Способ выращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов

Способ выращивания эпитаксиальных пленок феррит-гранатов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для запоминающих устройств. Цель изобретения - увеличение скорости движения доменных стенок в пленках. Пленки выращивают на подложку из гадолиний-граната из переохлажденного раствора-расплава, содержащего BI<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB>, TM<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB>, FE<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB>, GA<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB>, NA<SB POS="POST">2</SB>CO<SB POS="POST">3</SB> и CAO, при 865-900*С. Значение скорости движения доменных стенок в пленках увеличено по сравнению с прототипом на 1-2 порядка. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

1597401 А 1 (19) (И) (51)5 30 В f9/04 29/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4477971/23-26; 4478599/23-26 (22) 30.08.88 (46)07.10.90. Бюл..¹ 37 (75) Н.А. Логинов и В.В. Рандошкин (53) 621.315.592(088.8) (56) Дудоров В.Н. Влияние температуры на интегральные характеристики импульсного перемагничивания пленок феррит-гранатов.-Физика твердого тела, Л., 1986, т. 28, вып. 5, с. 1549-1551. (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ФЕРРИТ-ГРАНАТОВ

;(57) Изобретение относится к техноло-

Изобретение относится к технологии микроэлектронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для доменных и магнитооптических устройств обработки и запоминания информации.

Целью изобретения является увеличение скорости движения доменных сте.нок в пленках, Пример. Пленки выращивают на установке УЭР-3. Гранатообразующие оксиды и растворитель общим весом

200 r взятые в необходимых пропорциях, загружают в тигель диаметром

40 мм, помещают в печь установки, нагревают до 1050-1100 С и гомогенизируют полученный раствор-расплав в течение 2-6 ч. После этого температуру снижают до значения T p = 865-900 С. В о расплав помещают подложку из гадолиний-галлиевого граната с ориентацией

2 гии электронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для запоминающих устройств. Цель изобретения— увеличение скорости движения доменных стенок в пленках. Пленки выращивают на подложку из гадолиний-галлиевого граната иэ переохлажденного раствора-расплава, содержащего Вт О

Tm203, Fe205, Gamous-, Na2C03 и СаО, при 865-900 С. Значение скорости дви жения доменных стенок в пленках увеличено по сравнению с известным на

1-2 порядка, 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

С: (111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры. Под- 2 ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.

Параметры пленок скорость движе:ния доменных стенок, коэффициент опти- 4 ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице.

Использование предлагаемого способа обеспечивает по сравнению с известным повьппение скорости доменных стенок в пленках на 1-2 порядка, что приводит к повьппению быстродействия магнитного материала — носителя информа1597401

Формула из обретения

Состав Содержание компонентов, мол.7.

Вь„оз тщ Оа ре оэ сатсэ т,ос V, м/с

На сов Сао

Коэффициент оптического по| лощення, см !

84,0

2 82,9

3 83,5

4 82,17

5 83,74

6 82,47

1800»

1500"

2900»

450»"

1520»»

870

1,78

1,96

1,86

1,82

1,67

1,91

11, 36

1 1,71

11,48

11,93

11, 36

111 71

1,30

1,61

1,46

1,53

1,42

1,59

1,56

1,82

1,7О

1,66

1,60

1,80

33

0,29

0i 21

0,52

ЕСкорость доменных стенок при действующем магнитном поле Н 350 Э.

»Скорость доменных стенок при действующем магнитном поле Н 250 Э.

Составитель Е. Лебедева

Техред.Л.Олийнык Корректор M. Пожо

Редактор И. Дербак

Заказ 3033

Тираж 343

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 ции за счет, например, снижения времени переключения ячеек магнитооптического управляемого транспаранта, повьппения частоты работы запоминающих устройств и т.д.

1. Способ выращивания зпитаксиаль- 1О ных пленок феррит-гранатов на подлож-, ке из гадолиний-галлиевого граната из переохлажденного раствора-расплава, содержащего компоненты В 04, 7m 0>, Fe<0 >, Ga<0> и На СОз, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения скорости движения доменных стенок в пленках, соотношение компонентов берут равным, мол.Ж:

Fe

Tm з 1, 30-1,61

СадО z 1, 67-1, 96

Иа СО 1, 56-1,82

Bi Oa Остальное а выращивание ведут при 865-900оС.

2, Способ по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повьппения прозрачности пленок, в раствор-расплав дополнительно вводят СаО при следующем собтношении компонентов, мол.Ж:

Fe Оз 11, 36-11, 93

TmÔ0з 1, 42-1, 59

Ga 0з 1,6?-1,91

Na>C0y 1, 60-1, 80

СаО 0,21-0,52

В,О, Остальное а выращивание ведут при 870-900 С.