Способ неразрушающего контроля физико-механических параметров ферромагнитных изделий

Способ неразрушающего контроля физико-механических параметров ферромагнитных изделий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и сортировки изделий, в частности отливок постоянных магнитов с кристаллической анизотропией. Цель изобретения - повышение точности контроля заготовок постоянных магнитов с направленной кристаллизацией. Для этого отливку магнита намагничивают до технического насыщения и замеряют остаточный магнитный поток в двух направлениях. Причем первоначально намагничивание проводят в направлении роста кристаллов, а второе намагничивание осуществляют под углом 45 или 90°С к первоначальному направлению соответственно для цилиндрических и прямоугольных заготовок. 2 з.п. ф-лы, 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК щ)g G 01 N 27/80

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ,/ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ- И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ П.(НТ СССР (21) 4290016/25-28 (22) 27.07.87 (46) 23.07.90. Бюл. Р 27 (71) Научно-производственное Объединение "Магнетон" (72) В. А. Чубрин (53) 620. 179. 14(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 587385, кл. С 0 1 N 27/80, 1972.

Авторское свидетельство СССР

11 684004, кл. С 01 N 27/80, 1974, (54) СПОСОБ НЕРАЗРУШАВЦ ЕГО КОНТРОЛЯ

ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИХ IIAPAMETPOB ФЕРРОМАГНИТНЫХ ИЗДЕЛИЙ ,(57) Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и сортировки

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и сортировки изделий, в частности отливок постоянных магнитов с кристаллической анизотропией.

Цель изобретения — повышение точности контроля заготовок литых постоянных магнитов с направленной кристаллизацией эа счет выбора определенного направления намагничивания.

Литые постоянные магниты с кристаллической анизотропией, охлажденные от высоких температур:, без приложения магнитного поля имеют разные кривые размагничивания в направлении осей легкого и трудного намагничиваний, Эта разница тем больше, чем совершеннее столбчатая и монокристаллическая структуры. Наличие равноосных и паразитных областей снижает разницу в

awSUm> 15 2 7 A I изделий, в частности отливок постоянных магнитов с кристаллической анизотропией. Цель изобретения — повышение точнОсти кОнтроля загОтОвок постояннык магнитов с направленной кристол- лизацией, Для этого отливку магнита намагничивают до технического насыщения и замеряют Остаточный магнитный поток в двух направлениях. Причем первоначально намагничивание проводят в направлении роста кристаллов, а второе намагничивание осуществляют о под углом 45 или 90 к первоначальному направлению соответственно для цилиндрических и прямоугольных заготовок. 2 з.п. ф-лы, 2 табл. свойствах и магнитные свойства готового изделия.

Наиболее удобно, быстро и точно измеряется остаточный магнитный поток, угол между двумя замеряемыми направлениями диктуется конфигурацией изделия: 45 — для цилиндрических образцов и 90 — для параллелепипе" дов.

Способ осуществляется следующим образом.

С отливки магнита после выбивки, очистки и заточки питателя снимают небольшой слой металла с целью получения определенного размера, Лалее заготовку магнита помещают в индуктор, намагничивают до насыщения н замеряют магнитный поток в направлении роста кристалла, IIQ(1P этого, обычно в этом же индукторе, магнит поворачи1580237 вают на 45 или 90 относительно: первоначального .направления и проводят повторное намагничивание,и замер магнитного потока. 0 годности магнита судят по относительной разности замеренных потоков, Пример 1. Заготовку магнита цилиндрической формы с. диаметральной столбчатой структурой из сплава

10НДК35Т5БА предварительно шлифуют по наружному диаметру, Затем заготовку намагничивают в индукторе в направлении роста кристаллов и замеряют магнитный поток. Заготовку в том же ино дукторе поворачивают на 45 и производят повторное намагничивание и замер магнитного потока. Далее заготовки проходят полный технологический цикл обработки, в процессе которого проводят контроль структуры и магнитных свойств. Данные сведены.в табл, 1. с

Пример 2. Заготовку магнита в форме параллелепипеда из сплава

НН14ДК25БА намагничивают и замеряют магнитный поток в направлении роста кристаллов и под углом 90 к первоначальному. Далее заготовки, как и в . примере 1, проходят полный технологический цикл. Результаты сведены "в

30 табл. 2.

В связи с тем, что измерение потока проводится в сечениях заготовки магнита, имеющих разную величину,. в З табл. 2 даны значения потоков В > и I

P<, приходящихся на единицу площади, 9

Использование. изобретения литых постоянных магнитов позволяет проводить сортировку магнитов на ранних стадиях 40 их изготовлений, что позволяет снизить трудоемкость их изготовления, а также найти и устранить причины, способствующие получению дефектных магнитов.

Формула изобретения

1. Способ неразрушающего контроля физико-механических параметров ферромагнитных изделий, заключающийся в том, что иэделие намагничивают в двух направлениях, измеряют параметр остаточного магнитного поля в этих направлениях и по соотношению измеренных значений параметра судят о физико-механических параметрах изделий, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности контроля заготовок литых постоянных магнитов с направленной кристаллизацией, намагничивание в двух направлениях осуществляют до насыщения, в качестве одного из направлений выбирают направление роста кристаллов заготовки магнита, а в качестве измеряемого параметра используют остаточный магнитный поток.

2. Способ по п. 1, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения точности контроля заготовок цилиндрической формы, выбирают второе направление намагничивания под углом

45 к .направлению роста кристаллов., о

3, Способпап. 1, отличаю шийся тем, что, с целью повышения точности контроля заготовок в форме параллелепипеда, выбирают второе направление намагничивания под углом 90 к направлепию роста кристаллов. б

Таблица 1

1580237

Ф1- ф, Ф, Заключе3aroтовка

Значение потока saroтовки, Вб . 10 -4

Струк тура

Значения магнитных свойств окончатель но обработанных магнитов ние о годности

Направление роста кристаллов Ф9

Под углом

45 В, 10 9 Вб Hс

Столбчатая

То же

11

It

Столбчатая

2,8

7, 125 120

2995 0905

Почти равноосная

П р и м е ч а н и е. Магнит 8ЕА.614.131.02. Значения требуемых свойств: ф„ ) 8,3 10-4Вб, Н > 104 кА/м, Ф1 — Ф, Магниты годны при - у 0,15.

Ф1

Таблица 2

Свойства заготовки

Структура Окончательная обработка образцов

Заготовка

В г1 — Вг, 3аклюние о годнов„

В,, Тл Н, кА/м сти

0,618

0,627

0,762

0,964

0,684

0,823

2

О, 123

0,091

0,08

1,32

1,31

1,29

59

58,3

55,8

Столбчатая

Годен

Брак

Столбчатая с участками равноосной структуры

Почти равосная

0,01

0,747 0,762

1,25

Параллелепипед из сплава ЮН14ДК25БА, Значение требуемых свойств: В rj 1,3 Тл, Нс ) 58 кА/м. в -в

Магниты годны при «Е вЂ” — а т 0,09.

"1

Составитель И, Рекунова

Te>PeÀ Л.Сердюкова Корректор Л. Патай

Примечание, Редактор Н. Бобкова Заказ 2007 Тираж 511 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.ужгород, ул. Гагарина, 101

2

4

2,9

2,9

2,79

3, 10

3, 16

Направление роста кристаллов

Ф/s,В,, тл

3 52

3,95

3,58

3,58

3.,57

Под углом 90

Ч г

- - = в„, 51 1

Тл

0,21

0,36

0,28

0,15

0,13 с участками равноосновной струк туры

8,5

8,75

8,62

8,37

8, 125

123

123

Годен

II

lI

II

Брак