Стабилизатор постоянного напряжения

Стабилизатор постоянного напряжения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве стабильного низковольтного источника для питания интегральных инжекционных схем. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем подавления импульсной помехи при сохранении высокого коэффициента стабилизации. Устр-во содержит первый р-п-р-транзистор 1, бэлластный резистор 2 , второй p-n-р транзистор 3, МДП-транзистор 4 со встроенным п-каналом, два резистора 5 и 6, конденсатор 7. Входной вывод устр-ва подключен к одной обкладке конденсатора 7 и одному выходу резистора 2, другой вывод которого подключен к эмиттеру транзистора 1, коллектор которого подключен к стоку МДП-транзистора 4 и выходному выводу. Транзисторы 1 и 3 являются питающими и работают в инжекционном режиме, выполняя функции инжекторов . МДП-транзистор 4 выполняет как обычные функции полевого транзистора, управляемого по затвору, так и функции биполярного n-p-n-транзистора, управляемого по подложке (базе). С помощью резистора 6 задается ток подложки (базы), обеспечивающий необходимый режим этого п-р-п-транзистора. С помощью резистора 5 и конденсатора 7 задается постоянная времени цепи затвора МДП-транзистора 4. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 G 05 F 3/20

ГОСУДАРСТВЕйЧЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4651332/07 (22) 16.02.89 (46) 28.02.91. Бюл. М 8 (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (72)Д.В. Игумнов, В.В.Дрожжев и С.Н. Щербакова (53) 621.316.722.1(088.8) (56) Степаненко И.И. Основы микроэлектроники. — М,: Сов. радио, 1980, с. 338, рис. 9.31.

Там же, с. 337, рис. 9.30.

Авторское свидетельство. СССР

Q 1449980, кл. G 05 F 3/22, 1987. (54) СТАБИЛИЗАТОР ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве стабильного низковольтного источника для питания интегральных инжекционных схем, Цель изобретения — расширение функциональных возможностей путем подавления импульсной помехи при сохранении высо, Ы, 1631533 А1 кого коэффициента стабилизации. Устр-ео содержит первый р-и-р-транзистор 1, балластный резистор 2, второй р-п-р транзистор

3, МДП-транзистор 4 со встроейным и-каналом, два резистора 5 и 6, конденсатор 7.

Входной вывод устр-аа подключен к одной обкладке конденсатора 7 и одному выходу резистора 2, другой вывод которого подключен к эмиттеру транзистора 1, коллектор которого подключен к стоку МДП-транзистора

4 и выходному выводу. Транзисторы 1 и 3 являются питающими и работают в инжекционном режиме, выполняя функции инжекторов. МДП-транзистор 4 выполняет как обычные функции полевого транзистора, управляемого по затвору, так и функции биполя рного п-р-п-транзистора, управляемого по подложке (базе), С помощью резистора 6 задается ток подложки (базы), обеспечивающий необходимый режим этого и-р-и-транзистора, С помощью резистора 5 и конденсатора 7 задается постоянная времени цепи затвора МДП-транзистора 4. 1 ил.

1631533

10

55

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве стабильного низковольтного источника для питания интегральных инжекционных схем.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей путем подавления импульсной помехи при сохранении высокого коэффициента стабилизации.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема стабилизатора постоянного напря>кения, Стабилизатор содержит первый р-и-ртранэистор 1, балластный резистор 2, второй р-и-р-транзистор 3, МДП-транзистор 4 со встроенным п-каналом, два резистора 5 и 6, и конденсатор 7. Входной вывод стабилизатора подключен к одной обкладке KQH денсатора (и одному выводу резистора 2, другой вывод которого подключен к эмиттеру транзистора 1, коллектор которого подключен к стоку МДП-транзистора 4 и выходному выводу. Другая обкладка конденсатора 7 подключена к затвору МДПтранзистора 4 и одному выводу резистора 5, другой вывод которого подключен к общей шине, истоку МДП-транзистора 4 и базе транзистора 3, эмиттер которого подключен к базе транзистора 1. Коллектор транзистора 3 подключен к одному выводу резистора

