Конденсаторный микрофон

Конденсаторный микрофон

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электроакустике . Цель изобретения - повышение надежности работы путем повышения влагоустойчивости. Конденсаторный микрофон содержит неподвижный кремниевый электрод 1, полимерную мембрану 5 и изоляционную кольцевую прокладку 4 между ними. Обращенные друг к другу поверхности неподвижного электрода и мембраны покрыты электретной пленкой 2 оксида кремния SiO и металлической пленкой 6 соответственно. На свободную поверхность электретной пленки 2 нанесена полиэтилентерефталатная пленка толщиной 10-20 мкм. 1 ил. с «

союз советсних саавлистичксних гкспюлин

А1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ по изсвретениям и атнрцтинм

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4635782/10 (22) 24.10.88 (46) 15.01.91. Вюл, ¹ 2 (71) Киевский институт народного хозя иства (72) Г. В. Рябченко, Д.М, Колотило, Н р С р Бром, А, А, Иванов и В . К, Шурдук (53) 534. 232(088. 8) (56) Патент ФРГ № 332596 1, кл.. Н 04 R 17/00, 1985.

The j, of Ье Acoustical society

of America. 1984, ч. 74, ¹ 4, р. 1297-1298.

„„SU„„1621184 (g1)g Н 04 R 19/01, 19/04

2 (54) КОНДЕНСАТОРНЫЙ МИКРОФОН (57) Изобретение относится к электроакустике, Цель изобретения — повышение надежности работы путем повышения влагоустойчивости. Конденсаторный микрофон содержит неподвижный кремниевый электрод 1, полимерную мембрану 5 и изоляционную кольцевую прокладку 4 между ними, Обращенные друг к другу поверхности неподвижного электрода и мембраны покрыты электретной пленкой 2 оксида кремния SiO< и металлической пленкой 6 соответственно. На свободную поверхность электретной пленки 2 нанесена полиэтилентерефталатная пленка толщиной 10-20 мкм.

1621184

Изобретение относится к электроакустике, Целью изобретения является повышение йадежности работы конденсаторного микрофона путем увеличения его влагоустойчивости.

На чертеже приведен конденсаторный микрофон.

Конденсаторный микрофон садер- 10 дит неподвижный электрод 1, представляющий собой полированную до 14-го класса пластину монокристаллического кремния марки КЗФ 4,5 с ориентацией

," 111 > толщиной 300 мкм, размером 15

6 х 6 мм и отверстием В 0,8-1 мм, 2 оксидную пленку 2 толщиной 1,3-2 мкм, -.полученную методом Влажного окисления при температуре 1000+1 С, защитное покрытие 3 толщиной 10-20 мкм, полу- 20 ченное методом наплавления под давле,нием более 0,2 MIa полиэтилентерефталатной (ПЗТФ) пленки (ТУ 6-05- 1794-76), кольцевую прокладку 4 из ПЗТФ пленки толщиной 10-20 мкм, мембрану 5 из 25

ПЗТФ пленки толщиной 5-10 мкм, металлическое покрытие 6 на поверхности мембраны, обращенной к неподвижному электроду i воздушный зазор 7 5—

10 мкм, отверстие 8 ф 0,8-1 мм, кар- 30 пус 9, акустический объем (полость

10) и металлическое (алюминиевое) покрытие 11 на электроде.

Защитное покрытие из ПЗТФ пленки

35 толщиной 10-20 мкм наплавляли на по" верхность оксидных пленок да их электризации в коронном разряде..Наплавление производили под давлением более

0,02 ИПа через фторопластавую прокладку -толщиной 10-50 мкм, расположенную между пленкой ПЗТФ и.нагрузочным механизмом. Фтаропластовую прокладку использовали в качестве материала, предохранящего прилипание расплавлен ной ПЭТФ пленки к нагрузочному механизму (металлическому ц«линдру или подпружиненному штоку), При давлении .менее 0,02 МПа пленка ПЗТФ в процессе расплавления сокращалась в размеаах и

«50 неравномерно покрывала рабочую поверхность. Толщину ПЗТФ пленки ограничивали величиной 10-20 мкм в связи с тем, что при толщине менее 10 мкм ухудшались влагозащитные свойства покрытия, а при толщине ПЗТФ более 20 мкм рез55 ко уменьшалась чувствительность преобразователя из-за сокращения плотности индуцируемого заряда на мембране с увеличением расстояния между заряженной поверхностью SiO и мембраной, Электризацию образцов (кристаллов с пленкой 8 0 и защитным покрытием) осуществляли в течение 15-30 с при температуре 16015 С постоянным налряжением 4-5 кВ с;.отрицательным смещением на игольчатом электроде. Расстояние ат иглы до поверхности образцов составляло 9-10 мм.

При температуре электризации 160+

+5 С наблюдалась оптимальная влагостойкость заряженных пленок SiO и формировалась наиболее устойчивая модификация гидрофобного кремнийорганического соединения °

Испытания ПЭТФ пленок, нанесенных на металлические подложки, показали, что ПЭТФ пленки в отличие от других защитных покрытий, используемых в мик. роэлектронных устройствах, не заряжались в короне при повышенной температуре. После электризации SiO пленок с нанесенным защитным покрытием проводили испытания их на влагостойкость путем выдержки в закрытом эксикаторе с водой и периодического измерения потенциала поверхности методом компенсации (ГОСТ 25209-82), Потенциал поверхности сразу после электризации на образцах размером 6 х 6.мм составлял

300-400 Б при толщине оксицных пленок ! 1,3 мкм, Исследования показали, что влагостойкость SiO электретов с покрытием

ПЭТФ не уступает влагостайкости электретов из фторопласта при соответствующем начальном значении потенциала поверхности 300-400 В.Как на Si0 электретах с защитным покрытием, так и на фторопластовых пленках ф4МБ-2 потенциал поверхности уменьшался во влажной среде до некоторого стабильного значения 50-60 В, которое затем. сохранялось на этом уровне в течение длительного времени.

Формула и з обр ет ения

Конденсаторный микрофон, содержащий неподвижный кремниевый электрод, полимерную мембрану и изоляционную кольцевую прокладку. между ними, причем обращенные друг к другу поверхности неподвижного электрода и мембраны покрыты электретной пленкой оксида кремния и металлической пленкой соответственна, отличающийся

Составитель И, Игумнова

Техред h.Г:икеш

Редактор А. Лежнина

Корректор М.

Заказ 4255 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКЦТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101

5 1621184 6 тем, что, с целью повышения надежны. = электретной пленки из оксида кремния ти работы путем увеличения влагоустой- нанесена полиэтилентерефталатная пленчивости, на свободную поверхность ка толщиной 10-20 мкм,