Полупроводниковый штыревой прибор

Полупроводниковый штыревой прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при конструировании силовых полупроводниковых приборов штыревого типа и с прижимными контактами. Цель изобретения - повышение надежности путем увеличения воздушного зазора между

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУВЛИК (sl)s Н 01 1 23/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4463868/21 (22) 11.07.88 (46) 07.02.91. Бюл, N. 5 (75) В.А, Васильев, М.Н. Диалектова и В.А.Лаптун (53) 621.382(088.8) (56) Каталог фирмы Westcode Semiconductors.

Product guide PD2, 1980.

Тиристор серии T. ТУ 16-729.105-81, че рт. Д Ж И Ц, 432441,001 С Б.. Ж 1626266 А1 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ШТЫРЕВОЙ

ПРИБОР (57) Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при конструировании силовых полупроводниковых приборов штыревого типа и с прижимными контактами. Цель изобретения — повышение надежности путем увеличения воздушного зазора между

1626266 ляющим выводом 4, элемент изоляции выполнен в виде полого цилиндра 5 со ступенчатым увеличением диаметра со стороны полупроводникового элемента. Элемент изоляции находится под воздействием механизма 6 прижима, 1 ил. по . анием и силовым выводом и техноло,"чности. Для этого в полупроводниковом приборе, содержащем основание 1, на кото, м.i размещен полупроводниковый элемент с «нутренним силовым выводом 3 и распо,оженным внутри него внутренним управСоставитель С.Манякин

Редактор Н.Лазаренко Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор M.Äåì÷èê

Заказ 280 Тираж 358 Подписное

Р НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбйнат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к полупроводому приборостроению и может быть спользолано при конструировании силовых полупроводниковых приборов штырелого ntnà с прижимными контактами.

Цель изобретения — повышение надеж,.: .. з» счет увеличения воздушного зазо;..з -. ду oct ованием и силовым выводом и

-,логичности ! а чертеже представлен полупроводни .1 г рибор, рибор состоит из основания 1 с припа; фланцем, на котором размещен по, роводниковый элемент 2, внутреннего

"".о о вывода Зс расположенным внутри . -n внутренним управляющим выводом 4, 1рующей втулки 5 под механизм 6 при..-..л, которая является изолирующей де, - л .Io между анодом и катодом и ,чо;ременно центрирует внутренний вылод по отношению к выпрямительному эле, . чту, Втулка имеет форму цилиндра со

:тупо чатым увеличением диаметра. Все де1лл,1 полупроводникового прибора поI", .,ены в герметичный керамический корпус, оканчивающийся хвостовиком, i:с .зрый является катодом и служит для пеI c, ;à м постоянного тока с прибора во внешк и цепь.

Прибор работает следующим образом.

На анод прибора подается переменное . лжение из внешней цепи. При подаче положительного импульса на управляющий ль;вод 4 прибор из закрытого состояния переходит в открытое и пропускает положительную полуволну анодного тока в прямом направлении, С катодного вывода выпрямленный ток передается во внешнюю цепь.

Изолирующая втулка изготовлена иэ эпоксиреактопласта и может изготавливаться литьем под давлением или прямым прессованием.

5 Конструкция втулки обеспечивает расположение управляющего вывода строго в центре эоны управления полупроводникового элемента, что повышает стабильность электрических параметров полупроводни10 ковых приборов. Использование изобретения снижает себестоимость прибора эа счет исключения слюдяной прокладки, керамической шайбы, изоляционной трубки, Простота конструкции уменьшит трудоемкость

15 изготовления приборов.

Формула изобретения

Полупроводниковый штыревой прибор, содержащий медное шестигранное основа20 ние с цилиндрической контактной поверхностью, на которой размещен анодной стороной полупроводниковый элемент, силовой цилиндрический вывод с кольцевым выступом, соединенный с катодной частью

25 полупроводникового элемента, центрирующий и изолирующий диски и цилиндр, установленные соосно на кольцевом выступе силового вывода, пружину, размещенные в корпусе, отличающийся тем, что, с

30 целью повышения надежности за счет увеличения воздушного зазора между основанием и силовым выводом и технологичности, центрирующий и изолирующий диски и цилиндр выполнены в виде трехступенчатой

35 втулки иэ эпоксиреактопласта, причем высота первой ступени втулки выбрана равной

0,9 — 1,0 мм, второй ступени — 1-1,3 мм и третьей ступени — 10 — 10,5 мм.