6, другой вывод которого подкл:очен к подложке МДП-транзистора 4. Транзисторы 1 и

3 являются питающими и работают в инжекционном режиме, выполняя функции ин>кекторов. МДП-транзистор 4 выполняет как обычные функции полевого транзистора, управляемого по затвору, так и функции биполярного п-р-п-транзистора, управляемого по подложке (базе). С помощью резистора 6 задается ток подло>кки (базы), обеспечивающий необходимый режим этого и-р-и-транзистора. С помощью резистора

5 и конденсатора 7 задается постоянная времени цепи затвора МДП-транзистора 4.

Токи эмиттеров транзисторов 1 и 3 порождают избыточный заряд дырок в их коллекторах, эа счет чего на коллекторных переходах обоих р-и-р-транзисторов появляются поло>кительные инжекционные нап ряжения. Максимальная величина инжекционного напряжения на транзисторе в основном определяется равновесной высотой потенциального барьера р-п- перехода и для кремниевых структур примерно равна 0,7 — 0,8 В, Такое напряжение присутствует между коллектором транзистора 3 и общей шиной, а между коллектором транзистора 1 и общей шиной обраэуе1ся выходное напряжение Овых примерно равное удвоенной величине ин15

45 жекционного напряжения одиночного транзистора.

При возрастании Unix увеличивается инжекционное напряжение на коллекторном переходе транзистора 3, а следовательно, и ток базы (подложки) п-р-п-транзистора, функции которого выполняет МДП-транзистор 4. В результате ток стока (коллектора)

МДП-транзистора 4 возрастает, что проводит к уменьшению U»ix, т.е, транзистор 4 подсаживает выходное напряжение инжекционного источника. Таким образом в предлагаемом устройстве реализуется высокий коэффициент стабилизации напряжения.

Предлагаемый стабилизатор постоянного напряжения как и прототип является низковольтным и предназначен в основном для питания схем интегральной инжекционной логики. При переключении логических схем в цепи питания могут возникать импульсные помехи, отрицательно влияющие на работу всей системы. Такие помехи устраняются за счет их шунтирования МДПтранзистором 4, на затвор которого они поступают (через конденсатор 7) и снижают сопротивление его канала.

Если на вход устройства поступает напряжение U ex с пульсациями, то они сглаживаются с помощью МДП-транзистора 4. l àê при кратковременном увеличении U» приращение этого напряжения проходит на затвор МДП-транзистора 4 и уменьшает сопротивление его канала. В результате увеличение U» сглаживается не только за счет стабильности инжекционного напряжения (как и в прототипе), но и за счет дополнительного подсаживания этого напряжения МДП-транзистором 4. Таким образом, устройство одновременно выполняет и функции сглаживающего фильтра, чем и достигается расширение его функциональных возможностей.

Формула изобретения

Стабилизатор постоянного напряжения, содержащий первый р-и-р-транзистор и балластный резистор, один вывод которого подключен к входному выводу, а другой— к эмиттеру р-п-р-транзистора, коллектор когорого подключен к выходному выводу, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем подавления импульсной помехи, при сохранении высокого коэффициента стабилизации, в него введены второй р-п-ртранзистор, МДП-транзистор со встроенным п-каналом, два резистора и конденсатор, одна обкладка которого подключена к входному выводу, а другая обкладка — к затвору.МДП-транзистора и

1631533

Составитель С. Ситко

Редактор Л. Пчолинская Техред M,Ìoðãåíòàë КоРРе оР И. Муска

Заказ 546 Тираж 464 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР °

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 одному выводу первого резистора, другой вывод которого подключен к общей шине, базе второго р-и-р-транзистора и истоку

МДП-транзистора. подложка которого подключена к одному выводу второго резистора, другой вывод которого подключен к коллектору второго р-п-р-транзистора, эмиттер которого подключен к базе первого р-и-ртранзистора, коллектор которого подклю5 чен к стоку МДП-транзистора.