла в прижимное приспособление; на фиг. 3 - схема установки кристалла в станок. Кристалл алмаза 1, предварительно размеченный, устанавливают в гнездо оправки 2, которое заполнено на 50% эпоксититанорганическим клеем. Этот клей содержит в качестве полимерной основы эпоксититанорганическую смолу, содержащую титана не менее 0,6%, эпоксидных групп не менее 17%, сухого остатка не менее 97%, а в качестве отвердителя и наполнителя - 4 смесь диангидрида 3,3,4,4-бензофенонтетракарбоновой кислоты и нитрида бора (ТУ 2-036-707-77) в соотношении на 100 вес.ч. смолы 80 мас.ч. смеси (отвердителя и наполнителя). Эпоксититанорганическая смола СЭДМ-8 (ТУ 6-05-1196-81) представляет собой продукт модификации эпоксидной смолы ЭД-20 титанорганическим соединением. Отвердитель ДАБТК (ТУ 6-05-1890-85) представляет собой продукт дегидратации бензофенонтетракарбоновой кислоты, полученной окислением 3,3,4,4-тетраметилбензофенона. Перед установкой склеиваемые поверхности кристалла и оправки промывают ацетоном и бензином и высушивают в течение 10-15 мин в целях обезжиривания этих поверхностей. Затем прижимают алмаз к гнезду оправки прижимной вилкой 3 с усилием 3-5 кг/см², после чего кристалл с прижимным приспособлением помещают в сушильный шкаф, предварительно нагретый до 200^оС, и выдерживают в течение 2-3 ч. При нагреве до температуры менее 200^оС не происходит отверждения, а до температуры более 250^оС - происходит частичная деструкция клея (разрушение). Если выдерживать нагрев менее 2 ч - клей не успевает отверждаться, а более 3 ч - частично разрушается, что также способствует выпадению кристалла из оправки в процессе распиливания. После извлечения оправки с приклеенным алмазом из прижимного приспособления ее устанавливают на станке консольно и производят подрез и распиливание без поджима второй оправкой, т.е. со свободным расположением обрабатываемой поверхности кристалла алмаза. Такое выполнение способа улучшает условия распиливания, так как отсутствие поджима второй оправкой не создает внутренних напряжений, возникающих в результате перекоса кристалла, вызванного этим поджимом, сохраняет динамическую устойчивость режущего инструмента, что значительно уменьшает количество рисок, выпуклостей и вогнутостей, исключает возникновение столбиков на площадках будущих бриллиантов, которые лежат в плоскости распиливания, и создает предпосылки для исключения операции подшлифовки площадки. Это уменьшает дополнительную обработку по выведению дефектов и, следовательно, сохраняет дорогостоящее сырье.

Формула изобретения

СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛА АЛМАЗА, включающий нанесение на посадочную площадку оправки клеящего состава на основе эпоксидной смолы, размещение предварительно размеченного кристалла алмаза в ориентированном положении в оправке с прижимом кристалла к поверхности оправки, температурную выдержку, охлаждение и установку алмаза с оправкой на станке, подрезание и распиливание, отличающийся тем, что, с целью повышения качества распиливания алмазов и увеличения коэффициента использования дорогостоящего сырья, на посадочную площадку базирующей оправки наносят эпоксититанорганический клей, температурную выдержку осуществляют в течение 2 - 3 ч при температуре 200 - 250^oС, а после снятия прижима устанавливают оправку с кристаллом алмаза на станке консольно со свободным расположением обрабатываемой поверхности алмаза.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000