Устройство для сверхвысокочастотного нагрева
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - обеспечение нагрева пленочных резисторов (ПР) 3 на сетчатой подложке 4 и повышение эффективности нагрева. Устройство СВЧ-нагрева содержит СВЧ г-р, с выходом которого соединен корпус, в котором расположена рабочая камера (РК), выполненная в виде отрезка 1 волновода Н - образного сечения, вдоль оси которого в узких стенках 2 прорезаны щели для размещения обрабатываемого материала - ПР 3, размещенных на подложке 4. Подложку 4 с ПР 3 устанавливают в кассету 9 и размещают в РК. РК помещается в резонансную камеру микроволновой печи. При ее включении СВЧ-мощность возбуждает в РК типы волн, соответствующие его размерам и граничным условиям. Т.к. стенки 2 снабжены с двух сторон выступами 5 и 6 треугольной формы и попарно соединены перемычками 7 и 8 из электропроводящего материала, в зоне расположения этих выступов 5 и 6 с перемычками 7 и 8 формируется волна, которая, распространяясь по волноводу, реализует объемный прогрев ПР 3. Это способствует эффективному и кратковременному дублению ПР 3. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 Н 05 В 6/64
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГННТ СССР (21) 4215257/24-09 (22) 23.03.87 (46) 23.10.90. Бюл. № 39 (72) Ю. Л. Шворобей, М. М. Безлюдова, А. А. Осипов, М, Ф. Трегубенко и В. М. Абдусаламов (53) 621.396.55 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 598275, кл. Н 05 В 6/64, 1975.
Пюшнер Г. Нагрев энергией сверхвысоких частот. — М.: Энергия, 1968, с. 124 и 125. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СВЕРХВЫСОКО.—
ЧАСТОТНОГО НАГРЕВА (57) Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения — обеспечение нагрева пленочных резисторов (ПР) 3 на сетчатой подложке 4 и повышение эффективности нагрева. Устр-во СВЧ-нагрева содержит СВЧ-г-р, с выходом которого соединен корпус, в котором расположена рабочая камера (РК), выполненная в виде
„„SU„„16()1785 А1 отрезка 1 волновода Н-образного сечения, вдоль оси которого в узких стенках 2 прорезаны щели для размещения обрабатываемого материала — ПР 3, размещенных на подложке 4. Подложку 4 с ПР 3 устанавливают в кассету 9 и размещают в РК. РК помещается в резонансную камеру микроволновой печи. При ее включении СВЧ-мощность возбуждает в РК типы волн, соответствующие его размерам и граничным условиям. Т. к. стенки 2 снабжены с двух сторон выступами 5 и 6 треугольной формы и попарно соединены перемычками 7 и 8 из электропроводящего материала, в зоне расположения этих выступов 5 и 6 с перемычками 7 и 8 формируется волна, которая, распространяясь по волноводу, реализует объемный прогрев
ПР 3. Это способствует эффективному и кратковременному дублению ПР 3. 2 з. и. ф-лы, 1 ил.
1601785 формула изобретения
Составитель Е. Адамова
Редактор Н. Бобкова Техред А. Кравчук Корректор Н. Король
Заказ 3279 Тираж 683 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитет; по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
l l 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101
Изобретение относится к радиотехнике, в, частности к средствам обработки фотофезисторов в электромагнитном поле сверхI
ысоких частот.
Целью изобретения является обеспечение нагрева пленочных резисторов на сетчатой подложке и повышение эффективности нагрева.
На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид.
Устройство для сверхвысокочастотного
«(агрева содержит СВЧ-генератор (не показан), рабочую камеру, выполненную в виде а трезка 1 волновода Н-образного сечения, вдоль оси которого в узких стенках 2 прор1езаны щели для размещения обрабатывае$oro материала — пленочных резисторов 3 (I1P) на сетчатой подложке 4, части узких енок 2, образованные узкими стенками 2, азделенные щелью, снабжены с двух сторон
ыступами 5 и 6 треугольной формы в лоскости узких стенок 2, причем выступы и 6 треугольной формы противоположных узких стенок 2 попарно соединены перемычками 7 и 8 из электропроводящего материала, угол выступов 5 и 6 находится в интервале 60 — 70, а диаметр перемычек 7 и 8 равен (0,025 — 0,05)Л, где
Л вЂ” длина волны.
Устройство для сверхвысокочастотного нагрева работает следующим образом.
Сетчатую подложку 4 с нанесенным на нее ПР 3 (эксперименты проводились с фоторезистором марки ФП) устанавливают в кассету 9 и размещают в рабочую камеру. Рабочую камеру помещают в резонансную камеру микроволновой печи, при включении которой СВЧ-мощность возбуждает в рабочей камере типы волн, Соответствующие его размерам и граничным условиям. В зоне расположения выступов 5 и 6 с перемычками 7 и 8 формируется в соответствии с формой возбудителя волна, которая может распространяться в волноводе. Эта волна, распространяясь по волноводу, реализует объемный прогрев ПР 3, одновременно вследствие омических потерь в стенках волновода и в сетчатой подложке 4. Поднимается температура кассеты 9, и к объемному
СВЧ-воздействию добавляется тепловой прогрев ПР 3. Это способствует эффективному и кратковременному (до 16 мин) дублению ПР 3, нанесенного на сетчатую подложку 4.
По сравнению с базовым объектом, в качестве которого принят типовой технологический процесс дубления пленочного фоторезистора МЖ017100040, химическая устойчивость обработанного фоторезистора к спиртам ° и кетонам повышается в 3 — 4 раза, а время обработки снижается в 2 — 2,5 раза.
Опытные исследования макетного образца предлагаемого держателя при дублении партии из 250 ФР показывают его высокую эффективность.
1. Устройство для сверхвысокочастотного нагрева, содержащее СВЧ-генератор, рабочую камеру, выполненную в виде отрезка волновода Н-образного сечения, вдоль оси которого в узких стенках прорезаны щели для размещения обрабатываемого материала, отличающееся тем, что, с целью обеспечения нагрева пленочных резисторов на сетчатой подложке и повышения эффективности нагрева, части узких стенок, образованные узкими стенками, разделенные щелью, снабжены с двух сторон выступами треугольной формы в плоскости узких стенок, причем выступы треугольной формы противоположных узких стенок попарно соединены перемычками из электропроводящего, материала, рабочая камера расположена в введенном корпусе, соединенном с выходом СВЧ-генератора.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что угол выступов треугольной формы находится в интервале 60 — 70 .
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что диаметр перемычек из электропроводящего материала равен (0,025—
0,05)Л, где Л вЂ” длина волны.