Полумостовой двухтактный формирователь

Полумостовой двухтактный формирователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в гЈнераторных устройствах большой и соедней мощности и ключевых усилителях низкой частоты Цель изобретения - повышение КПД и надежности в работе Устройство содержит юанзистсры 1, 2, источник с шинами 5, 6 10 диоды 7 8 первую и вторую полуобмптки дросселя 9 Введение третьего и четвертого диодов и третьей и четвертой обмоток дсоссепя 9 позволило в два раза уменьшить ВРРМЯ закрывания трзнэистороз и тем самым уменьшить мощное гь потерь на переключение в четыре раза 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТ 1ЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТГНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР р ъ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

«« ° «-««/., 12

21 (21) 4280433/21 (22) 07.07.87 (46) 23.01.91. Бюл, М 3 (72) В.h.Àëåêcàíäðîâ, В.Н,Плюснин и T.Ã.Xðîìåíêîâà (53) 621.373(088.8) (56) Патент США M 4041411, кл. Н 03 F 21/00, 1977.

Бас А.А., Миловэоров В.П, Источники вторичного электропитания с бестрансформаторным входом. — M. Радио и связь, 198?, с. 51, ?О, (o4) ПОЛУМОСТОВОЙ ДВУХТАКТНЫИ

ФОРМИРОВАТЕЛ Ь,, Ы2,, 1622930А1 (5;)5 Н 03 К 5 02, Н 03 F 21/00 (57) Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в, енераторных устройствах большой и средней мощности и ключевых усилителях низкой частоты. Цель изобретения — повышение КПД и надежности в работе. Устройство содержит ранзисторы 1. 2, источник с шинами 5, 6, 10, диоды 7, 8, первую и вторую полуобмотки дросселя 9. В веде.- ие третье о и четвертого диодов и третьей и четвертой обмоток дросселя 9 позволило е два раза уменьшить íî,MR закрывания транэисторов и тем самым уменьшить и щность потерь на переключение в четыре раза. 1 ил.

1622930

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в генераторных устройствах большой и средней мощности и ключевых усилителях низкой частоты.

Цель изобретения — повышение КПД и надежности в работе.

На чертеже представлена электрическая принципиальная схема формирователя, Полумостовой двухтактный формирователь содержит первый и второй однотипные транзисторы 1 и 2, базы которых соединены с соответствующими входными шинами 3 и

4, а коллектор первого и эмиттер второго транзисторов 1 и 2 подключены к соответствующим шинам 5 и б питания и соответственно к катоду первого и аноду второго диодов 7 и 8, анод первого диода 7 соединен с коллектором второго транзистора 2 и концом первой полуобмотки дросселя 9. начало которой подключено к первой выходной шине 10 и концу второй полуоблютки дросселя

9, начало которой соединено с эмиттером первого транзистора 1 и катодом второго диода 8, вторая выходная шина подключена к общей шине 11 источника питания, третий и четвертый диоды 12 и 13 и вторая и третья обмотки дросселя 9, концы которых подключены к базам соответственно nepBofo и второго транзисторов 1 и 2, а начала через анод-катод соответственно третьего и четвертого диодов 12 и 13 — к коллектору соответственно первого и второго транзисторов 1 и 2, Формирователь работает следуюшим образом.

На входных шинах 3 и 4 формируются противофаэные импульсные напряжения, обеспечивающие поочередное включение и выключение транзисторов 1 и 2. При этом обеспечивается насыщенный режим работы открытого транзистора, а также достигаегся поочередное форсированное включение транзисторов 1 и 2 и форсированное рассасывание заряда иэ база-эмиттерного перехода запираемого транзистора.

Таким образом, транзисторы 1 и 2 обеспечивают поочередное замыкание потока энергии от источников положительного и отрицательного напряжения в нагрузку, чем достигается ключевое усиление импульсного напряжения.

При работе генератора на расстроенную нагрузку либо при работе устройства в режиме широтно-импульсной модуляции часть времени периода переключений ток замыкается через диоды 7 и 8, чем обеспечивается рекуперация энергии в источники питания.

h0

Использование насыщенного режима работы транзистора позволяет уменьшить мощность потерь. обусловленных их остаточными напряжениями. Основные потери в предлагаемом устройстве, так же как в известном устройстве, обусловлены потерями на переключение транзисторов и связаны с протеканием сквозного тока транзистор-транзистор, Использование в предлагаемом устройстве второй и третьей обмоток дросселя 9, обеспечивающих форсированное рассасывание заряда иэ база-коллекторного перехода закрываемого транзистора, позволяет более чем в два раза уменьшить время закрывания транзисторов, что приводит к уменьшению мощности потерь на переключение более чем в четыре р".çà по сравнению с извеc>íûì устройством.

Для нормальной работы предлагаемого устройства количество витков второй и треть .й -обл1оток дросселя 9 выбирается в

3„,4 раза меньше количества витков основной обмотки дросселя 9. При переключении транзисторов к первой полуобмотке дросселя 9 прикладыв ется импульсное напряжени., которо» трансформируется в третьЮ и четвертую обмотки дросселя 9, что приводит к отпиранию диодов 12 и 13 и протеканию тока через база-коплекторный переход транзисторов 1 и 2. Это приводит к задержке включения отпираемого транзистора и форсированному рассасыванию заряда (током, величина которого соизмерима с велии. гой рабочего тока) из базо-коллекторного перехода закрываемого транзистора. Указанный процесс обуславливает значительное уменьшение (более чем двухкратное) времени запиоания ранее проводившего транзис1ора, чтс приводит к уменьшению энергии, запасаемой в основной обмотке дросселя 9, от протекания сквозного тока транзистор-транзистор. За счет уменьшения времени выключения транзисторов в устройстве время рассеивания энергии, запасенной при сквозном токе, как минимум в два раза меньше, чем в известном устройстве, что позволяет обеспечить в два раза большую частоту переключений при сохранении высокой надежности работы, Таким образом, использование изобретения позволяет значительно повысить КПД и обеспечить высокую надежность работы устройства при более высокой частоте переключений.

Формула изобретения

Полумостовой двухтактовый формирователь, содержащий первый и второй однотипные транзисторы, базы которых соединены с соответствующими входными

1622930

Составитель В. Чижиков

Техред М.Моргентал Корректор С. Шекмар

Редактор А. Шандор

Заказ 114 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 шинами, а коллектор первого и эмиттер второго транзисторов подключены к соответствующим шинам питания и соответстввнно катоду первого и аноду второго диодов, анод первого диода соединен с коллектором второго транзистора и концом первой полуобмотки дросселя, начало которой подключено к первой выходной шине и концу второй полуобмотки дросселя, начало которой соединено с эмиттером первого транзистора и катодом второго диода, вторая выходная шина подключена к общей шине источника питания,отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и надежности в работе, в него введены третий и четвертый

5 диоды и вторая и третья обмотки дросселя, концы которых подключены к базам соответственно первого и второго транзисторов, а начала через анод-катод соответственно третьего и четвертого диодов — к коллектору

10 соответственно первого и второго транзисторов.