Полумостовой транзисторный инвертор

Полумостовой транзисторный инвертор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитания и автоматики. Цель изобретения - повышение надежности путем уменьшения динамических потерь при переключении транзисторов. Полумостовой инвертор содержит два транзистора 1 и 2 разного типа проводимости. Транзисторы 1 и 2 управляются от генератора управляющих импульсов 19 через управляющий трансформатор 15. В контур тока базы транзисторов 1 и 2 входит первый резистор 12, шунтированный первыми диодами 10,11. Благодаря этому на этапе рассасывания избыточных носителей в одном из запирающихся транзисторов 1(2) падение напряжения на резисторе 12 препятствует отпиранию другого транзистора 2(1). 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИК

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 02 M 7/538

1 ; .1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А8ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

pl °

j 3

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4232958/24-07 (22) 22..04.87 . (46) 30.11.90. Бюп. Ф 44 (71) Институт кибернетики АН ЭССР (72) M.Ê. Рохтла, М.Э. Раудсепп и К.Я. Линдвере (53) 621.314. 58(088.8) (56 ) Патент США Р 4 0514 26, кл. Н 02 M 7/537, 1977.

Патент США Ф 2783384, кл, 331-113, 1957, (фиг. 8) . (54) ПОЛУМОСТОВОЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕРТ0Р .(57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитания и автоматики, Цель изобретения - пое

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в системах вторичного электропитания и автоматики.

Цель изобретения — повышение надежности путем уменьшения динамических потерь при переключении транзисторов.

На чертеже схематически изображен полумостовой транзисторный инвертор.

Инвертор содержит транзисторы 1 и 2 разного типа проводимости и два конденсатора 3 и 4, образующие полумостовую схему. В выходную диагональ включен силовой трансформатор 5, содержащий первичную 6 и вторичную

7 обмотки. Вторые диоды 8 и 9 образуют цепь возврата силового инверто„„SU„„1610571 А1

2 вышение надежности путем уменьшения динамических потерь при переключении транзисторов. Полумостовой инвертор содержит два транзистора 1 и 2 разного типа проводимости. Транзисторы 1 и 2 управляются от генератора 19 управляющих импульсов через управляющий трансформатор 15. В контур тока базы транзисторов 1 и 2 входит первый резистор 12, шунтированный первыми диодами 10, 11. Благодаря этому на этапе рассасывания избыточных носителей в одном из запирающих транзисторов 1 (2) падение напряжения на резисторе 12 препятствует отпиранию другого транзистора

2 (1). 1 ил.. ра тока нагрузки в источник питания.

Иежду эмиттерами транзисторов 1, 2 последовательно в прямом направлении включены первые диоды 10, 11, каторые шунтируют включенный между эмитгерами транзисторов первый резистор

12. Базы транзисторов 1, 2 соединены с одинаковыми концами вторичных обмоткой 13, 14 управляющего транс- . форматора 15 через вторые резисторы

16 и 17. К первичной обмотке 18 трансформатора 15 подключен генератор 19 управляющих прямоугольных импульсов.

Инвертор работает следующим образом, При подаче постоянного напряжения питания происходит заряд конденсаторов 3 и 4 и распределение напря1610571 кения на обратных сопротивлениях диодов 8-11 и коллекторно-эмиттерных переходах транзисторов 1, 2. При равенстве обратных сопротивлений диодов 8-11 и емкостей конденсаторов

3, 4 на обоих концах первичной обмотки 6 силового трансформатора 5 устанавливается одинаковое напряжение, равное половине входного напряжения. Приложенное к коллекторноэмиттерным переходам транзисторов

1, 2 напряжение вызывает ток, создающий падение напряжения на прямом сопротивлении диодов 10, 11 и резисторе 12, запирающее транзисторы и 2.

При поступлении отпирающего .управцяющего импульса на вход транзистора 1 аналогичный запирающей импульс прилагается к базе транзистора 2.

Отпирание транзистора 1 подключает отрицательный входной вывод к началу первичной .обмотки 6 силового трансформатора 5, При изменении полярности управляющего импульса происходит запирание транзисгора 1 и отпирание транзистора 2. Так как рассасывание носителеи задерживается в транзисторе

1, то существует период одновременной проводимости обоих транзисторов. Возникающее под.действием сквозного тока падение напряжения на диодах 10 °

11 создает отрицательную связь и смещение рабочих точек транзисторов

1, 2. Вследствие этого сквозной ток

Ограничивается и потери мощности в транзисторах уменьшаются. Переходный процесс заканчивается после полного рассасывания носителей в транзисторе 1 и его надежного запирания.

Во время процесса рассасывания транзистор 2 находится в линейном режиме

Падение напряжения на резисторе 12 вычитается из напряжения управления, транзисторов 2 и снижает ток его базы.

Формула из о бр ет ения

Полумостовой транзисторный ннвертор, содержащий два подключенных к входным выводам инвертора согласнопоследовательно соединенных конденсатора, точка соединения которых образует первый выходной вывод инвертора, два транзистора разного типа проводимости, подключенных коллекторами к входным выводам инвертора, и управляющий трансформатор с первичной обмоткой, подключенной к генератору управляющих импульсов, и вторичными обмотками, связанными с базовой цепью транзисторов, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности путем уменьше25 ния динамических потерь при переключении транзисторов, между эмиттерами транзисторов включен введенный первый резистор, шунтированный введенной цепочкой из двух согласнопоследовательно соединенных первых диодов, включенных согласно с направлением проводимости транзисторов, причем точка соединения первых диодов подключена к второму выходному выводу через введенные вторые диоды, включенные встречно первым диодом, к каждому из входных выводов инвертора, а указанная связь вторичных обмоток выполнена так, что каждая иэ

4p ННх через введенный Второй pesHcTop включена между базой одного транзистора и эмиттером другого транзистора.

1610571

Составитель В. Моин

Техр ед М,Дидык Корректор С. Черни

Редактор А. Маковская

Заказ 3744 Тираж 499 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент"„ г. Ужгород, ул. Гагарина, 101