Способ имитации воздействия дефекта на электропотенциальный дефектоскоп

Способ имитации воздействия дефекта на электропотенциальный дефектоскоп

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использовано для градуировки и настройки электропотенциальных дефектоскопов применительно к подповерхностным наклонным трещинам. Цель изобретения - расширение области использования. Имитация подповерхностных дефектов с различным углом наклона достигается за счет выполнения искусственного дефекта в другой плоскости образца. Токовые электроды 4,5 и потенциальные электроды 6,7 электропотенциального преобразователя устанавливаются на линии, проходящей через ось цилиндрического образца 1. При этом угол α между следами прорезей 2,3 и нормалью к линии установки электродов 4-7 соответствует углу наклона имитируемого дефекта, если выполняется соотношение D=2δ/COSΑ, где δ - глубина залегания подповерхностного дефекта

D - величина отрезка между следами прорезей. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 G 01 N 27/82

I ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

Г

Лв

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4404117/25-28 (22) 28.12.87 (46) 15.07.90.Бюл, 1Ф 26 (71) Всесоюзный заочный машиностроительный институт (72) П.Н.Шкатов, В.Е.Шатерников и H.В.Давыдов (53) 620.179,14(088,8) (56) Измеритель глубины трещин. XRT-706.

Инструкция. — Operating instruction

Krautkramer. W. Germany, Kdln, {54) СПОСОБ ИМИТАЦИИ ВОЗДЕЙСТВИЯ

ДЕФЕКТА НА ЭЛЕКТРОПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ ДЕФЕКТОСКОП (57) Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использовано для градуировки и настройки электропотенциальных дефектоскопов применительно.... Ы 1578626 А1 к подповерхностным наклонным трещинам.

Цель изобретения — расширение области использования. Имитация подповерхностных дефектов с различным углом наклона достигается за счет выполнения искусственного дефекта в другой плоскости образца.

Токовые электроды 4,5 и потенциальные электроды 6,7 электропотенциального преобразователя устанавливают на линии, проходящей через ось цилиндрического образца 1. При этом угол а между следами прорезей 2.3 и нормалью к линии установки электродов 4-7 соответствует углу наклона имитируемого дефекта, если выполняется соотношение d = 2 д /cos а, где д глубина залегания подповерхностного дефекта, а d — величина отрезка между следами прорезей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил, 1578626

Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использовано для градуировки и настройки электропотенциальных дефектоскопов применительно к подповерхностным наклонным трещинам.

Цель изобретения — рсширение области использования за счет имитации также и подповерхностных дефектов с различными углами наклона и глубиной залегания.

На чертеже представлены образец и схема расположения электродов электропотенциального дефектоскопа.

Способ осуществляют следущим образом.

Образец 1 выполняют цилиндрической формы из электропроводящего материала.

Искусственный дефект выполняют в виде двух прорезей 2.3 на рабочей поверхности образца в плоскости, перпендикулярной этой поверхности и проходящей через ось образца 1. Длина h прорезей 2 и 3 на рабочей поверхности образца равна глубине д имитируемого дефекта, а глубина — половине длины имитируемого дефекта.

Токовые электроды 4,5 и измерительные {потенциальные) электроды 6,7 электропотенциального преобразователя устанавливают,на линии, проходящей через ось цилиндрического образца 1, при этом угол в плоскости рабочей поверхности образца между линией установки электродов и нормалью к о резку d, соединяющему следы прорезей 2 и 3, выбирают равным углу а наклона имитируемого дефекта, а расстояние d между сл едами прорезей— из соотношения d = 2 д /cos а.

Распределение тока в образце 1 из соображений симметрии соответствует распределению тока в образце с подповерхностн ым дефектом, имеющим параметры, соответствующие имитируемому.

При этом угол а между прорезями 2 и 3 и нормалью к линии установки электродов 47 соответствует углу наклона имитируемого дефекта. Цилиндрическая форма образца 1 удобна для вращения образ. ца относительно электропотенциального преобразователя. При вращении получаем семейство зависимостей, отличающихся углом a . .Кроме того, при цилиндрической форме образец 1 имеет минимальные габа.риты. Последние определяются из условия исключения влияния боковых границ цилиндрического образца 1 на электропотенциальный преобразователь, 8лиянием границ можно пренебречь, если диаметр образца в

1,8 раза превосходит расстояние R®>< (здесь Real — большее из двух расстояний; между токовыми электродами и между

50 внешними не обращенными друг к другу гранями прорезей 2 и 3).

Поскольку распределение тока в образце соответствует распределению тока в изделии с имитируемым дефектом, напряжение между потенциальными электродами также будет соответствовать напряжению, измеренному на этом изделии, Соотношение d = 2 д /cos а следует из соответствия электрического поля в изделии с подповерхностной трещиной и электрического поля в образце, Предполагается, что в процессе измерения параметров трещины токовые электроды 4 и 5 установлены симметрично относительно концов трещины, Это соответствует максимуму разности потенциалов между потенциальными электродами 6 и 7. Картина поля тока, обтекающего трещину, симметрична относительно плоскости, нормальной к поверхности образца и проходящей через центр трещины.

Без изменения воздействия на электропотенциальный преобразователь вторую половину образца можно совместить с его поверхностью, оставив прежними точки контактирования токовых электродов 4,5 и потенциальных электродов 6 и 7, Для этого вторую половину образца "поворачивают" на 180 относительно оси, соединяющей электроды электропотенциального преобразователя. При этом без изменения точек контактирования электроды поворачиваются на 90 .

B результате получается образец с прорезями 2,3, не доходящими одна до другой на величину 2 д, где д — глубина залегания трещины. Такой образец полностью эквивалентен исходному по действию на электропотенциальный преобразователь, HO ue позволяет имитировать воздействие различных по глубине залегания и наклону трещин. Поэтому выполняется еще одно эквивалентное преобразование — одна из прорезей поворачивается вокруг оси до совмещения обеих прорезей в одной плоскости одна напротив другой. При этом картина электрического поля в соответствующей половине образца зеркально переворачивается. В полученном имитаторе расстояние между гранями прорезей 2,3 (искусственных дефектов) в результате преобразований гголучается d = 2 д /сова

Формула изобретения

1, Способ имитации воздействия дефекта на электропотенциальный дефектоскоп, заключающийся в том, что на поверхность образца с искусственным дефектом устанавливают по одной линии токопсдводящие

1578626

Составитель И.Рекунова

Редактор А.Маковская Техред M.Moðãåíòàë Корректор Н.Ревская

Заказ 1913 Тираж 513 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 и измерительные электроды дефектоскопа. пропускают по этой поверхности ток и по лучают воздействие имитируемого дефекта на дефектоскоп,отличающийся тем, что, с целью расширения области использования за счет имитации также и подповерхностных дефектов с различными углами наклона и глубиной залегания, искусственный дефект выполняют в виде двух прорезей на рабочей поверхности образца в плоскости, перпендикулярной ей, длиной, равной глубине д имитируемого дефекта, и глубиной, равной половине длины имитируемого дефекта, электроды устанавливают по линии, проходящей через середины отрезка d, соединяющего прорези на рабочей поверхности, угол в плоскости рабочей по5 верхности образца между линией установки электродов и нормалью к отрезку d выбирают равным углу а наклона имитируемого дефекта, а величину отрезка 4 — из соотношения d-2д/сова .

10 2. Способ по п.1, о тл и ч а ю щи и с я тем, что используют образец цилиндрической формы с осью, расположенной в плоскости прорезей и равноудаленной от них.