Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре

Реферат

 

Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре, например для генерирования электрических колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности активного элемента, через полупроводниковую структуру диодного типа пропускают в прямом и обратном направлении электрический импульс для инициирования в ней необратимого электрического или термоэлектрического пробоя с последующей подачей на образованный нелинейный элемент рабочего тока и напряжения.