Керамический материал для термокомпенсирующих конденсаторов

Керамический материал для термокомпенсирующих конденсаторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к материалам электронной техники и может быть использовано для изготовления термокомпенсирующих высокочастотных конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости при комнатной температуре и снижения температурного коэффициента диэлектрической проницаемости в интервале 125-750°С, керамический материал для термокомпенсирующих конденсаторов дополнительно содержит BI 3TINBO 9 и NANBO 3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:SR 2NB 2O 7 76,9-81,4

BI 3TINBO 9 16,6-19,7

NANBO 3 2,0-3,4. Полученный по обычной керамической технологии - температура спекания 1260-1280°С материал имеет следующие характеристики: ε при 20°С 110-126, TGδ при 20°С (13-15) .10 -4 ТКε в интервале 125-750°С (200-620) .10 -6 град -1, ρ V при 750°С (1,04-1,70) .10 6 Ом .см. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЩЮЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (5))$ С 04 В 35/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (2) ) 44) 3167/23 "33 (22) 20.04.88 (46) 30.09.90. Бюл. У 36(7)) Рижский политехнический институт им. А.Я.Пельше (72) И.В.Аболтиня, О.Т.Циновский, И.Э.Прусе и Л.Ф.Линдинь (53) 666.655(088.8). (56) Авторское свидетельство СССР

У 1318577, кл. С 04 В 35/00, )987.

Заявка Японии )) 57-145211 кл. Н 01 В 3/12, )982. (54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДПЯ ТЕРМОКОМПЕНСИРУЮЩИХ КОНДЕНСАТОРОВ (57) Изобретение относится к материалам электронной техники и может быть использовано для изготовления термокомпенсирующих высокочастотных конИзобретение относится к электронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления термокомпенсирующих высокочастотных . конценсаторов.

Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости при комнатной температуре и снижение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости в температурном интервале 125-750 С, Керамику на основе пирониобата стронция с добавками ниобата натрия и титаната HHo6GTa висмута-получают из карбонатов натрия, стронция, оксидов висмута, титана (все марки ч.д.а) и пятиокиси ниобия марки

РЭТУ-48-4-273-73.

„„SU„„1595817 А 1

2 денсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемос ти п ри комнатной температуре и снижения температурного коэффициента диэлектрической пронио цаемости в интервале 125-750 С, керамический материал для термокомпенсирующих конденсаторов дополннтель но содержит Bi TiNbOa и NaNbO при следующем соотношении компонентов, мас.%: SrTiNbO>

16,6-19,7; NaNbO 2,0-3,4. Полученный по обычной керамической технологии - температура спекания )2601280 С, материал имеет следующие характеристики Е при 20 С 10-126, йе. Р при . 20 C (13-15) 10, ТК Е в интервале () 25-750) С (200-620) . 1 0 град -, р,„п ри 750 С (1, 04-1, 70) 1 0 Ом см.

Составные части синтезируют отдельно (Бг НЬ|От при 900 С, NaNb() з при 800 С, В зТ !)ЬОз при 700 С по

2 ч) ° Смешивание и измельчение компонентов до и после синтезов осуществляют в яшмовом барабане в среде этилового спирта в течение 16 ч, за- 3 тем порошок брикетируют, Совместный синтез Бг Nb О с добавками NaNb03 и ВдзTiNb0y проводят при 100 С длительностью 4 ч.,Пля спекания образцы прессуют Ф = 0,012 м под давлением

)000 кгс/см . В качестве связки используют 3 %-ный водный раствор поливинилового спирта. Спекание керами ческих материалов проводят при 12601300 С 1 ч. На сошлифованные диски наносят платиновую пасту и вжнгают электроды толщиной 1 мк.

595817 4

Измерения электрофизических параметров проведены на частоте 10 Гц.

Формула изобретения

Химический состав материала приведен в табл. 1 свойства - в табл. 2.

5, Керамический материал для термокомпенсирующих конденсаторов на осНОВЕ Sr@Nb20 т И дОбаВКИ э О т Л Ич а ю шийся тем, что, .с целью повьппения диэлектрической проницаемости при комнатной температуре и снижения температурного коэффициента диэлектрической проницаемости в интервале 125-750 С, он содержит в качестве добавки Bi®TiNbO и NaNb03 при следующем соотношении компонентов, мас.%:

$гйNb207 76,9 - 81,4

Bi gTiNbOg 16,6 - 19,7

Таблица 2

Таблица 1

Содержание, мас.%

1 Г

Состав

Sr В2.8ТЗНЪО

3,4

18э?

?7,9

19,7

16,6

18,4

3,4

76,9

81,4

2,0

79,0

Свойства

Состав

Предлагаемый

Прототип. Оптимальная температура спекания, с 1260 1260

1280

l 270

132О-1400.Плотность р 10, кг/и

Диэлектрическая проницаемость при 20 С> Я те

4,8 4,8

4,8

4,9

4,8-5 0

126 . 125

120

11О

25-79

Диэлектрическая, проницаемость

<е при 750 С, К ><

Температурнь1й коэффициент емкости(ТК Е I

*104/ С, s интервале температур, С (-80) -25

210

2О1

2ОО эоо

180-203

+160 +160

+422 +430

+159 (-600) -О ("7 00) "45

+l 70

25-1 25

125-750

+625

+450

+4800-5010

+546

+550

+200

+620

Тангенс угла диэлектрических потерь, с8(Г10", при С

13 13

157 156

+15

+13

2,0-4,5

260-650

750

140

60 удельное электрическое сопротивление Я,, при

790 С, Ом см

1,04"10 1,04 10

1,7. IQI 1,6 10 (1,Q-1 3) 10

Составитель Л. Косяченко

Техред Л.т)лейник; Кор рек тор C. Шевкун

Редактор Н. Киштулинец

Заказ 2885 тир61ж 57 0 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СЧСР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/ 5

1, Производственно-издательский комбинат Патент, r. Ужгор д, у, . р

II I I p о л, . Гагарина 101