Устройство для управления силовым транзистором

Устройство для управления силовым транзистором

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано при проектировании источников вторичного электропитания силовых элементов радиоэлектронной аппаратуры. Целью изобретения является повышение скорости отпирания и запирания силового транзистора. Цель достигается тем, что в устройство введен транзистор 8 обратной проводимости, который с помощью конденсатора 7 поддерживает транзистор 2 в открытом состоянии при необходимости запирания силового транзистора 1. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s>)s Н 02 М 1/08

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

%, .. ).

If

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4475309/24-07 (22) 19.08.88 (46) 07.07.90. Бюл. М 25 (72) В.А.Николаев и Ю.Г.Дычко (53) 621.316.727 (088.8) (56) Источники вторичного электропитания./Под ред. Конева — M.: Радио и связь, 1983, с.109.

Патент Франции М 2248548, кл. G 05 F 1/64, 1976. (S4) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИRQBblM ТРАНЗИСТОРОМ с

„„ЯЦ„„1577008 А1

2 (57) Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано при проектировании источников вторичного электропитания силовых элементов радиоэлектронной аппаратуры. Целью изобретения является повышение скорости отпирания и запирания силового транзистора. Цель достигается тем, что в устройство введен транзистор 8 обратной проводимости, который с помощью конденсатора 7 поддерживает транзистор 2 в открытом состоянии при необходимости запирания силового транзистора 1. 1 ил, 1577008

20

35

Изобретение относится к электротехнике и может найти применение в блоках электропитания узлов автоматики,телемеханики, вычислительной техники и средств связи, Цель изобретения — повышение быстродействия устройства, уменьшение фронтов переключения силового транзистора.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства для управления силовым транзистором.

Устройство для управления силовым транзистором 1 содержит управляющий транзистор 2 обратной проводимости,первый резистор 3, включенный между эмиттером силового транзистора 1 и отводом вторичной обмотки трансформатора 4, начало которой. через первый диод 5 подключено к базе транзистора 1, а конец через второй резистор 6 и последовательно с ним включенный конденсатор 7 подсоединен к базе дополнительного транзистора 8. Между эмиттером и базой транзистора 8 установлент третий резистор 9, Конец вторичной обмотки трансформатора 4 через резистор 10 и второй диод 11 соединеы с эмиттером транзистора 8 и через накопительный конденсатор 12 с эмит тером коммутирующего транзистора 1, Точка соединения выводов конденсатора

12, диода 11 и эмиттера транзистора 8 через резистор 13 подключена к коллектору транзистора 2. Между эмиттером и базой транзистора 1 включен резистор 14, Устройство работает следующим образом.

Переключение транзистора 1 из закрытого состояния во включенное происходит под действием положительного напряжения вторичной обмотки трансформатора 4, Базовый ток транзистора 1 создается по двум цепям: первой — диод 5, переход эмиттер-база транзистора 1, резистор З,отвод обмотки 4, и второй — для импульсного тока в цепи — диод 5, эмиттер-база переход транзистора 1, накопительный конденсатор 12, резистор 9, конденсатор 7, резистор б, диод

11, резистор 10.

Импульсный ток форсирует включение транзистора 1, Под воздействием напряжения обмотки

4 заряжается конденсатор 12, При исчезновении напряжения на обмотке трансформатора 4 конденсатор 12 отдает накопленный заряд в цепь — резистор

14, переход эмиттер-база транзистора 2, вторичная обмотка трансформатора 4, резистор 6, конденсатор 7, переход эмиттер-база транзистора 8, Включается транзистор 8 и форсирует базовый ток транзистора 2.

Транзистор 2 включается и обеспечивает рассасывание избыточных зарядов в области базы транзистора 1 по цепи — конденсатор 12, резистор 14, транзистор 2, резистор

13, Импульсный ток через конденсатор 7 удерживает во включенном состоянии транзистор 8 и обеспечивает насыщение транзистора 2, чем достигается ускоренное переключение силового транзистора 1.

При выключении транзистора 1 запирающее напряжение подается на его базу с конденсатора 12 через переход эмиттерколлектор транзистора 2 и от обмотки 4 по цепи — резистор 3, резистор 14, переход эмиттер-база транзистора 2, и надежно удерживает транзистор 1 во включенном состоянии,.

Формула изобретения

Устройство для управления силовым транзистором, содержащее импульсный трансформатор, первичная обмотка котороro предназначена для подключения к источнику управляющих импульсов, начало вторичной обмотки соединено с анодом первого диода, катод которого связан с первым выводом первого резистора, предназначенным для подключения к базе силового транзистора, для подключения к эмиттеру которого предназначен второй вывод первого резистора и первый вывод первого конденсатора, второй вывод которого соединен с первым выводом второго резистора и анодом второго диода. катод которого связан с концом вторичной обмотки импульсного трансформатора, начало которой связано с базой транзистора обратной проводимости, эмиттер которого соединен с первым выводом первого резистора, третий и четвертый резисторы, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения .быстродействия, введены пятый и шестой резисторы, второй конденсатор и транзистор прямой проводимости, коллектор которого соединен со средним выводом вторичной обмотки импульсного трансформатора и первым выводом третьего резистора, второй вывод которого соединен с вторым выводом первого резистора, причем база транзистора прямой проводимости соединена с концом вторичной обмотки импульсного трансформатора через цепочку из включенных последовательно второго конденсатора и четвертого резистора и непосредственно с первым вб водом пятого резистора, второй вывод которого соединен с эмиттером транзистора прямой проводимости и анодом второго диода, катод которого соединен с

1577008

Составитель А.Киселев

Редактор В.Бугренкова Техред М.Моргентал Корректор Л.Патай

Заказ 1852 . Тираж 494 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 первым выводом шестого резистора, второй вывод которого соединен с концом вторичной обмотки импульсного трансформатора. а коллектор транзистора обратной проводимости соединен с вторым выводом второго резистора.