Способ определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов

Способ определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение касается измерений параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве и испытаниях быстродействующих полупроводниковых коммутаторов. Цель изобретения - повышение точности и производительности измерений - достигается за счет использования в качестве термочувствительного параметра напряжения между анодом и катодом реверсивно включаемого динистора. Причем это напряжение измеряется при токе через прибор , лежащем в диапазоне (0,5 - 1,0) -10 от номинального тока накачки и совпадающем с ним по направлению. В этом диапазоне токов калибровочная зависимость напряжения анод - катод от температуры линейна и не меняется от прибора к прибору для реверсивно включаемых динисторов одной партии. 2 ил. Ё

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s»s G 01 R 31/26

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕ1ЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4625030/21 (22) 26.12.88 (46) 07.02.91, Бюл. ¹ 5 (71) Научно-исследовательский институт по передаче электроэнергии постоянным током высокого напряжения (72) М.К.Гуревич и B,А.Синявский (53) 621.382.3 (088.8) (56) Грехов И.В. и др, Исследование реверсивно включаемых динисторов в сильноточных импульсных режимах. — Электротехника, 1986, №3, с.44 — 46. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ СТРУКТУРЫ РЕВЕРСИВНО ВКЛЮЧАЕМЫХ ДИНИСТОРОВ (57) Изобретение касается измерений параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано при проиэводстИзобретение относится к области измерений параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве и испытаниях быстродейг; вующих полупроводниковых коммутаторов.

Целью изобретения является повышение точности и производительности измерений за счет выбора термочувствительного параметра (ТЧП), имеющего линейную градуировочную характеристику, одинаковую для всех приборов в исследуемой партии.

Способ заключается в следующем.

В качестве гермочувствительного параметра для определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов (РВД) измеряется падение напряжения

0РЯ между анодом и катодом РВД при токе через РВД, лежащем в диапазоне (0.5 — 1,0) 10 от номинального тока на-2

„„ЯЯ„„1626220 А1 ве и испытаниях быстродействующих полупроводниковых коммутаторов. Цель изобретения — повышение точности и производительности измерений — достигается за счет использования в качестве термочувствительного параметра напряжения между анодом и катодом реверсивно включаемого динистора. Причем это напряжение измеряется при токе через прибор, лежащем в диапазоне (0,5 — 1,0) 10 . от номинального тока накачки и совпадающем с ним по направлению. В этом диапазоне токов калибровочная зависимость напряжения анод — катод от температуры линейна и не меняется от прибора к прибору для реверсивно включаемых динисторов одной партии. 2 ил. качки! и совпадающем с ним по направлению.

Перед проведением измерений температуры проводится калибровка ТЧП, т.е. снимается зависимость величины UFR от температуры Т при помещении исследуемого РВД в термостат, В выбранном диапазоне токов наклон градуировочной

Л 0РЯ характеристики а = — -Т- для всех образцов РВД одного типа при фиксированном измерительном токе IFR отличается незначительно, а именно разброс по а РВД одного типа не превышает 0,1 мВ/град. Таким образом, с достаточной для технических применений точностью градуировку можно проводить на одном РВД и пользоваться для образцов данного типа одним значением а, что повышает производительность способа.

1626220

g<< мВ! 100

900 воо

f00

20

Измерение температуры осуществляется при уровнях тока в РВД, не изменяющих существенно концентрацию носителей в базах, что приводит к повышению точности измерений. Измерение UFR осуществляется после рассасывания избыточного заряда, вызванного протеканием рабочих токов высокой плотности.

На фиг,1, 2 представлены графики калибровочных зависимостей напряжения

UFR от температуры Т для двух типов РВД: мощных высоковольтных ТДП вЂ” 173-1250 с

IH = 400 А (фиг.1), и мощных высокочастотных опытных образцов с 1н = 40 А (фиг.2).

Приведенные примеры подтверждают линейность зависимостей Огя от Т в выбранном диапазоне токов IFR.

Преимущество предлагаемого способа измерения температуры структуры РВД заключается в том, что обеспечивается линейность градуировочной характеристики ТЧП, достигается стабильность а, что позволяет пользоваться его среднестатистическим значением, повышается точность и проиэводительность тепловых измерений РВД, исключается возможность разрушения РВД при испытаниях, результаты измерений не зависят от предшествующих электрических

5 режимов.

Формула изобретения

Способ определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов, 10 включающий измерение термочувствительного параметра исследуемого реверсивно включаемого динистора и его градуировку по температуре, отл и ч а ю щи йс я тем, что, с целью повышения точности и произ15 водительности измерений, в качестве термочувствительного параметра используют напряжение между анодом и катодом реверсивно включаемого динистора при токе через него, равном (0,5 — 1,0) 10 от номи20 нального тока накачки и совпадающим с ним по направлению, а температуру структуры реверсивно включаемого динистора определяют по температурной градуировке для одного реверсивно включаемого дини25 стора.

1626220

Vpg пЗ

800

700

ЯО

/00 Т С

ФО И

Риг.г

Составитель В. Улимов

Редактор А. Шандор Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор Н. Ревская

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 277 Тираж 420 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5