Патент ссср 161571
Иллюстрации
Показать всеРеферат
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
O lI N CA.H И Е
И 0Б РЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕ цр<уру
М 161571
Класс
42m, 14,в
21а<, 36,, МПК
G 06f
Н 0З1
Заявлено 06.Ч11.1962 (№ 786633/26-24) ГОСУДАРСТВЕН НЫИ
КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ
ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ
СССР
УДК
Опубликовано 19.111.1964. Бюллетень ¹ 7
Подписная группа Л6 145
А. Г. Филиппов
МНОГОВХОДНОЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ЗАПРЕТА
Известны многовходные динамические элементы за прета на полупроводниках, задержка информации в которых основана на сохранении неосновных носителей в области базы при отсутствии коллекторного питания.
Описываемый элемент запрета отличается or известных тем, что для повышения быстродействия и надежности в работе он содержит последовательно соединенные логическую диодную схему, запоминающую емкость и импульсный усилитель на полупроводниковом триоде.
Емкость включена в базу триода усилителя и работает в режиме заряда и разряда от генератора двухполярных импульсов.
Задержка информации осуществляется при сдвиге между собой первой и второй полуволн питающих главных импульсов, которые заряжают и разряжают запоминающую емкость.
На фиг. 1 изображена логическая схема описываемого элемента; на фиг, 2 — принципиальная схема двух элементов.
На один из входов диодной логической схемы запрета СЗ подаются импульсы от генератора импульсов, на остальные входы — запрещающие сигналы.
С выхода схемы запрета импульс поступает на элемент задержки 93, где задерживается на полтакта импульсов генератора. Затем сигнал усиливается усилителем У, для возможности работы на несколько элементов запрета.
Элементы первого и второго полутактов (фиг. 2) различаются между собой фазой импульсов генератора: главные импульсы первого полутактового элемента, поступающие пз генератора 1, и импульсы второго пслутактового элемента, поступающие из генератора 2, сдвинуты между собой на полпернода.
Часть схемы элемента, включающая сопротивление 3 и диоды 4 и 5, со входами генератора 1 (нли 2) является днодной схемой запрета. Число входов может быть увеличено подключением к сопротивлению 8 дополнительных диодов, Емкость б является элементом памяти, задерживающим информацию на полтакта.
Усилитель выполнен на триоде 7 и трансформаторе 8 и является обычным насыщенным импульсным усилителем.
Если ни на одном из вхсдов элемента нет запрещающих сигналов, то положительная полуволна одного из генераторов через сопротивление 8 и диод 9 заряжает емкость б, потенциал правой обкладки которой в процессе зарядки равен прямому падению напряжения на диоде 9, а потенциал левой обкладки стремится к амплитудному значению напряжения генератора импульсов.
Для того, чтобы диоды 4 и 5 оставались закрытыми во время зарядки емкости б, входные сигналы должны быть больше некоторого положительного уровня + Е1 (напряжения смещения).
Во время зарядки емкости триод 7 закрыт положительным напряжением на базе, равным прямому падению напряжения на диоде 9, № 161571
Предмет изобретения
Фиг г
Составитель Г. Чуйко
Редактор П. Шлаин Техред Ю. В. Баранов Корректор Ю. М. Федулова
Поди. к печ. 8/V — 64 г. Формат бум. 60 X 90 /а Объем 0,23 изд. л.
Заказ 1012/13 Тираж 775 Цена 5 коп.
ЦНИИПЯ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2
С приходом отрицательной полуволны с генератора импульсов начинается разрядка емкости б через сопротивление 8 и базу триода 7, который открывается и насыщается. На выходной обмотке трансформатора формируется отрицательный импульс, который подается относительно уровня+ Е1 на вход следующего элемента.
В процессе перезарядки емкости потенциал левой обкладки стремится к отрицательному значению напряжения генератора импульсов.
Триод насыщается до окончания отрицательной полуволны. С приходом следующей положительной полуволны триод закрывается током через сопротивление 10 и диод 11.
Если с приходом положительной полуволны на один из входов элемента из генератсра импульсов поступит отрицательный запрещающий сигнал с амплитудой, равной или несколько большей, чем Е + Е2 (E> — напряжение смещения), то емкость заряжаться не будет.
Потенциал левой обкладки емкости останется приблизительно на тоц,же уровне, каким он был в конце разрядки, и с приходом следующей отрицательной полуволны емкость не будет разряжаться и триод останется закрытым.
Таким образом, импульс на выходе усилителя формируется только в том случае, если на вход элемента не подан запрещающий сигнал, т. е. осушествляется логическая операция запрета или инверсии.
Мнсговходной элемент запрета можно рассматривать как ячейку, выполняющую логическую операцию «ИЛИ-НЕ», и использовать его для выполнения самых разнообразных логических функций.
Многовходной динамический элемент запрета, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности в работе, он содержит последовательно соединенные логическую диодную схему, запоминающую емкость и импульсный усилитель на полупроводниковом триоде, в базу которого включена емкость, работающая в режиме заряда и разряда ст генератора двухполярных импульсов.