Способ получения высокотемпературного магнитного экрана

Способ получения высокотемпературного магнитного экрана

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к керамической технологии получении изделий сложной конфигурации со сверхпроводящими свойствами и может быть использовано в злектронике, энергетике, машиностроении и биологии для изготовления магнитных зкранов из порошков сверхпроводящего состава, например, УВа2Сиз07-х (иттрий-бариевый. купрат). Цель изобретения - увеличение коэффициента экранирования (К), критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние (Тс), критической напряженности магнитного поля (Hci) и уменьшение температурного интервала перехода в сверхпроводящее состояние (АТсо). Способ получения высокотемпературного магнитного экрана включает засыпку порошка иттрий-бариевого купрата в резиновую оболочку, помещенную в матрицу пресс-формы; прессование при давлении 300-1500 МПа с выдержкой под давлением 10-20 мин, высверливание полости в отпрессованной заготовке и термообработку заготовки при 920-940°С в течение 4-6 ч, со скоростью нагрева и охлаждения до/от этой температуры 50-70°С/ч Оптимальные параметры составили; К 8 10 . Нс1 79,5 Э: Тс 90,5 К: АТсо 2,8 К. 1 табл. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 С 04 В 35/00 ю

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4630189/33 (22) 03.01,89 (46) 30,11.92. Бюл, М 44 (72) В,Т, Загоскин, Ю.Г, Литвиненко, Ю.Б, Малко, Э,Т. Могилко, В.А.. Павлюк, А.С. Пирогов, Ю.Ф. Помазунов. P.Ô. Рамакаева, В.П. Семиноженко и С,Г. Шешина (56) Введенский В.Л. и др. Сверхпроводимость, вып, l. Исследование высокотемпературных металлооксидных сверхпроводников, М., 1987, с. 78-85. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО МАГНИТНОГО ЭКРАНА (57) Изобретение относится к керамической технологии получении изделий сложной конфигурации со сверхпроводящими свойствами и может быть использовано в электронике, энергетике, машиностроении и биологии для изготовления магнитных экранов из порошков сверхпроводящего состава, например, УВагСцз07-х (иттрий-бариевый, Изобретение относится к керамической технологии получения изделий сложной конфигурации со сверхпроводящими свойствами и может быть использовано в электронике, энергетике, машиностроении и биологии для изготовления магнитных экранов из порошков сверхпроводящего состава, например УВа2Сцз07-, (иттрий-бариевый купрат).

Цель изобретения — увеличение коэффициента экранирования, критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние, критической напряженности магнитного поля и уменьшение температур.. Ж, 1586095А1 купрат). Цель изобретения — увеличение коэффициента. экранирования (К), критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние (Т,), критической напряженности магнитного поля (Нд) и уменьшение температурного интервала перехода в сверхпроводящее состояние (ATco). Способ получения высокотемпературного магнитного экрана включает засыпку порошка иттрий-бариевого купрата в резиновую оболочку, помещенную в матрицу пресс-формы, прессование при давлении 300 — 1500 МПа с выдержкой под давлением 10-20 мин, высверливание полости в отпрессоаанной заготовке и термообработку заготовки при 920 — 940 С в течение 4 — 6 ч, со скоростью нагрева и охлаждения до/от этой температуры 50 — 70 С/ч, у

Оптимальные параметры составили: К =8 10

; Нсз = 79,5 Э; Тс = 90,5 К; ЬТ п = 2,8 К, 1 табл. ного интервала перехода в сверхпроводящее состояние.

Пример. Порошок сверхпроводящего состава УВа2Снз07-х засыпают в цилиндрическую пресс-форму из закаленной стали, в которую плотно вставлен цилиндр из вакуумной резины с внутренним отверстием, соответствующим по диаметру внешнему диаметру прессуемой заготовки. После засыпки порошка в отверстие резинового цилиндра его плотно закрывают вкладышем из вакуумной резины и сверху вставляют пуансон.

flpeccosawe проводят на прессе Д24

34В. прикладывая давление 900 МПа в течение 15 мин, Отпрессованную заготовку из1586095 му и предлагаемому способам, были получены экраны с одинаковыми габаритными размерами: высота 40 мм, внутренний и внешний диаметр 11 и 13 мм соответственно. влекают из пресс-формы и выполняют в ней полость высверливанием. Затем ее нагревают на воздухе со скоростью 60 С/ч до

930 С. выдерживают при этой температуре в течение 5 ч и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 60 С/ч.

Для проведения сравнительных испытаний экранов, изготовленных по известноСравнительные свойства экранов (по примерам) приведены в таблице.

Формула изобретения

Способ получения высокотемпературного магнитного экрана. включающий формование заготовки с внутренней полостью из порошка сверхпроводящего состава

УВа СиэОт и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента экранирования, критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние, критической напряженности магнитного поля и уменьшения температурного интервала перехода в сверхпроводящее состояние, формование заготовки проводят путем изостатического сжатия с использованием в качестве передающей давление среды вакуумной резины под давлением 300-1500 МПа с выдержкой в течение 10-20 мин и последующего формирования полости высверливанием, а термообработку проводят при 920-940 С в течение 4 — 6 ч со скоростью нагрева и охлаждения до/от этой температуры 50 — 70 С/ч.

Т, С тг,ч

К 10 отн. е.

Т1, ОС/ч Р, т1,мин

МПа

Нс

Способ

Т2

ОС(ч

Пример

15 60

15 60

П редлэгаемый

15 (гО

10 t 60

20 60

15 50

Известный

Р - давление пресования;

1 - время выдержки под давлением;

Т1 - скорость нагрева;

Т - температура термообработки; - время выдержки при температуре термообработки;

Т - скорость охлаждения;

К - коэффициент экранирования;

Нс - напряженность критического магнитного поля;

Тс - критическая температура сверхпроводящего перехода;

ЬТ - температурный интервал сверхпроводящего перехода.

6 !

9

11 12

13

14

1500

ЩО

50ОС

8,0

7,7

7,9

7,8

7,9

7,9

7,9

7,8

8,0

7,4

7,9

8,0

7,8

7,9

8,0

1,0

7

7

7

7

7

7