Пространственный многослойный диэлектрический фильтр для подавления боковых лепестков

Пространственный многослойный диэлектрический фильтр для подавления боковых лепестков

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в антенных системах СВЧ-диапазона для улучшения их характеристик. Сущность: четные слои диэлектрика, число которых равно по крайней мере двум, выполнены из однородной плазмы, у которой отношение эффективной частоты соударений к плазменной частоте меньше ее отностительной диэлектрической проницаемости на ребочей частоте. Плоскопараллельные слои диэлектрика помещены в герметичный корпус, в торцах которого перпендикулярных слоям диэлектрика, выполнены входные и выходные отверстия, присоединенные посредством патрубков соответственно к генератору плазмы и отсасывающему насосу, в каждом слое диэлектрика со стороны входного отверстия и в торце у выходного отверстия установлены датчики концентрации электронов плазмы, подключенные к входам блока управления, выход которого подключен к управляющему входу насоса. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

09) Ol> (Я)5 Н 01 (} 15/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, К А STOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4326961/24-09 (22) 10.11.87 (46) 23.07.90. Бюл . К- 27 (72) В.В.Козлояский, Ю.В.Меликьянц, Е.Е.Пьянков и В.И.Волошанюк (53) 621.372.54 (088.8) (56) Патент С1ДЛ - 4021812, кл. Н 01 Q 15/00, 1977.

2 (54) ПРОСТРЛНСТВЕННЫЙ МНОГОСЛОИНЫИ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИ11 ФИЛЬТР ДЛЯ ПОДАВЛЕНИН ВОКОВЫХ ЛЕПЕСТКОВ (57) Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в антенных системах СВЧ-диапазона для улучшения их характеристик. Целью изобретени я является новьппение эфI

1580472

4. фективности подавления боковых лепестков путем формироваиия одной полосы прозрачности и ее сужения.

Пространственный многослойный ди электрический фильтр (ПМДФ) для.подавления боковых лепестков содержит герметичный корпус 1, слои 2 диэлектрика, слои 3 плазмы, патрубок 4, генератор 5 плазмы,отсасывающий насос .

6, датчики 7 и 8 концентрации электронов плазмы и,блок управления 9. При работе ПМДФ поток 3 бесстолкновительной плазмы, создаваемой генерато ром 5 плазмы через патрубок 4 посту" пает в пространство между слоями 2

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в антенных системах СВЧ-диапазона для улучшения их характеристик.

Цель изобретения - повышение эф - . фективности подавления боковых лепестков путем формировайия одной полосы прозрачности и ее сужения.

На чертеже приведена структурная схема пространственного многослойного диэлектрического фильтра (ПМДФ)..

ПМДФ содержит герметичный корпус

1, слои 2 диэлектрика, слои плазмы.

3, патрубок 4, генератор 5 плазмы, ! отсасываюций насос 6, датчики 7 и 8 концентрации электронов плазмы и блок

9 управления.

ПМДФ работает следующим образом.

Поток бесстолкновительной плазмы

3, создаваемый генератором 5 плазмы, через патрубок 4 поступает в пространство между слоями 2 диэлектрика герметичного корпуса. 1 и далее через патрубок 4 к отсасывающему насосу 6.

Сигналы с выхода датчика 7 концентрации электронов плазмы, установленных в патрубке 4 (генератора 5 плазмы) и датчиков 8 концентрации электронов, установленных в слоях плазмы 3, сравниваются в блоке 9 управления, где вырабатывается сигнал на включение отсасывающего насоса 6 в случае неравенства амплитуд сигналов.

Вследствие одинаковой скорости ввода плазмы 3 в слои и ее отсоса на выходе достигается однородное распределение плазмы в пространстве между слоями, диэлектрика. i диэлектрика герметичного корпуса 1 и далее через патрубок 4 к отсасывающему насосу 6. Сигналы с выходов датчиков 7, 8 концентрации электронов сравниваются в блоке управления

9, где вырабатывается сигнал на включение отсасывающего насоса 6 в случае неравенства амплитуд сигналов.

Толщины слоев ПМДФ, их число и диэлектрические проницаемости подобраны так, что в требуемом интервале углов падения плоской электромагнит ной волны достигается минимальный коэффициент отражения, что обеспечивает узкую полосу прозрачности.

1 з.п. ф-лы, 1 ил.

При падении ьнешнеи электромагнитной волны перпендикулярно слоям ПМДФ ,(не показана) в каждом слое образует25 ся пришедшая и преображенная волны.

Толцины слоев, их количество и ди электрические проницаемости подобраны так, что в некотором требуемом интервале углов падения в результате интерференции всех волн достигается минимальный коэффициент отражения, образуя единственную узкую полосу прозрачности ПМДФ, и, как следствие; обеспечивается эффективное подавление боковых лепестков антенных устройств.

Требуемые пространственные избирательные свойства ПМДФ реализуются лишь при использовании в четных б слоях однородной плазмы с описанными параметрами, т.е. когда отношение эффективной частоты соударений к плазменной частоте меньше ее относительной диэлектрической проницаемости, при этом общее число слоев

ПМДФ может находиться в пределах

5- 15.

Формула изобретения

Пространственный многослойный диэлектрический фильтр для подавле- . ния боковых лепестков, содержащий нечетное число нлоскопараллельных слоев диэлектрика, о т л и ч а юц и и с я тем, что, с целью повышения эффективности подавления путем формирования одной полосы прозрачности и ее сужения, четные слои диэлектрика, число которых равно по крайней мере двум, выполнены из однородной плазмы, у которой отношение

Составитель О.Трошко

Техред N.Äèäûê .. Корректор . C meKMaP

Редактор О.Головач

Заказ 2018

Тираж 448

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изооретенилм и нв рютвалл при ГЕНТ СССР

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

5 1580474- d эффективной частоты соударений к плаз- стия, присоединенные посредством менной частоте меньше ее отнаситель- патрубков соответственно к генерато, ной диэлектрической проницаемости ру плазмы и отсасываияцему насосу, в

; на рабочей частоте. каждом слое диэлектрика со стороны

2. фильтр по п.l о т л и ч а ю- 5 входного отверстия и в торце у вышийся тем, что плоскопараллель- ходного отверстия установлены датчи» ные слои диэлектрика помещены в гер- ки концентрации электронов плазмы, метичный. корпус, в торцах которого, подключенные к входам блока управперпендикулярных слоям диэлектрика, ления, выход которого подключен к выполнены входные и выходные отвер.10 управляющему входу насоса.