Способ моделирования поля давления при циркуляционном обтекании плоского профиля

Способ моделирования поля давления при циркуляционном обтекании плоского профиля

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и предназначено для исследования циркулярного обтекания профиля жидкостью или газом. Цель изобретения - повышение точности и сокращение времени определения поля давленияо Вариант реализации способа используют две установки , выполненные соответственно по аналогии Б и по аналогии А0 Установки содержат лист электропроводной бумаги прямоугольной формы 1, на котором располагаются входная и выходная шины 2 и Зо К установкам прилагается щуп 5 для измерения электрического потенциала„ Достижение поставленной цели обеспечивается разделением второго листа электропроводной бумаги по перенесенной на него критической линии тока, изоляцией разделенных частей друг от друга и фиксацией определяемого поля давления раздельно в обеих частях второго листа электропроводной бумаги, 2 ил. ч SS (Л

СООЗ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)5 С 06 G 7/57

ОПИСАНИЕ ИЗОВРЕТЕНИЯ

Н ASTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ П<НТ СССР (21) 4338044/24 (22) 07.12.87 (46) 23.02.91. Бюл. Р 7 (72) М.И.Грачев, Л.Я.Хаскин, И.Б.Хаткин и И.Е.Ыипилов (53) 681.3(088.8) .(561 Тетельбаум И.М. Электрическое моделирование. Физматгиз, 1959, с. 226-227, рис. 196.

Фильчаков П.Ф. и др. Интеграторы

ЭГДА. К., АН СССР, 1961, с. 44. (54) СПОСОБ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОЛЯ ДАВЛЕНИЯ ПРИ ЦИРКУЛЯЦИОННОМ ОБТЕКАНИИ

ПЛОСКОГО ПРОФИЛЯ (57) Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике н предназначено рля исследования циркулярного обтекания профиля жидкостью или т.

„„SU„„1629913 A 1

2 газом. Цель изобретения — повьппение точности и сокращение времени определения поля давления. Вариант реализации способа используют две установки, выполненные соответственно по аналогии Б и по аналогии А. Установки содержат лист электропроводной бумаги прямоугольной формы 1, на котором располагаются входная и выходная шины 2 и 3. К установкам прилагается щуп 5 для измерения электрического потенциала. Достижение поставленной цели обеспечивается разделением второго листа электропроводной бумаги по перенесенной на него критической линии тока, изоляцией разделенных частей друг от друга и фиксацией определяемого поля давления раздельно в обеих частях второго листа электропроводной бумаги. 2 ил.

16299 l 3

Изобретение относится к аналого вой вычислительной технике.и предназ начено для исследования циркуляционного обтекания профиля жидкостью или газом.

Цель изобретения — повышение точности и сокращение времени определения поля давлений.

На фиг.1 изображена геометричес- 10 кая модель для давления (аналогия Б);. на фиг.2 — то же (аналогия А)..

Каждая из ноделей содержит лист 1 электропроводной бумаги прямоугольной формы, на котором располагаются входная 2 и выходная 3 шины. Исследуемая модель 4 профиля выполнена по аналогии Б (фиг.1) из низкоомного металла и из диэлектрика по аналогии А (фиг.2). К моделям предлагает- 20 ся щуп 5 для измерения электрического потенциала. Критическая линия тока на фиг.1 и разрез на фиг.2 обозначены позицией 6. Модели имеют источ; ник 7 тока и делитель 8 напряжения 25 по аналогии Б (фиг.1).

Способ осуществляется следующим образом.

При включении источника 7 тока между входной 2 и выходной 3 шинами воз- gp никает TQK> моделирующий внешнее обтекание модели 4 по аналогии Б (фиг.1) без циркуляции. Регулированием величины напряжения на модели 4 с помощью делителя 8 напряжения подбирается циркуляция из условия схода критической линии тока с острой задней кромки профиля. Положение критической линии тока находят щупом 5 и тем самым задают граничные условия, после, 40 чего переносят эту линию в модель по аналогии А (фиг.2) в виде изолированных друг от друга частей разреза б. Затем с помощью источника 7 тока подают напряжение на вертикальные шины и щупом 5 снимают распределение давления в поле течения модели 4.

Формула изобретения

Способ моделирования поля давления при циркуляционном обтекании плоского профиля, основанный на размещении на поверхности первой полупроводящей среды геометрической модели плоского профиля из проводящего материала, формировании в первой полупроводящей среде посредством изменения потенциала на геометрической модели плоского профиля электрического поля, соответствующего выполнению условия схода критической линии тока с острой кромки модели профиля (аналогия Б), размещении на поверхности второй полупроводящей среды геометрической модели плоского профиля из диэлектрического материала и измерении на поверхности второй полупроводящей среды заданного посредством. внешних электродов параметров электрического поля, отображающего определяемое поле давлений (аналогия А), отличающийся тем, что, с целью повышения точности и сокращения времени определения поля давлений, вторую полупроводящую среду составляют из двух частей, которые изолируют одну от другой вдоль измеренной в первой полупроводяцей среде критической линии тока и затем параметры электрического поля во второй полупроводящей среде измеряют и фиксируют раздельно в обеих частях второй полупроводящей среды.

1629913

Составитель А.Маслов

Техред Л.Олийнык Корректор М.Кучерявая с

Редактор В.Данко

Заказ 439 Тираж 384 Подписк ое /

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно"издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101