Патент ссср 161076

Патент ссср 161076

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс

2I g I 1ôç

42е, 19

МПК

Н Oll

G Off № 161016

f.If.!963 (М 8I8794>26-9) 09Л!3.1964. Бюллетень ЛЬ 6

УДК

- - - 3./; 3 ) г -. ) )j

И "

11:ХЦИ:./-(1; 37

А. В. Нагорный

ДОЗИРУЮЩЕЕ УСТРОИСТВО г

1 ь. Ь fa!) rr

Известны устройства для бескассетного внллвленffÿ электродных сплавов в полупр(и(оливковые материалы, в которых лозиронлние объема электродного сплава осущестля Tc)3 с помощью механических cllcTcì подл lll рлспллвл. Известны также устройства для дозирог)линя малых количеств высоковязких материалов.

Предложено дозирующее устройстго для осуществления бескассетно)о вплавлепия электродных сплавов в полупроводниковые материалы, отличающееся от известных тем, что оно содержит держатель, в котором полупроводниковый кристалл закреплен в горизонтальной плоскости, и два питающих уз 3, клждь)й из которых состоит из сосуда и питателя, заполненных расплавом. Ка>кдый из питлтелей, под/гер>киваю)цих в сосуде постоянпый уровень расплава, представляет собой колбу, опрокинутую вверх дном, заполнеппую рлсплавом и погру>кенную открытым конном в сосуд с расгглавом, При этом уровень расплапа в колбе выше уровня расплава в сосуде, В сосуд, из которого поступает расплав для образования верхнего электрода, погружен одним конном сифон в ниде трубки П-образной формы, одип из копцо)3 которой, не погруженный в сосуд, закапчивается капилляром. Конец капилляра расположен ниже уровня расплава в сосуде, Сосуд, из которого поступает расплав для образования нижнего электрода, оканчивается горизонтальным отводом в аиде трубки с капилляром на конце, который загнут вертиФ

П()дгтсипя группа М б2

МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ кл 7 I>llo вг)(Р х. От(«1 f) CTII(к ли ил ли () (3 c)I (j) oil() расположено плд fl(рх ней п )оскостью иолуf1j)OlIO ll1II I(OIIOf O К )и(Til ЛЛ() . j(il П. Iн f) il(ll 1(1 36

ПОП л Лл Ют 13;1 к р нет (3. 1. I Il h .7 C j) >I(II II;I IOTC II c 1 I, 111hl l I f1 0 I)CD (I I OCT I I 0 I О I I il i If >I((. I I l I II .

jja черте>ке изобрл>кспо предллглсмое устройство.

Устройство состоит из сосуда 1 с клпнллярпой трубкой 2, питлтеля 7, сосу:)л -/, сифона с капиллярпой трубкой 5, нитлтслн 6 и держателя 7 кристалла. Сосуды 1 и / злполняютс) расплавом, ypol)IIII расплава в сосудах почдерживаготся пнтлтслями,3 и 6, f)il()()таюн(ими по принципу автоматической поилки. Зл счст разности высот /г, и /ге f)013licjl

Р ЛСП 7Л В(3 If 131>1ХО, l(i1 КЛ 111 1.7ßf)0!3 f) i)CIIЛ 1313 III>1тскает через клпиллярllûc отверстия и ()брлзует капли, объем которых зависит от вели чипы поверхностного IlaT)I>Ice)I)Is) рлспллвл и величин /г, и /г, тлк как при некотором нх соотиошспии столб расплава удержи()летел поверхностным патя>кением. Сосуды и питатели изготовляготся из несмачиваемого pilcпланом матери.)лл.

Спстема с отрегулированными уровнямн работлет до полного расхоla расплава из питателей. Устройство помещается Il !3(>ccT;I новитсльную газовую среду с температурой; обеспечивающей нужный режим chla«311)all)I)I кристаллов расплавом.

Предлагаемое устройство позволяет упростить операцию дозировапия расплава и по. высить ее точпость. № 161076

Предмет изобретеиия

Составитель Чебоксарова

Техред Т. П, Курклко Корректор В. П. Фомина

Редактор Кутафина

Подп. к печ. 31/ill — 64 г. Формат бум. 60Х90 /е Объем 0,23 иэд. л.

Заказ 652/4 Тираж 925 Цена 5 кон.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Иосква, Центр, пр, Серова, д. 4.

Типография, пр, Сапунова, 2, 1. Дозирующее устройство для бескассстного нпланлсиия элсктрочиых спланон н полупронод»п»коные млтериалы, отл и ч а юще е с я тем, что, с целью упрощения и повышения точности дозиронаиия расплава, оио содержит держатель, в котором полупронодииконь»й кристалл злкрсплси в горизонтальиой плоскости, и lнл llèò Iþùïx узла, каждый из которых состоит из сосуда и питателя, заполис»ии»х распляном.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что каждый из питлтслсй, поддерживающих всосуд,е постояииым уровень расплава, представляет собой колбу, опрокинутую вверх диом, заполиеииую расплавом и погружеииую открытым концом в сосуд с расплавом, при этом уровень расплава в колбе выше уровня расплава в сосуде.

3. Устройство cln I». 1, о т:I li ке!» Пижс l 1)опия расплава и сосуде.

4, Устройстго по п. 1. отл l«I л юи»ссся тем, ITo сосуд, из которого поступлст р »сплав дли Of)1)»1:Iol»0»iè»I llii>K»lcl элсктРО.!л, окяичинлстся горизоитлльиым Отводом и ш»де трубки с капилляром иа конце, которь»й зап»ут вертикально вверх, а отнсрстие рлсположеио ниже урок»я >кидкост»! н c0cóëc.

5. Устройство по пп. 1, 3, 4, о т л и ч à lo щ ее с я тем, что отверстие капилляра сифона расположено иад верхней плоскостью полупроводиикового кристалла, а отверстие капилляра другого сосуда — у его нижней плоскости.