Патент ссср 159233
Иллюстрации
Реферат
№ 109233
Класс Н 011; 21g, 1102
С 23f; 4Sd, 1
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
r:)1н> я
Подписная группа Ло П2
: i1 I::. ;-:,,":,:;. г,;у Ч
Г. В. Смирнов и В. А. Арсламбеков
h;\ ,ею>> е
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Заявлено 7 августа 1962 г. за Л" 791583 26-9 в 1(омитет по делам изобретений и открытий при Совстс Министров СССР
Опуб,зиковано в «Б оллстсне изобретен:.и н товарных знаков» ¹ 24 за 1963 г.
Известен способ обработки поверхности германия сое,п rcrlrlailrf фтора, например в парах фтористоводородной кислоты, с целью уменьшения скорости поверхностной рекомбинации неосновных носителей тока.
Предлагаемый способ обработки поверхности полупроводников отличается от известного тем, что:la поверхность полупроводника, папр1:мер, кремния, воздействуют безво1ным газообразным фтористым водородом, по химическому составу отличным от парог. фтористогодородной кислоты. Указанное отличие позволяет получить более стаб11льные и низкие зиаче1!ия скорости пове1зхпОстн01(реко:>1би11ац11и lieoel!o»ных носителей заряда.
CyIrrrIocTr предлагаемого способа заключается 1; следующем, Пластины кремния после шлифовки, нанесения lla их торцы ol:1актов и защиты этих контактов (Bo избежание их порчи при травлении) подвергаются тщательному химическому травлепгпо при комнатпой температуре в смеси четырех частей азотной и одной части плавпковой кислот, а затем промывают в бидистиллирова .1пой воде. После этого пластины помещают в .,1еталлический реактор, присосд;1псппый к вакуумной системе, и подвергают воздейстшпо сухого 11 чистого газообразного фтористого годоро:1а при давлении 30 — 30 л1л рт. ст. и кох1— иатпой температуре в течение 20 — 40 .11ин. Последоватсльиость воздействия ra30BI>lx сред иа Т1.1acTIIIII, кре >п1ия следую1ца11: aT >loeôeplf1>llf возДУX, ВаКУP >11> фтОРИСтЫЙ ВОДОР0;1. Ifar> > > ihf, aTI>IOC(f3eP II I>rif Вoa>;I > .>.
После такой обработки зиачеи;1я скорости поверхностной рекомбинации, измеренной во фтористом водороде, вакууме и воздухе, находятся в пределах 50 — 300 ся1/сек, т. е. в 10 — 20 раз ниже соответствуМ 159233 ющих значений на тех же образцах до обработки. Значения скорости поверхностной рекомбинации после обработки стабильны и хорошо Воспроизводятся от образца к образцу.
Обработка поверхности кремния по предлагаемому способу снимает гидратироваш1ую окисиую пленку и позволяет исключить применение воды при этом. Отсутствие воды ца поверхности полупроводника исключает основной источник нестабильности параметров поверхности, Предмет изобретения
Способ обработки поверхности полупроводников, например кремния, соединениями фтора, о т л к ч а ю шийся тем, что, с целью получсння низких и стабильных значений скорости поверхностной рекомби ац1н1 неосновных носителей заряда, поверхность кремния подвергают воздсйстви о безводного газообразного фтористого водорода.
Редактор С. Л. Богатырева Тсхред А. А. Камышиикова Корректор М. И. Козлова
Подп. к пси. 11, II — 64 г. Формат бум, 70 ); 1081;6 Объем 0,18 изд. л, Заказ 35-12 1 Тираж 500 Цсиа 5 коп.
ЦНИ11П11 Государстгс иого комитета по аслам изобрстсний и открытий СССР
Москва, UcIITp, пр. Серова, д. 4.
Типографии, п р. Сап уиоп а, 2.