Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технологии получения кристаллов вытягиванием из расплава. Пель изобретения - обеспечить более точное регулирование изотерм на фронте кристаллизации . Устройство содержит тигель с углублением в дне, боковой и донный нагреватели, а также средний нагреватель , установленный в углублении дна тигля. Боковой и донный нагреватели создают тепловое поле в расплаве . Средний нагреватель позволяет влиять на характер изотерм на фронте кристаллизации. Получены кристаллы, вольфраматов и молибдатов редкоземельных элементов, имеющие задан- / ные геометрические размеры. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„.80„„1 2 36i (51) 5 С 30 В 15/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМ .Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4491953/26 (22) 10. 10.88 (46) 23.02.91. Бюл. Р 7 (71) Ленинградский институт точной механики и оптики (72) N.A.Ãàò÷èí, M.10.0ñèïîâ, Л.Д.Початков и Г.И.Козлов (53) 621.315.592(088.8) (56) Заявка Японии N - 60-122791, кл. С 30 B 15/О?, 1985.

I (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРА1!!ИВАНИЯ 110НОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИПОВ (57) Изобретение относится к техно.логии получения кристаллов вытягиваИзобретение относится к технологии получения кристаллов вытягиванием из расплава.

Цель изобретения — более точное регулирование изотерм на фронте кристаллизации.

На чертеже представлена схема устройства для выращивания монокристаллов тугоплявких оксидов.

Устройство содержит тигель 1 с углублением в дне,боковой нагре ватель 2, установленный кояксиально тиглю 1, дополнительные донный нагреватель 3 и средний нагреватель

4 установленный в углублении тигля 1.

У

Устройство работает следующим образом.

Для вырящивяния монокристаллов с помощью нагревателей 2 и 3 создают тепловое поле расплава в тигле в соответствии с условиями выращивания.

Изменяя температуру среднего на2 нием из расплава. Цель изобретения— обеспечить более точное регулирование изотерм на фронте кристаллизации. Устройство содержит тигель с углублением в дне, боковой и донный нагреватели, а также средний нагреватель, установленный н углублении дна тигля. Боковой и донный нагреватели создают тепловое поле н рясплане. Средний нагреватель позволяет влиять на характер изотерм ня фронте кристаллизации. Получены кристаллы. вольфраматов и молибдатов редкоземельных элементов, имеющие заданI ные геометрические размеры. 1 ил.

1 гревателя 4, установленного в углублении тигля 1, меняют градиенты тем-. пературы и переохляждение на фронте кристаллизации, необходимое для создания определенной скорости наращивания слитка. Возможность переохлаждения расплава вблизи раступ!его крис талла зависит от вида изотерм в расплаве,который должен быть нягрет у стенок тигля больше, чем у кристалла. Таким образом, наличие дополнительных нагревателей позволяет влиять ня характер изотерм относительно кристалла и изгиб фронта кристаллизации.

Получены кристаллы NaI.a(W0 ), CsT,а(Ио0 ), Cs1,à (Ю ) заданных геометрических размеров.

Формула изобретения

Устройство -для выращивания монокристаллов тугоплявких оксидов, вклю1629361

Составитель Г. Золотова

Редактор Н.Яцола Техред Л. ()лийнык Корректор Л.Пилипенко

Заказ 4 12 Тираж 259 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 чающее тигель для расплава с углублением в дне и боковой нагреватель, установленный коаксиально тиглю, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью более точного регулирования изотерм на фронте кристаллизации, устройство снабжено дополнительными донным нагревателем и средним нагревателем, установленным в углублении дна тигля.