Патент ссср 161127

Патент ссср 161127

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИС HNE

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ,Л,ЕТЕЛЬСТВУ

К 161127

Класс

406, 1зе

МПК

С 22Ь

Заявлено 03.1.1962 (№ 768444/22-2) ГОСУДАРСТВЕННЫИ

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР

Опубликовано 09.111.1964 г. Бюллетень № 6

УДК

Подписная группа № 1б

В. Н, Маслов, А. А. Давыдов и Н. М, Деменков

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ДЕНДРИТНЫХ ЛЕНТ ИЗ РАСПЛАВА

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Предмет изобретения

Известен способ выращивания дендритных полос (пластин) большой ширины из полупроводниковых материалов с использованием дендритной затравки, расположенной под углом 120 к направлению выращивания.

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что дендритная лента стягивается с поверхности находящегося в лодочке расплава полупроводникового материала в горизонтальном направлении. Это позволяет регулировать форму фронта кристаллизации, скорость кристаллизации и равномерное распределение легирующих добавок, а также дает возможность стабилизировать процесс.

На чертеже схематически изображена установка для осуществления предлагаемого спосооа.

Расплав полупроводникового материала находится в лодочке 1 из кварца или графита, которая заключена в кварцевую трубу 2, имеющую кварцевые окна 8 и 4. Первое из этих окон служит для наблюдения за процессом, второе — для пропускания теплового излучения от дополнительного нагревателя на поверхность расплава. Кварцевая труба 2 вместе с лодочкой 1 помещается в электропечь 5.

Процесс ведут как в вакууме, так и в атмосфере инертного газа. В последнем случае возможно обдувание поверхности расплава газовой струей через трубку б для локального охлаждения. Лодочку нагревают преимущественно снизу, чтобы обеспечить необходимый температурный градиент в расплаве.

После расплавления полупроводникового материала мощность нагревателя понижается, поверхностный слой переохлаждается на

8 — 12 С и затравка 7 приводится в тангенциальное соприкосновение с мениском расплава 8.

Затравка закреплена на штоке 9 затравкодержателя, совершающего во время затравливания и стягивания дендритной ленты возвратно-поступательное движение по направляющим 10 от электропривода.

Локальное изменение температуры в поверхностном слое расплава, а следовательно, регулирование формы фронта и скорости кристаллизации, достигаются при помощи дополнительного нагревателя и фигурного экрана 11. В качестве дополнительного нагревателя используют источник сфокусированного или направленного ИК-излучения. Скорость стягивания дендритной ленты 12 с поверхности расплава равна скорости ее роста.

Способ выращивания дендритных лент из расплава полупроводниковых материалов, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью получения лент с равномерным распределением легирующих примесей, исходный расплав подвергают нагреву преимущественно снизу и ло№ 161127

ИК-излучение

Составитель Г. А. Григоренко

Редактор В. П. Липатов Техред А. А. Камышникова Корректор Новичкова

Подп. к печ. 6/VIII — 64 г. Формат бум. 60X90 t s Объем 0,1 изд. л.

Заказ 183411 Тираж 700 Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам нзобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2 кальному охлаждению инертным газом при этом форму фронта кристаллизации и скорость кристаллизации регулируют при помощи дополнительных нагревателей, в качестве которых используют источник ИК-излучения, а полученную ленту непрерывно стягивают с поверхности расплава в горизонтальной плоскости.