Патент ссср 163292

Патент ссср 163292

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СО1111АА СТ11 ЕСК Х

Респуьлик

ОЛИ СЛБ ИЕ

ИЗОБ РЕТЕН ИЯ

4 @ 1 Д Q g Q $7 С Д ЦД Я : л Л

Класс

21Д1 1102

МПК

Н 01l № 163292

Заявлено 20.Х11.1962 (№ 809435(26-9) ГОСУДМСТВЕННЫИ

КОМИТЕТ ПО ЬЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИИ И ОТКРЫТИИ

СССР

УДК

Опубликовано 22Х1.1964. Бюллетень № 12

1

1 (;

/;:

1 3 с l

1, Подписная группа Л 82

Л. А. Зубрицкий и Ю. Б. Болховитянов

СПОСОБ СОЗДАИИЯ БАЗОВЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Известен способ создания базовых слоев полупроводниковых приборов, например мезатранзистсров,путем напыления примеси в высоком вакууме на поверхность нагретой пластины полупровсдкикового материала.

Предлагаемый способ создания базовых слсев полупроводниковых приооров отличается от известных тем, что пластину полупроводникового материаlа нагревают до температуры, при которой в процессе напыления одновременно происходит диффузия атомов примеси в полупрсводниковьш материал и ее интенсивное испар.ние.

На чертеже поясняется сущность предлагаемого спосооа.

Пластина 1 полупроводникового материала с хорошо очищенной поверхностью помещается на графитовом нагревателе 2 вакуумной установки 8. Над нагревателем расположен испаритель примеси 4. Температура нагревателя регулируется в широких пределах и контролируется термопарой 5.

Перед напылением пластину подвергаюг предварительному отжигу с целью удаления с ее поверхности адсо,".бирсванкых газов и летучих органических соединений, которые могли остаться пссле промывки. Затем по достижении Bbicc KOI.Q вакуума ка нагретую до температуры диффузии пластину напыляется примесь, температура испарения которой в вакууме ниже температуры диффузии. В качестве примеси для германия применяются сурьма, мышьяк, висмут, фосфор, а для кремния— материалы с большей температурой испарения.

Нанесенная на пластину примесь частично внедряется в полупроводниковый материал, а частично испаряется, создавая встречный поток примесных атомов, При дальнейшем отхкиге атомы внедрившейся примеси диффундируют вглубь полупроводника.

Способ позволяет создать при температуре диффузии дсстаточно большую плотность паров примеси у поверхности полупроводника. препятствующую попаданию на полупроводник черезмерного количества примеси из испарителя, т. е. созданию на поверхности металлического слоя и сплавления примеси с полупроводниковым материалом.

Предлагаемым способом были изготовлены базовые слои толщиной от долей микрона до

10 лск.

Предмет изобретения

Способ создания базовых слоев полупроводниковых приборов, например мезатранзисторов, путем напыления примеси в высоком вакууме ка певерхность нагретой пластины полупроводникового материала, о т л и ч а ющ и и ся тем, что пластину нагревают до температуры, при которой в процессе напыления сдновременно с диффузией атомов примеси в полупрсводниковый материал происходит интенсивное испарение примеси. № 163292

ГЛ Г !

Составитель Л. Рубинчик

Техред А. Кудрявицкая

Корректор О. Б. Тюрина

Редактор И. Г. Карпас

Типография, пр. Сапунова, 2.

I!оди. к печ. 8iVII — 61 г. еРоРмат бУм. 60 90 /а Объем 0,13 изд. л.

Заказ 1543 2 Тираж 1050 Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Иосква, Центр, пр. Серова, д. 4.